鳍式场效应晶体管及其形成方法技术

一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述形成方法包括：形成鳍部结构后，在所述鳍部结构顶部表面形成第一凹槽，所述第一凹槽侧壁的鳍部结构形成第一鳍部；在所述第一凹槽底部表面形成第二凹槽，所述第二凹槽侧壁的鳍部结构形成第二鳍部；将所述第一鳍部、第二鳍部的顶角变成圆弧形。由于所述鳍部结构的顶部表面被刻蚀形成若干个第一鳍部和第二鳍部，使得最终形成的鳍部结构的表面积远远大于现有的剖面形状为矩形的鳍部的表面积，有利于提高鳍式场效应晶体管的沟道区面积，从而有利于提高驱动电流。且所述第一鳍部、第二鳍部的顶角变成圆弧形，能有效地避免部分沟道区的电流过大导致器件过热。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种，所述形成方法包括：形成鳍部结构后，在所述鳍部结构顶部表面形成第一凹槽，所述第一凹槽侧壁的鳍部结构形成第一鳍部；在所述第一凹槽底部表面形成第二凹槽，所述第二凹槽侧壁的鳍部结构形成第二鳍部；将所述第一鳍部、第二鳍部的顶角变成圆弧形。由于所述鳍部结构的顶部表面被刻蚀形成若干个第一鳍部和第二鳍部，使得最终形成的鳍部结构的表面积远远大于现有的剖面形状为矩形的鳍部的表面积，有利于提高鳍式场效应晶体管的沟道区面积，从而有利于提高驱动电流。且所述第一鳍部、第二鳍部的顶角变成圆弧形，能有效地避免部分沟道区的电流过大导致器件过热。【专利说明】
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种。
技术介绍
随着半导体工艺技术的不断发展，工艺节点逐渐减小，后栅(gate-last)工艺得到了广泛应用，以获得理想的阈值电压，改善器件性能。但是当器件的特征尺寸(CD，CriticalDimension)进一步下降时，即使采用后栅工艺，常规的MOS场效应管的结构也已经无法满足对器件性能的需求，多栅器件作为常规器件的替代得到了广泛的关注。鳍式场效应晶体管(Fin FET)是一种常见的多栅器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底表面形成鳍部结构，至少在所述鳍部结构两侧的基底表面形成绝缘层；在所述鳍部结构顶部表面形成第一凹槽，所述第一凹槽侧壁的鳍部结构形成第一鳍部；在所述第一凹槽底部表面形成第二凹槽，所述第二凹槽侧壁的鳍部结构形成第二鳍部；将所述第一鳍部、第二鳍部的顶角变成圆弧形；在所述鳍部结构表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的鳍部结构中形成源区和漏区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冯军宏，徐依协，甘正浩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31