原位反应法制备石墨坩埚表面的SiC涂层的方法技术

本发明专利技术提供一种原位反应法制备石墨坩埚表面的SiC涂层的方法，包括如下步骤：将打磨好的涂层用石墨坩埚埋覆于发热用石墨坩埚内的硅粉中，得预反应物料；预反应物料放置在超音频感应加热炉中，在1300℃、惰性气体保护下反应60～90min。本发明专利技术利用原位反应在石墨坩埚的表面通过固相反应生成厚度均匀的SiC涂层，该方法工艺简单、容易控制，有利于工业化生产。本发明专利技术的方法制备的SiC涂层与石墨坩埚基体结合牢固，该SiC涂层能有效防止石墨坩埚的氧化，提高石墨坩埚的抗氧化性和抗热冲击性，从而提高石墨坩埚的使用寿命，而且不会引入其他杂质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用原位反应法制备石墨坩埚表面的SiC涂层的方法，属于制备涂层的

技术介绍
多晶硅中的杂质元素与冶炼过程中使用的坩埚密不可分，如何制造出能尽量少的引入杂质、在硅熔炼过程中不发生粘连且能多次重复使用的坩埚对提高太阳能电池的质量和降低太阳能的成本有着重要的影响。因此，在坩埚的表面形成涂层以提高坩埚的性能有着十分重要的应用价值。在石墨坩埚内表面生成一层SiC涂层可以阻碍坩埚基体与熔融硅之间的反应，减弱硅与坩埚之间的粘连行为，因此可以大大提高坩埚的使用寿命。此外由于涂层阻碍了坩埚与硅之间的传质过程，对于提高熔炼硅的质量及成品率有一定的作用。目前在石墨表面形成SiC涂层的方法有化学气相沉积(CVD)技术、化学气相渗透法(CVI)、液Si浸渍技术、泥浆－凝胶法等。但这些方法较为复杂或者制备涂层的周期相对较长。
技术实现思路
本专利技术提供一种原位反应法制备石墨坩埚表面的SiC涂层的方法。本专利技术的技术方案为如下：本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种原位反应法制备石墨坩埚表面的SiC涂层的方法，包括如下步骤：（1）将打磨好的涂层用石墨坩埚埋覆于发热用石墨坩埚内的硅粉中，得预反应物料；（2）将步骤（1）的预反应物料放置在超音频感应加热炉中，在1300℃下反应60～90min，其中所述超音频感应加热炉中导入惰性气体，使反应在惰性气体保护下进行。

【技术特征摘要】
1.一种原位反应法制备石墨坩埚表面的SiC涂层的方法，包括
如下步骤：
（1）将打磨好的涂层用石墨坩埚埋覆于发热用石墨坩埚内的硅
粉中，得预反应物料；
（2）将步骤（1）的预反应物料放置在超音频感应加热炉中，在
1300℃下反应60～90min，其中所述超音频感应加热炉中导入惰性气
体，使反应在惰性气体保护下进行。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤（1）所述
涂层用石墨坩埚的打磨处理方法为：用砂纸打磨涂层用坩埚，砂纸使
用顺序依次为200#、600#、1000#、2000#。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤（2）中所
述惰性气体的导入速率为0.2～2L/min，所述惰性气体为氩气或氦气。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤（2）的反
应过程中，所述超音频感应加热炉的音频频率为26.5～27.0KHZ。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅粉的粒径
为1～10μm。
6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭毅，游小刚，李佳艳，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21