本发明属于功率半导体领域，具体涉及一种逆阻型GCT芯片结构，包括并列分布的阴极梳条结构部分和屏蔽型P基区梳条结构部分；阴极梳条结构部分包括从下到上层叠设置的P+阳极发射层、P阳极区、N‑基区、P基区、P+基区和N+发射区；屏蔽型P基区梳...

本发明涉及焊接领域，具体为一种钎焊温度控制装置及方法，该装置包括焊接托盘、独立加热结构、温度传感器和温控系统，产品承托于焊接托盘上方，所述独立加热结构置于产品下方以维持产品温度，所述温度传感器与产品相对安装，用于检测产品温度；所述温控系...

本申请实施例涉及半导体设备技术领域，公开一种真空系统及其控制方法、半导体生产设备。该真空系统包括多组单生产单元真空子系统，每组单生产单元真空子系统包括通过中间管路连通的生产单元装置和真空装置；每组单生产单元真空子系统通过至少一个共用管路...

本申请实施例涉及半导体技术领域，公开一种功率半导体器件、门极换流晶闸管芯片及晶闸管。该功率半导体器件，包括：N‑基区；第一堆叠结构，位于N‑基区的第一面，第一堆叠结构包括N++发射区以及依次层叠于第一面的P基区和P+基区；门极金属层，位...

本申请实施例涉及半导体制造领域，公开了一种滴液监测方法、装置、设备及介质，滴液监测方法包括：发射至少一条激光，至少一条激光光路穿过滴液嘴处未释放的悬垂滴液时所在的区域，且与基准中心轴线垂直，基准中心轴线为滴液垂直滴落时的中心轨迹；接收穿...

本申请提供一种IGBT器件及其制备方法，I GBT器件包括：第一栅极结构和多个间隔的第二栅极结构，所述第一栅极结构位于相邻第二栅极结构之间，在平行于集电掺杂区至漂移层的排布方向上，第一栅极结构的尺寸小于第二栅极结构的尺寸；第一阱区，位于...

本技术提出了一种便于更换的压接式IGBT测试工装，包括：压机上压模块及压机下压模块，待测试的IGBT模块设置在所述压机上压模块与所述压机下压模块之间，其中，所述压机上压模块包括压机上通用工装及位于压机上压块，所述压机上压块与所述压机上通...

本发明提供一种晶圆处理方法，包括：提供晶圆，晶圆具有图形区和包围图形区的测试区；形成测高块，测高块位于测试区的一侧且位于晶圆的正面一侧；在晶圆的正面一侧形成覆盖测高块和图形区的保护膜；测量保护膜的覆盖测高块的部分的上表面具有第一高度；对...

本技术属于IGBT技术领域，具体涉及一种压接式IGBT子单元及压接式IGBT模块，集电极导电板内部设置数条流道，数条流道在集电极导电板内部沿集电极导电板的长度和/或宽度方向延伸设置，且两两相邻的流道之间连通，数条流道内设置有相变工质，芯...

本发明属于芯片封装技术领域，具体涉及一种用于半导体芯片封装的定位工装，包括：定位底板和定位顶板；定位底板具有至少一个定位孔一，定位孔一用于放置发射极钼片、焊片和芯片；定位顶板具有至少一个与定位孔一适配的定位孔二，定位孔二用于放置另一焊片...

本申请实施例涉及半导体技术领域，公开一种半导体终端结构及半导体器件。该半导体终端结构包括：衬底；外延层，位于衬底上方，外延层具有第一离子掺杂类型；多个结终端扩展层，形成于外延层内，多个结终端扩展层具有第二离子掺杂类型；多个结终端扩展层将...

本发明涉及半导体技术领域，公开一种半导体器件及其制备方法。半导体器件，包括：衬底层；位于衬底层上的外延层，外延层包括终端区和包围终端区的划片道区；位于划片道区中且延伸至部分终端区中的掺杂区，掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区；第一掺杂区和...

本申请属于功率半导体领域，具体涉及一种Pin针直出的子功率模块及三相全桥功率模块，包括绝缘板、多个IGBT芯片、多个FRD芯片、多个金属片和多个Pin针，绝缘板上设有多个集电极连接板和多个发射极连接板，一个IGBT芯片和一个FRD芯片为...

本申请实施例涉及半导体技术领域，公开一种半导体器件结构及其制备方法。半导体器件结构包括：基底以及设置其上方的漂移区；多个第一掺杂类型柱和多个栅极结构，多个第一掺杂类型柱位于漂移区中，且沿平行于基底表面的方向间隔设置；漂移区和第一掺杂类型...

本发明涉及一种焊接工装及真空回流焊接设备，涉及回流焊技术领域。本发明的焊接工装用于真空回流焊接设备中，以支撑并加热待焊接基板，其包括：用于加热的热板；至少两个相互间隔的导热块，导热块安装于热板，至少存在两个导热块之间的间距小于待焊接基板...

本申请实施例涉及半导体技术领域，公开一种晶体管器件结构及其制备方法、半导体器件结构。该制备方法包括提供碳化硅外延片；采用第一沉积工艺在碳化硅外延片上形成第一栅氧层并对其进行氮化退火处理；采用第二沉积工艺在第一栅氧层上形成第二栅氧层并对其...

本申请实施例涉及半导体技术领域，公开一种碳化硅器件的元胞结构及其制备方法、碳化硅器件。其中，一种碳化硅器件的元胞结构包括：衬底；位于衬底上方的漂移层；多个屏蔽区和阱区；源区位于阱区表面；多个第一栅极结构和第二栅极结构；屏蔽区至少包围每个...

本技术属于晶圆加工技术领域，具体涉及一种晶圆传送装置及加工设备，花篮用于容纳晶圆，机械臂用于拾取及移动晶圆，校正组件包括升降机构一和侧推机构，升降机构一用于驱动侧推机构升降，侧推机构用于沿花篮供晶圆移入和移出的一侧向花篮内部的方向推动，...

本申请实施例涉及半导体技术领域，公开一种半导体结构及其制备方法、半导体器件。其中，半导体结构包括基底；源区，位于基底上方，源区内设置有多个体二极管源极接触区；体二极管源极接触区的离子类型与源区的离子类型不同，以在垂直于基底的方向上形成P...

本发明涉及半导体技术领域，公开一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括衬底层；位于衬底层上且沿第一方向延伸的第一栅极和第一绝缘介质层，第一绝缘介质层覆盖于第一栅极的上表面和侧表面；第二绝缘介质层，位于第一绝缘介质层背离衬底层的一侧且沿...