晶体层叠结构体制造技术

本发明专利技术提供能够实现在β‑Ga2O3单晶基板上形成的含Ga氧化物层的高品质化的外延生长用基板。外延生长用基板1由β‑Ga2O3系单晶构成，将其（010）面、或者相对于（010）面以37.5°以内的角度范围倾斜的面作为主面。另外，晶体层叠结构体2具有外延生长用基板1和在外延生长用基板1的主面10上形成的由含Ga氧化物构成的外延晶体20。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供能够实现在β-Ga2O3单晶基板上形成的含Ga氧化物层的高品质化的外延生长用基板。外延生长用基板1由β-Ga2O3系单晶构成，将其（010）面、或者相对于（010）面以37.5°以内的角度范围倾斜的面作为主面。另外，晶体层叠结构体2具有外延生长用基板1和在外延生长用基板1的主面10上形成的由含Ga氧化物构成的外延晶体20。【专利说明】外延生长用基板和晶体层叠结构体
本专利技术涉及外延生长用基板，特别涉及由P -Ga2O3系单晶构成的外延生长用基板和晶体层叠结构体。
技术介绍
以往，已知在由0 -Ga2O3单晶构成的元件基板上层叠含Ga氧化物的半导体元件(例如，参照专利文献I)。这种半导体元件通过在P-Ga2O3单晶基板的主面上利用MBE (Molecular BeamEpitaxy)法等物理气相生长法、CVD (Chemical Vapor Deposition)法等化学气相生长法层叠显示n型或p型的导电性的层而构成。另外，作为PGa2O3单晶基板的主面，可使用劈开性强、容易得到平坦的面的(100)面(例如，参照专利文献2)。现有技术文献专利文献专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木公平，
申请(专利权)人：株式会社田村制作所，
类型：
国别省市：