制造用于有机发光二极管的光提取基板的方法技术

一种制造用于有机发光二极管(OLED)的光提取基板的方法，用所述方法可以人工控制从所述OLED发出的光的散射分布。所述方法包括通过将无机氧化物在基底基板上至少两次沉积来形成光提取层的步骤，从而控制在所述光提取层的表面上形成的纹理的结构。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种制造用于有机发光二极管(OLED)的光提取基板的方法，用所述方法可以人工控制从所述OLED发出的光的散射分布。所述方法包括通过将无机氧化物在基底基板上至少两次沉积来形成光提取层的步骤，从而控制在所述光提取层的表面上形成的纹理的结构。【专利说明】相关申请的交叉引用本专利技术涉及制造用于有机发光二极管(OLED)的光提取基板的方法，且更具体地涉及制造用于OLED的光提取基板的方法，由此可以人工控制从OLED发出的光的散射分布。
本专利技术涉及一种氧化锌(ZnO)前驱体和利用该前驱体沉积ZnO类薄膜的方法，更具体地，本专利技术涉及一种ZnO前驱体和利用该前驱体沉积ZnO类薄膜的方法，使用该ZnO前驱体可以沉积高质量和高纯度的ZnO类薄膜。
技术介绍
通常，有机发光二极管(OLED)包括阳极、发光层和阴极。当在阳极与阴极之间施加电压时，空穴被从阳极注入到空穴注入层中，然后从空穴注入层通过空穴传输层迁移至有机发光层，且电子被从阴极注入到电子注入层中，然后从电子注入层通过电子传输层迁移至发光层。被注入到发光层中的空穴和电子在发光层中彼此重新组合，从而产生激子。当该激子从激发态跃迁至基态时，发出光。根据驱动以矩阵形状排布的N*M数目的像素的机制，包括OLED的有机发光显示器被分为无源矩阵型和有源矩阵型。在有源矩阵型中，限定发光区的像素电极和向像素电极施加电流或电压的单位像素驱动电路被置于单位像素区域中。单位像素驱动电路具有至少两个薄膜晶体管(TFT)和一个电容器。由于该构造，单位像素驱动电路可提供恒定电流，与像素的数目无关，从而实现均匀亮度。有源矩阵型有机发光显示器功耗小，从而可有利地用于高清晰度显示器和大显示器。然而，在使用OLED的平面光源装置的情况下，由于发出的光被OLED的内部或界面反射或吸收而不是向外离开，薄膜层叠结构造成由发光层生成的光至少损失一半。因此，必须施加额外的电流以产生所需的亮度水平。在此情况下，功耗增加，从而减少装置的寿命。为了克服这一问题，需要用于提取光以使其向外离开的技术，否则所述光将会在OLED之内或在OLED的界面处损失掉。该技术被称为光提取技术。使用光提取技术克服问题的方案是除去防止在OLED内部或在OLED的界面损失的光向前运行或阻碍光的行进的任何因素。通常用于该目的的方法包括外部光提取技术和内部光提取技术。外部光提取技术通过在基板的最外表面上形成凹部和凸部或用与基板具有不同折射率的层涂覆所述基板来减少在基板和空气之间的界面处的全内反射。内部光提取技术通过在基板和透明的电极之间表面上形成凹部和凸部或用与基板具有不同折射率的层涂覆基板来减少波导效应，所述波导效应中中光沿着具有不同的厚度和折射率的层之间的界面行进而非向前运行。其中，由于光的散射分布和色坐标可根据凹部和凸部的形状和尺寸而变化，使用凹凸结构的外部光提取技术需要根据OLED的用途来控制凹部和凸部的形状和尺寸。然而，在诸如使用外部光提取技术的微透镜阵列的聚合物片材类型的情况下，由于耐热性问题，在制造OLED之后将聚合物片材与玻璃基板结合，并且聚合物片材昂贵，因此难以将聚合物片材与玻璃基板整合。相反，在用无机材料涂覆基板的情况下，难以控制凹部和凸部的形状。特别地，在相关领域中通过光刻法形成光提取层，所述光提取层引起复杂的问题，如由于使用昂贵的设备而增加的成本、复杂的工艺和由所述工艺产生的有害物质。提供专利技术背景部分中公开的信息仅用于更好地理解专利技术背景，而不应被认为是承认或以任何形式建议该信息形成本领域技术人员应当已知的现有技术。
技术实现思路
本专利技术的各方面提供制造用于有机发光二极管(OLED)的光提取基板的方法，用所述方法可以人工控制从OLED发出的光的散射分布。 在本专利技术的方面，提供了通过APCVD制造用于OLED的光提取基板的方法。所述方法包括通过将无机氧化物在基底基板上至少沉积两次来形成光提取层的步骤，从而控制在光提取层的表面上形成的纹理的结构。根据本专利技术的示例性实施方式，沉积所述无机氧化物至少两次可包括在第一沉积温度下将所述无机氧化物沉积在所述基底基板上以形成第一薄膜层；以及在第二沉积温度下将所述无机氧化物沉积在所述第一薄膜层上以形成第二薄膜层，从而形成具有双层结构的所述光提取层。所述第一薄膜层的厚度在0.4 y m至1.7 y m的范围内，而所述第二薄膜层的厚度在2.1iim至2.9iim的范围内。所述第一沉积温度可与所述第二沉积温度不同。所述第一沉积温度和所述第二沉积温度可彼此不同并且在350°C至640°C范围内。沉积所述无机氧化物至少两次可通过在线工艺(in-line process)来进行。所述无机氧化物可由比所述基底基板具有更高的折射率的物质组成。所述无机氧化物可由选自由ZnO、SnO2, SiO2^Al2O3和TiO2组成的无机物质的组的一种组成。所述方法可进一步包括在沉积所述无机氧化物至少两次期间或之后注入掺杂剂的步骤。根据本专利技术的实施方式，通过经可使具有凹凸形状的纹理在表面上自然形成的APCVD形成所述光提取层，以及进行至少两次沉积，有可能人工改变所述光提取层的凹部和凸部的尺寸、形状和分布。这因此使得有可能根据用途控制从用于照明的OLED发出的光的散射分布。而且，由于所述纹理是通过APCVD在所述光提取层的表面上自然形成的，相关领域中用于形成光提取层的光刻法就变得没有必要。因此有可能通过减少方法步骤的数目来减少制造时间。由于所述方法所产生的有害物质减少，同样减少了处理成本。此外，由于通过APCVD形成所述光提取层，有可能设定所述基板的玻璃的制造和所述光提取层的形成为在线或线上(on-line)形成，并且所述基板和所述光提取层彼此整合，由此可通过大量生产制造所得光提取基板。本专利技术的方法和装置具有的其它特征和优点将通过附图变得明了或在附图中阐明更多细节，所述附图合并于此，在下面的专利技术详述中，连同附图一起用来解释本专利技术的特定原理。【专利附图】【附图说明】图1和图2是显示根据本专利技术的实施方式制造用于有机发光二极管的光提取基板(OLED)的方法的示意性工艺图；图3是显示根据本专利技术的实施例1制造的用于OLED的光提取基板的横截面的扫描电子显微镜(SEM)照片；图4是显示从根据本专利技术的实施例1制造的用于OLED的光提取基板测量的光散射分布的图；图5是显示根据本专利技术的实施例2制造的用于OLED的光提取基板的横截面的SEM照片；图6是显示从根据本专利技术的实施例2制造的用于OLED的光提取基板测量的光散射分布的图；图7是显示根据本专利技术的实施例3制造的用于OLED的光提取基板的横截面的SEM照片；图8是显示从根据本专利技术的实施例3制造的用于OLED的光提取基板测量的光散射分布的图。【具体实施方式】现将详细参考根据本专利技术制造用于有机发光二极管(OLED)的光提取基板的方法，附图中说明了本专利技术的实施方式并在下面描述，从而本专利技术涉及的本领域普通技术人员可以容易地实践本专利技术。在该文件通篇中，应当参考附图，其中在所有不同的附图中使用相同的附图标记和符号以标示相同或相似的组件。在本专利技术的以下描述中，当合并于此的已知功能和组件的详述使得本专利技术的主题不清楚时可将其忽略。根据本专利技术的实施方式制造用于OLED的光提取基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔殷豪，朴峻亨，白逸姬，刘泳祚，
申请(专利权)人：三星康宁精密素材株式会社，
类型：发明
国别省市：