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本发明提供一种实现通态电阻的降低或电流崩塌的抑制并且防止了耐压降低的半导体装置。该半导体装置具备：形成于基板上的由氮化物系半导体构成的第1半导体层，形成于所述第1半导体层的表面的、由带隙比所述第1半导体层宽的氮化物系半导体构成的第2半导体层...
该专利属于古河电气工业株式会社;富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过古河电气工业株式会社;富士电机株式会社授权不得商用。

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