Ga2O3系单晶体的供体浓度控制方法技术

本发明专利技术提供能够在Ga2O3系单晶体中形成具有优异导电性的区域的、使用了离子注入法的Ga2O3系单晶体的供体浓度控制方法。通过如下方法来控制Ga2O3系单晶体（1）的供体浓度，所述方法包括：利用离子注入法向Ga2O3系单晶体（1）导入第IV族元素作为供体杂质，在Ga2O3系单晶体（1）中形成第IV族元素的浓度比未注入第IV族元素的区域高的供体杂质注入区域（3）的工序，和通过800℃以上的退火处理，从而使供体杂质注入区域（3）中的第IV族元素活化而形成高供体浓度区域的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种Ga2O3系单晶体的供体浓度控制方法，包括：利用离子注入法向Ga2O3系单晶体导入第IV族元素作为供体杂质，在所述Ga2O3系单晶体中形成供体杂质注入区域的工序，该供体杂质注入区域的所述第IV族元素的浓度比未注入所述第IV族元素的区域高，和通过800℃以上的退火处理，使所述供体杂质注入区域中的所述第IV族元素活化而形成高供体浓度区域的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木公平，
申请(专利权)人：株式会社田村制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP