发光二极管晶圆的制作方法及其晶圆、晶粒成品技术

一种发光二极管晶圆的制作方法及其晶圆、晶粒成品，首先在透光晶圆的顶面形成具有对位构件、多个阵列的发光构件与交错排列而区隔出发光构件的预定切割道的磊晶层体；接着于透光晶圆相反于顶面的背面形成对应预定切割道的图案化光阻；再于透光晶圆的背面形成整面的不透明膜层；然后移除图案化光阻及其上的不透明膜层而借此在透光晶圆背面形成多个分别对应发光构件位置的不透明块体，借由上述步骤制得本发明专利技术发光二极管晶圆，并在劈裂分离后得到背面具不透明块体且也能避免爬胶问题产生的发光二极管晶粒。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种发光二极管晶圆的制作方法及其晶圆、晶粒成品，首先在透光晶圆的顶面形成具有对位构件、多个阵列的发光构件与交错排列而区隔出发光构件的预定切割道的磊晶层体；接着于透光晶圆相反于顶面的背面形成对应预定切割道的图案化光阻；再于透光晶圆的背面形成整面的不透明膜层；然后移除图案化光阻及其上的不透明膜层而借此在透光晶圆背面形成多个分别对应发光构件位置的不透明块体，借由上述步骤制得本专利技术发光二极管晶圆，并在劈裂分离后得到背面具不透明块体且也能避免爬胶问题产生的发光二极管晶粒。【专利说明】 发光二极管晶圆的制作方法及其晶圆、晶粒成品
本专利技术涉及一种晶圆的制作方法及其成品，特别是涉及一种发光二极管晶圆的制作方法及其晶圆、晶粒成品。
技术介绍
参阅图1，一般的发光二极管固晶是将一个发光二极管晶粒利用黏晶材料101(如银胶)键合于一个封装基材100上而供后续如灯具、面板背光源等等的应用。通常，该发光二极管晶粒包含一个基板11、一个形成于该基板11上的发光构件12，及一个形成于该发光构件12上并用以电连接于该发光构件12及外部电路(图未示)的电极单元13。该发光构件12包含一层第一披覆层121、一层发光层122及一层第二披覆层123。该第一披覆层121通常以η型半导体材料构成，例如η型氮化镓，通常也称作η型披覆层；该第二披覆层123通常以P型半导体材料构成，例如P型氮化镓，通常也称作P型披覆层；该发光层122夹置于第一披覆层121与第二披覆层123间，并在通过该电极单元13接受外部电能后，将电能转换为光能而发光。该电极单元13以例如金属、金属合金等导体材料所构成，包括两个分别设置于该第一披覆层121、第二披覆层123上的电极垫131，并与该发光构件12形成完整的电通路，使得外部电流能输往该发光构件12。但，上述发光二极管晶粒在进行固晶时，必须在每一独立的晶粒上一一点胶后再进行黏着，因此较耗时耗力，所以，目前还发展出另一种特别于劈裂分离前的晶圆制作过程中直接在晶圆背面形成一层可用于固晶的不透明层体，例如图2所示的发光二极管晶圆。参阅图2、图3，该发光二极管晶圆首先是在一个晶圆基板11’的顶面形成多个发光构件12与多个交错以定义出所述发光构件12的预定切割道120，并在所述发光构件12上形成所需电极垫131而构成电极单元13后，再以镀覆、涂布的方式在该晶圆基板11’背面整面形成一层固晶层体14(如合金)，接着对此发光二极管晶圆通过所述预定切割道120进行劈裂、分割后，便能得到如图3所示彼此独立分离且在基板11背面具有固晶块体14’的发光二极管晶粒。而该形成有固晶块体14’的发光二极管晶粒可以直接键合于封装基材上，而不需一一进行点胶的动作，进而提升整体制程效率。然而，该固晶层体14通常是由不透光的材料所构成，所以在进行晶圆劈裂、分割时不易对准于该晶圆基板11’顶面的发光构件12而可能在切割时破坏到晶粒本身；此外，当发光二极管晶粒进行固晶的时候，该固晶块体14’也会因为加温、施压黏着等固晶动作而发生溢胶或爬胶问题，导致该发光二极管晶粒的侧周缘部分被该不透明的固晶块体14’所遮覆(如图1所示)，进而影响发光二极管晶粒整体的出光效率，甚至影响到电路连接，造成漏电流或短路等质量问题，导致可靠度降低和封装不良率提高。因此，晶圆背面形成不透明层体的发光二极管晶圆的制作方法与其成品仍有待进一步的改良，以避免上述问题的发生。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可由晶圆背面进行对位，进而在晶圆背面形成多个间隔排列的不透明块体的发光二极管晶圆的制作方法。本专利技术发光二极管晶圆的制作方法包含以下步骤:(A)在一个透光晶圆的顶面上形成一层磊晶层体，且该磊晶层体具有至少一个对位构件、多个间隔阵列的发光构件，及多个交错排列而区隔出所述发光构件的预定切割道。(B)于该透光晶圆相反于该顶面的背面利用该对位构件对准形成一层具有相对应所述预定切割道位置的图案化光阻。(C)于该透光晶圆的背面形成整面式的不透明膜层。(D)移除该透光晶圆背面的图案化光阻及位于该图案化光阻上的不透明膜层部分，借此形成多个相对应所述发光构件位置的不透明块体。较佳地，该步骤(D)所述不透明块体在该透光晶圆的投影面积小于相对应的发光构件在该透光晶圆的投影面积。较佳地，该步骤(D)所述不透明块体在该透光晶圆的投影面积是相对应的发光构件在该透光晶圆的投影面积的0.5倍至0.9倍。较佳地，该步骤(A)形成的该对位构件的顶面还进一步形成一层具反光特性的反射层。较佳地，该步骤(C)的不透明膜层为固晶材料和反射材料的其中至少一种。较佳地，该步骤(C)的不透明膜层为固晶材料，且选自银胶、金、锡、金锡合金和铅锡合金的其中至少一种。较佳地，该步骤(C)的不透明膜层为反射材料，且选自银、铬、镍、铝和布拉格反射镜的其中至少一种。较佳地,该步骤(A)与步骤(B)间,可进一步包含步骤(E),该步骤(E)是在该透光晶圆背面的预定位置形成一层预镀层。较佳地，该步骤(E)具有下列步骤:(El)先以一块遮罩遮覆该透光晶圆背面的一个对应于该对位构件位置的对位区；(E2)在透光晶圆背面无该遮罩遮覆的区域形成该预镀层；(E3)移除该遮罩令该透光晶圆的对位区裸露。较佳地，该步骤(E)中的预镀层与不透明膜层是由相同材料所构成。而通过上述制作方法所制得的发光二极管晶圆，包含一个透光晶圆、一层磊晶层体及多个不透明块体。该透光晶圆包括一个顶面及一个相反于该顶面的背面。该磊晶层体包括至少一个对位构件、多个间隔阵列的发光构件，及多个交错排列而区隔出所述发光构件的预定切割道。所述不透明块体位于该透光晶圆的背面且相对应于所述发光构件位置设置。较佳地，所述不透明块体在该透光晶圆的投影面积是相对应的发光构件在该透光晶圆的投影面积的0.5倍至0.9倍。较佳地，该发光二极管晶圆还包含一层具反光特性且形成于该对位构件顶面的反射层。较佳地，所述不透明块体为固晶材料和反射材料的其中至少一种。较佳地，该发光二极管晶圆还包含一层预镀层，该预镀层位于该透光晶圆的背面与所述不透明块体间，且该预镀层为连续式的膜层结构。较佳地，该预镀层与所述不透明块体由相同材料所构成。本专利技术另一目的，即在提供一种可避免在固晶时产生溢胶或爬胶现象的发光二极管晶粒。本专利技术发光二极管晶粒包含一个基板、一个发光构件，及一个不透明块体。该基板包括一个顶面及一个相对于该顶面的背面，而该发光构件形成于该基板的顶面且可将所接受的电能转换为光能而发光，该不透明块体位于该基板的背面且该不透明块体于该基板的投影被涵盖在该发光构件于该基板的投影内。较佳地，该不透明块体于该基板的投影面积是该发光构件于该基板的投影面积的0.5倍至0.9倍。较佳地，该发光二极管晶粒还包含一个预镀块体，而该预镀块体位于该不透明块体与该基板背面间。 本专利技术的有益效果在于:通过该透光晶圆的透光性而经透光晶圆背面对准该位于透光晶圆顶面的对位构件进行对位，而于透光晶圆的背面形成所述对应于发光构件位置的不透明块体，不仅可借此改善现有的制程中切割背面具有不透光膜层的晶圆时所产生的无法精确对位问题，又可借该不透明块体的控制形成以避免后续晶粒封装键合时的溢胶或爬胶问题的产生。【专利附图】【附图说明】图1是剖面示意图，说明本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管晶圆的制作方法，其特征在于包含以下步骤：(A)在一个透光晶圆的顶面上形成一层磊晶层体，且该磊晶层体具有至少一个对位构件、多个间隔阵列的发光构件，及多个交错排列而区隔出所述发光构件的预定切割道；(B)于该透光晶圆相反于该顶面的背面利用该对位构件对准形成一层具有相对应所述预定切割道位置的图案化光阻；(C)于该透光晶圆的背面形成整面式的不透明膜层；(D)移除该透光晶圆背面的图案化光阻及位于该图案化光阻上的不透明膜层部分，借此形成多个相对应所述发光构件位置的不透明块体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈正言，赖育弘，林政宏，罗玉云，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71