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一种鳍式场效应晶体管及其形成方法,所述形成方法包括:形成鳍部结构后,在所述鳍部结构顶部表面形成第一凹槽,所述第一凹槽侧壁的鳍部结构形成第一鳍部;在所述第一凹槽底部表面形成第二凹槽,所述第二凹槽侧壁的鳍部结构形成第二鳍部;将所述第一鳍部、第二...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种鳍式场效应晶体管及其形成方法,所述形成方法包括:形成鳍部结构后,在所述鳍部结构顶部表面形成第一凹槽,所述第一凹槽侧壁的鳍部结构形成第一鳍部;在所述第一凹槽底部表面形成第二凹槽,所述第二凹槽侧壁的鳍部结构形成第二鳍部;将所述第一鳍部、第二...