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本发明提供能够实现在β‑Ga2O3单晶基板上形成的含Ga氧化物层的高品质化的外延生长用基板。外延生长用基板1由β‑Ga2O3系单晶构成，将其（010）面、或者相对于（010）面以37.5°以内的角度范围倾斜的面作为主面。另外，晶体层叠结构体...
该专利属于株式会社田村制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社田村制作所授权不得商用。

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