本发明提供一种光线用的移相掩模，其中，掩模图形具有至少由不少于３条的移相线构成的交点，以该交点为中心的圆形区域的复数透射率的积分值大致为０。

提供一种具有高产量的激光结晶装置和结晶方法。具有预定光强度分布的激光照射至半导体膜上以熔化和结晶，其中以高定位精度非常快地设置照射位置，由此形成具有大晶粒尺寸的半导体膜。根据本发明的一个方面的激光结晶装置包括结晶激光光源（２１）、将脉冲...

提供一种具有高产量的激光结晶装置和结晶方法。具有预定光强度分布的激光照射至半导体膜上以熔化和结晶，其中以高定位精度非常快地定位照射位置，由此形成具有大晶粒尺寸的半导体膜。根据本发明的一个方面的激光结晶装置包括结晶激光光源（２１）、调制激...

一种光照射装置，其用具有预定光强度分布的光照射目标平面。该装置包括：具有由原始变换矢量（ａ１，ａ２）表示的周期结构的光调制模式的光调制元件；用所述光照明所述光调制元件的照明系统；以及用于在目标平面上形成由所述光调制模式获得的所述光的所述...

一种光照射装置包括光调制元件，该元件对入射光的相位进行调制，从中发射已调制光；以及图像形成光学系统，排列在所述光调制元件和所述照射目标平面之间，并且形成所发射的光的图像，利用具有所述预定光强度的光照射所述照射目标平面。所述光调制元件在一...

本发明提供一种半导体装置、退火方法、退火装置和显示装置。本发明的半导体装置具有在同一基片上的半导体装置电路内有２种以上平均晶粒直径的半导体层。

本发明提供一种半导体装置、退火方法、退火装置和显示装置。本发明的半导体装置具有在同一基片上的半导体装置电路内有２种以上平均晶粒直径的半导体层。

本发明涉及薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法。横向双极晶体管（１００）包括在形成在绝缘基片（１０１）上的半导体薄膜（１０５）中形成的发射极（１０２）、基极（１０３）和集电极（１０４），在该横向双极晶体管（１００）中，半导...

一种结晶装置，它包括：掩膜（１）；以及照明系统（２），该照明系统（２）利用一光束照射该掩膜，照明系统发出的光透过该掩膜时变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束，并照射一多晶半导体膜或一非晶态半导体膜，由此产生一晶化半导体膜。该掩膜（１...

本发明涉及采用形成于绝缘衬底上的薄膜晶体管构造的电子装置、显示装置、接口电路和差分放大装置。一种集成电路形成于包括显示装置的绝缘衬底上，其被配置为同时集成ＭＯＳ晶体管和双极晶体管。一种电子装置或显示器包括多个半导体器件，所述多个半导体器...

一种光学装置，包括：第一柱面透镜阵列（３３ａ、３４ａ），其中设置多个第一透镜部分（Ｌ），每个所述第一透镜部分具有第一曲率半径和第一宽度以便将激光分成多个光分量；以及多个第二透镜部分（Ｓ、Ｓ１、Ｓ２），每个所述第二透镜部分具有第二曲率半径...

本发明公开了一种光照射装置及方法、结晶装置及方法、设备和光调制元件。光照射装置包括光调制元件（１），调制入射光束的相位以便获得具有最小光强的底部的Ｖ形光强分布，以及成像光学系统（３），以在照射目标表面上提供Ｖ形光强分布的方式，将所调制的...

根据本发明的互连形成方法，包括：在绝缘膜（１３）上形成金属扩散阻挡膜（１４）的步骤；利用无电镀工艺在金属扩散阻挡膜（１４）上选择性地形成金属晶种层（１８）的步骤；利用电镀工艺在金属晶种层（１８）上选择性地形成金属导电层（２０）的步骤；以...

本发明提供一种显示装置和显示方法，其中要被解压缩的压缩图像数据可以在不能总是保证足够的传输能力的环境中传输给该显示装置，同时可保证有良好的图像质量。这种显示装置的一个示例是通过使用形成在绝缘基板（２０１）上的薄膜晶体管（２２４）形成的有...

本发明提供具有更为稳定的输入输出保护功能的液晶显示装置的输入输出保护电路。本发明的输入输出保护电路，具有设置于输入输出端子垫片（１１）和输入输出第一级ＴＦＴ（１２）之间的电阻（１３）、连接输入输出端子垫片（１１）和电阻（１３）的配线、在...

公开了一种仿真设备，其包括输入单元（１１）、存储单元（１２）、算术单元（１６）、控制器（１５）、以及输出单元（１７）。输入单元输入面对栅极的薄多晶硅膜表面上的对应于ＴＦＴ的栅极端的源极端出的第一电势（φ↓［Ｓ０］）、其上形成栅极的薄多晶...

本发明提供对曝光对象面进行曝光用的方法和在该方法中被使用的网目调型移相掩模。网目调型移相掩模具有容许从光源发射的光通过的基准区域和容许上述光的一部分通过的振幅相位调制区域。网目调型移相掩模的振幅相位调制区域对于基准区域的相位调制量是｛３...

一种光学记录技术，具有将光源发出的光转换成包括一个振幅调制光和一个相位调制光的调制光以及调制光在物体表面成像的特征。

本发明的目的，是在于将用以支持屏蔽以及感光材所需的空间更为缩小。本发明的曝光方法包括：使来自曝光用光源的光的至少一部分，入射到支持于支持装置的前述屏蔽的入射步骤；以及引导来自前述屏蔽的反射光，使其成像在支持于前述支持装置的前述感光材，从...

提供对曝光对象面进行曝光用的方法和在该方法中被使用的网目调型移相掩模。网目调型移相掩模具有容许从光源发射的光通过的基准区域和容许上述光的一部分通过的振幅相位调制区域。网目调型移相掩模的振幅相位调制区域对于基准区域的相位调制量是｛３６０°...