一种无源矩阵OLED显示器，包括独立可寻址的OLED像素的阵列，这些独立可寻址的OLED像素在该显示器的成像区域中被布置成列线和行线，其中至少一个OLED像素包括以串联方式与电致发光二极管连接的至少一个整流部件，且其中该至少一个OLED像素与缺少该至少一个整流部件的相似像素相比具有延长的像素接通时间。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】一种无源矩阵OLED显示器，包括独立可寻址的OLED像素的阵列，这些独立可寻址的OLED像素在该显示器的成像区域中被布置成列线和行线，其中至少一个OLED像素包括以串联方式与电致发光二极管连接的至少一个整流部件，且其中该至少一个OLED像素与缺少该至少一个整流部件的相似像素相比具有延长的像素接通时间。【专利说明】无源矩阵有机发光二极管相关申请的交叉引用本申请根据美国法典第35篇第119 (e) (I)条要求享有都于2011年8月12日提交的第61/523，083号和第61/523，090号的优先权，所述第61/523，083号和第61/523，090号的公开内容以引用的方式整体纳入本文。
OLED显示器根据显示器如何被寻址可以被分类为无源矩阵(PM)显示器和有源矩阵(AM)显示器。一般而言，AMOLED显示器具有比PMOLED更好的效率和更长的寿命，但具有高得多的生产成本。AMOLED的高成本主要来自所需要的TFT背板(backplane)。由于材料的一些固有限制，所述TFT背板的制造是昂贵的。另一方面，现有的TFT技术不能够传送足够的电流以驱动更大的OLED面板。因此，20"及以上的OLED面板目前是商业上不可得到的。PMOLED比AMOLED便宜。然而，PMOLED的性能不令人满意:PM0LED具有更短的寿命、有限的分辨率和尺寸以及更小的功率效率(power efficient)。改进PMOLED的性能可以显著提高其商业价值以及拓宽PMOLED技术的使用领域。相关技术包含US20060091794、US20070114522 和 US20070152923。
技术实现思路
在一个方面，本专利技术提供了一种无源矩阵OLED显示器，包括独立可寻址的OLED像素(pixel)的矩阵,这些独立可寻址的OLED像素在该显示器的成像区域(imaging area)中被布置成列线和行线，其中至少一个OLED像素包括以串联方式与电致发光二极管连接的至少一个整流部件，且其中该至少一个OLED像素与缺少该至少一个整流部件的相似像素相比具有延长的像素接通时间(on-time)。特定实施方式包含:其中，该至少一个整流部件占该像素的总电容的至少50% ；其中，该至少一个整流部件具有大于I的整流比(rectification ratio);其中，该至少一个整流部件的正向电阻等于该电致发光二极管的正向电阻；其中，在开启电压(cut-1n voltage)之后,在该正向偏置区中，该至少一个整流部件具有斜率大于2的I/V响应曲线；其中，该至少一个整流部件具有最小特性正向电阻(minimal characteristicforward resistance)；其中，该OLED是COLED且包括腔体(cavity)；其中，该腔体延伸穿过电致发光层和电介质层；其中，该至少一个整流部件占该像素的总电容的至少50%，且其中该至少一个整流部件的正向电阻等于该电致发光二极管的正向电阻；该至少一个整流部件具有大于I的整流比，且其中该OLED是COLED且包括腔体；以及其中，该至少一个整流部件占该像素的总电容的至少50%，且其中该至少一个OLED像素与缺少该至少一个整流部件的相似像素相比具有延长的像素接通时间。在另一个方面，本专利技术提供了一种用于形成无源矩阵OLED显示器的方法，该无源矩阵OLED显示器包括多个独立可寻址的OLED像素，该多个独立可寻址的OLED像素在该显示器的成像区域中的基片(substrate)上被布置成列线和行线，该方法包括:通过串联连接电致发光二极管和至少一个整流部件来形成该多个像素中的每个OLED像素，其中该整流部件增加该OLED像素的接通时间。在特定实施方案中，该基片充当阳极。在另一个方面，本专利技术提供了一种器件，按顺序包括:(a)基片层；(b)底电极层(bottom electrode layer) ； (c) 一个或更多个半导体层；(d)像素底电极层；(e)电介质层；(f)像素顶电极层(top electrode layer);以及(g)电致发光层,且进一步包括至少一个腔体，该至少一个腔体延伸穿过该像素顶电极层且穿过该电介质层，其中电致发光材料从该电致发光层延伸到该至少一个腔体中，且接触该电介质层、该像素顶电极层和该底电极层。在另一个方面，本专利技术提供了一种器件，按顺序包括:(a)基片；(b)底电极层；(c)电介质层；(d)像素顶电极层；以及(e)电致发光层，且进一步包括:(i)至少一个腔体，该至少一个腔体延伸穿过该像素顶电极层且穿过该电介质层，且在该像素顶电极层中限定了图案；以及(ii )半导体层，该半导体层接触该像素顶电极层且使该像素顶电极层与该电致发光层分开，其中电致发光材料从该电致发光层延伸到该至少一个腔体中，且接触该电介质层、该像素顶电极层和该底电极层。在另一个方面，本专利技术提供了 OLED器件中的像素，按顺序包括:(a)透明的基片；(b)阳极；(c)像素元件，该像素元件包括OLED堆叠(stack)和透明的薄膜二极管，其中该薄膜二极管增大了该像素的电容；以及(d)阴极。在另一个方面，本专利技术提供了一种OLED显示器，该OLED显示器包括独立可寻址的OLED像素的阵列，这些独立可寻址的OLED像素在该显示器的成像区域中被布置成列线和行线，其中:至少一个OLED像素按顺序包括底电极层、电介质层、像素顶电极层和电致发光层，且进一步包括延伸穿过该电介质层和该顶电极层的腔体；以及(b)该电致发光层延伸到该腔体中，且接触该电介质层、该像素顶电极层和该底电极层；以及在特定实施方案中:-该显示器的成像区域具有大于5英寸的对角尺度；-该OLED显示器进一步包括具有大于I微米的厚度的阴极层；-该OLED显示器进一步包括由导电率大于ITO的阳极材料制成的阳极层；-该OLED显示器进一步包括由k值大于I的电介质材料制成的电介质层；-该显示器的成像区域具有大于5英寸的对角尺度，且其中该OLED显示器进一步包括由k值大于I的电介质材料制成的电介质层。【具体实施方式】在一个方面，本专利技术提供了一种无源矩阵OLED显示器，该显示器包括独立可寻址的OLED像素的阵列，这些独立可寻址的OLED像素在该显示器的成像区域中被布置成列线和行线。至少一个OLED像素包括以串联方式与电致发光二极管连接的至少一个整流部件。在一些实施方案中，所述OLED像素的阵列中的每个OLED像素包括以串联方式与电致发光二极管连接的至少一个整流部件。与缺少该整流部件的相似像素相比，OLED像素的整流部件对延长该像素的接通时间有效。例如，像素相似但缺少该整流部件，此时该像素含有除了充当整流器的部件之外的所有相同部件(例如，电致发光二极管、可选的腔体、基片等)。例如，与本专利技术的OLED像素相似的像素可以含有电致发光二极管和腔体，但缺少分立的整流部件(即，除了该电致发光二极管以外的一个部件，其自身是整流器)。传统的PMOLED使用在每个扫描周期内交替地逐行接通像素的扫描模式，该像素的“接通时间”(1/4秒，其中f是扫描频率且η是面板的总行数)小于该像素的“关断时间”((11-1)/4秒，因此接通时间与关断时间的比率是1/(η-1))。为了获得某一平均亮度(本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种无源矩阵OLED显示器，包括独立可寻址的OLED像素的阵列，这些独立可寻址的OLED像素在该显示器的成像区域中被布置成列线和行线，其中至少一个OLED像素包括以串联方式与电致发光二极管连接的至少一个整流部件，且其中该至少一个OLED像素与缺少该至少一个整流部件的相似像素相比具有延长的像素接通时间。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：Y·施，许倩斐，W·SK·楚，
申请(专利权)人：思研SRI国际顾问与咨询公司，
类型：
国别省市：
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