本发明公开一种碳化硅半导体结构的制备方法和碳化硅半导体结构。碳化硅半导体结构的制备方法包括：在碳化硅层表面形成的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层；第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的厚度均为纳米级，第二欧姆接触层的熔点小于第一欧姆接触层的熔点...

本发明的组合式晶闸管驱动器，包括一个或多个第一功能模块，所述第一功能模块包括电路板及封装所述电路板的装载壳体，所述第一功能模块的第一表面设置有第一连接部，与所述第一表面相对的第二表面设置有第二连接部，其中，所述第一表面上设置有第一联结部...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：衬底层，衬底层包括管芯区和围绕所述管芯区的划片区；位于衬底层上依次层叠设置的第一外延层至第N外延层；划片区上的第一外延层至第N外延层所处的同一位置均具有若干对准标...

本发明涉及半导体技术领域，公开一种半导体的超结结构及其制备方法和半导体结构。半导体的超结结构的制备方法包括：提供衬底；在衬底上形成多层外延层，且在形成的每层外延层上都形成有掺杂区，多层外延层上所处同一位置的掺杂区用于对应形成一个掺杂柱；...

本发明公开了一种分级泄压防爆管壳及功率模块，该分级泄压防爆管壳包括：壳体，适于罩设在芯片外并与基板连接，壳体上设置有分别与壳体内腔连通的泄放通道和泄爆通道；还包括：爆破件，连接于壳体上且用于封堵泄爆通道；当壳体内腔压力低于第一压力阈值时...

本发明涉及半导体技术领域，公开一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：半导体衬底层；位于半导体衬底层上的外延层；位于外延层中的电场屏蔽区和掺杂区，掺杂区位于电场屏蔽区背离半导体衬底层一侧，且外延层背离半导体衬底层的一侧表面暴露出掺杂...

本发明涉及硅衬底表面的铝局部掺杂方法、掺杂铝的硅衬底及PN结。硅衬底表面的铝局部掺杂方法包括：(1)在硅衬底表面沉积氮化硅掩蔽膜；(2)刻蚀氮化硅掩蔽膜层，得到具有掺杂窗口的硅衬底；(3)将金属铝放置于反应管中，反应管升温至第一温度，金...

本发明属于电力电子技术领域，具体涉及一种基于IGCT的固态直流断路器模块，上压板和下压板之间通过螺杆一连接，散热器一的数量比IGCT数量多一个并与IGCT交叠设置，散热器二的数量比快恢复二极管一的数量多一个并与快恢复二极管一交叠设置，散...

本发明提供一种减少SiC材料激光退火析碳量的方法和SiC材料，所述方法包括：步骤(1)：在SiC衬底背面形成硅镍合金层；步骤(2)：在形成的硅镍合金层表面进行激光退火处理，以使硅镍合金层与SiC衬底形成欧姆接触；采用本发明的方法不仅能够...

本发明公开一种半导体器件。半导体器件包括：相互连接的绝缘栅双极晶体管和快恢复二极管，绝缘栅双极晶体管包括：第一元胞结构和第二元胞结构；与第一元胞结构的栅极连接的第一栅极传输线，与第二元胞结构的栅极连接的第二栅极传输线；与第一元胞结构的结...

本公开涉及一种续流器件和功率半导体器件，续流器件，包括有效区和位于有效区外围的终端区，续流器件包括：阳极，位于有效区，阳极包括多个第一P+型掺杂结构，沿与有效区表面平行并且远离有效区中心的方向上，多个第一P+型掺杂结构的宽度呈递减趋势。

本申请提供一种逆导IGBT器件及其制备方法，逆导IGBT器件包括：漂移层；第一电极层；二极管阴极区，位于部分漂移层和第一电极层之间；第一掺杂区，位于部分漂移层和第一电极层之间，第一掺杂区和第一电极层的界面形成肖特基接触，二极管阴极区和第...

本发明提供沟槽型碳化硅栅氧化层的制备工艺、具有栅氧化层的沟槽型碳化硅晶圆和金属氧化物半导体场效应晶体管。首先在沟槽刻蚀完成后，沉积生长一层较薄的氧化层，接着用进行多晶硅沉积，将多晶硅填满整个沟槽，然后采用多晶硅回刻工艺只保留沟槽底部多晶...

本发明涉及一种高温反偏试验方法及冷却方，涉及半导体技术领域。本发明的高温反偏试验方法首先将待测模块加热至预设温度T并保持预设时间，使结温Tj与壳温Tc相同，对待测模块施加预设脉冲电压，采集不同温度T下的漏电流IR数据；然后对得到的漏电流...

本发明创造涉及风速的测量领域，具体涉及了一种风速测量装置、设备及系统。本申请提供了一种风速测量装置，包括：底座、刻度尺组、激光发射器组、平行镜片、支撑柱；每个所述刻度尺组包括有相对安装在所述底座两端的两个刻度尺，且每个所述刻度尺均与所述...

本发明实施例涉及功率半导体可靠性建模领域，公开了一种焊层裂纹演化的分析，包括：在若干裂纹演化时间的表征参数下的焊层样品进行无损伤检测，得到若干无损伤检测图；针对每一无损伤检测图，检测焊层样品的边界点在无损伤检测图中的位置，得到若干边界点...

本发明涉及焊接技术领域，公开一种真空焊接炉及其焊接方法。真空回流焊接炉包括：真空炉；真空炉内设置有镂空托盘和加热部，镂空托盘具有承载待焊接基板的镂空部；加热部位于镂空托盘的与待焊接基板相异的一侧，用于透过镂空部对待焊接基板进行加热。真空...

本发明提供化学镀锌减少色差的方法、化学镀锌装置和化学镀设备，涉及半导体制造技术领域，包括步骤：在化学镀锌槽的槽液中完成晶圆的锌置换后，打开化学镀锌槽的槽盖，吊起晶圆；伸出隔板，将喷水口与槽液隔开；晶圆位于喷水口与隔板之间，喷水口喷出去离...

本发明提供一种衬板焊层热疲劳检测方法、设备、存储介质和计算机程序，该方法包括确定功率器件的待检测参数；基于待检测参数，利用电热仿真模型确定试验设备的试验运行参数；基于试验运行参数运行试验设备，检测衬板焊层的温变速率是否达到目标温变速率；...

本申请实施例涉及半导体器件技术领域，公开一种金属接触层的制备方法及金属接触层结构、半导体器件。该制备方法包括：提供碳化硅衬底，于碳化硅衬底的背面至少依次沉积一次第一金属层和第二金属层；采用纳秒紫外脉冲激光退火工艺对沉积有第一金属层和第二...