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本发明提供能够在Ga2O3系单晶体中形成具有优异导电性的区域的、使用了离子注入法的Ga2O3系单晶体的供体浓度控制方法。通过如下方法来控制Ga2O3系单晶体（1）的供体浓度，所述方法包括：利用离子注入法向Ga2O3系单晶体（1）导入第IV族...
该专利属于株式会社田村制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社田村制作所授权不得商用。

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