本发明提供一种超结半导体结构及其制备方法。超结半导体结构包括：衬底层；位于衬底层上层叠设置的漂移层和电流扩展层，漂移层中具有若干个间隔设置的掺杂柱，衬底层上包括元胞区和包围元胞区的终端区；位于元胞区的掺杂柱自漂移层靠近衬底层的一侧表面延...

本发明涉及半导体技术领域，公开一种半导体结构和半导体器件。半导体结构包括：半导体衬底层；位于半导体衬底层的第一表面依次层叠设置的缓冲层和漂移层；缓冲层的掺杂浓度自半导体衬底层至所述漂移层的方向上递减；第一掺杂区，位于缓冲层中；其中，缓冲...