光照射装置、光照射方法、结晶化装置、结晶化方法、以及半导体器件制造方法及图纸

一种光照射装置，其用具有预定光强度分布的光照射目标平面。该装置包括：具有由原始变换矢量（ａ１，ａ２）表示的周期结构的光调制模式的光调制元件；用所述光照明所述光调制元件的照明系统；以及用于在目标平面上形成由所述光调制模式获得的所述光的所述预定光强度分布的图像形成光学系统。所述照明系统的出瞳的形状类似于利用下面公式从所述原始变换矢量（ａ１，ａ２）得到的原始倒易点阵矢量（ｂ１，ｂ２）的维格纳－赛茨元胞：ｂ１＝２π（ａ２×ａ３）／（ａ１.（ａ２×ａ３））以及ｂ２＝２π（ａ３×ａ１）／（ａ１.（ａ２×ａ３））其中ａ３是所述光调制元件的光调制模式平面的垂直方向上具有任意大小的矢量，“.”是矢量的内积，“×”是矢量的外积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光照射装置、光照射方法、结晶化装置、结晶化方法，并涉及例如用具有预定光强度分布的激光束照射非单晶半导体膜以产生结晶化的半导体膜。
技术介绍
用于如选择液晶显示屏(LCD)的显示象素的开关单元的薄膜晶体管(TFT)等传统地由非结晶硅或者多晶硅形成。众所周知的是，多晶硅的电子或者空穴的移动性比非结晶硅高。因此，当晶体管由多晶硅形成时，开关速度变得更快，显示响应速度也变得比晶体管由非结晶硅形成的例子更高。此外，放置在器件周边的LSI，如驱动电路或者DAC，可以包括薄膜晶体管，以更高速地度工作。此外，还有例如降低其他元件的设计裕量的益处。因为多晶硅由晶粒聚集而成，当如TFT晶体管的开关晶体管由多晶硅形成时，晶粒边界自然地出现在晶体管的沟道区域。这些晶粒边界作为势垒，因此电子或者空穴的移动性比由单晶硅形成的TFT晶体管较低。对于许多分别由多晶硅形成的薄膜晶体管，在沟道区域形成的晶粒边界数根据每个薄膜晶体管而不同。在液晶显示屏使用这种晶体管时，这种区别造成不均匀，从而导致显示不均匀的问题。因此，为了改进电子和空穴的移动性并降低沟道区域的晶粒边界数目的不均匀，提出了产生颗粒直径的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光照射装置，其使用具有预定光强度分布的光照射一照射目标平面，包括：　　　　光调制元件，其具有由原始变换矢量（ａ１，ａ２）表示的周期结构的光调制模式；　　　　照明系统，其具有出瞳并且用所述光照明所述光调制元件；以及　　　　图像形成光学系统，其放置在所述光调制元件和所述照射目标平面之间，以在所述照射目标平面上形成由所述光调制模式获得的所述光的所述预定光强度分布，　　　　其中，所述照明系统的所述出瞳的形状类似于利用下面公式从所述原始变换矢量（ａ１，ａ２）得到的原始倒易点阵矢量（ｂ１，ｂ２）的维格纳一赛茨元胞：　　　　ｂ１＝２π（ａ２×ａ３）／（ａ１.（ａ２×ａ３））以及　　　　ｂ２＝２π（ａ３×...

【技术特征摘要】
JP 2006-3-17 073970/20061.一种光照射装置，其使用具有预定光强度分布的光照射一照射目标平面，包括光调制元件，其具有由原始变换矢量(a1，a2)表示的周期结构的光调制模式；照明系统，其具有出瞳并且用所述光照明所述光调制元件；以及图像形成光学系统，其放置在所述光调制元件和所述照射目标平面之间，以在所述照射目标平面上形成由所述光调制模式获得的所述光的所述预定光强度分布，其中，所述照明系统的所述出瞳的形状类似于利用下面公式从所述原始变换矢量(a1，a2)得到的原始倒易点阵矢量(b1，b2)的维格纳一赛茨元胞b1＝2π(a2×a3)/(a1·(a2×a3))以及b2＝2π(a3×a1)/(a1·(a2×a3))其中a3是所述光调制元件的光调制模式平面的垂直方向上具有任意大小的矢量，“·”是该矢量的内积，“×”是该矢量的外积。2.一种光照射装置，其用具有预定光强度分布的光照射一照射目标平面，包括光调制元件，其具有由原始变换矢量(a1，a2)表示的周期结构的光调制模式；照明系统，其具有出瞳并且照明所述光调制元件；以及图像形成光学系统，其放置在所述光调制元件和所述照射目标平面之间，以在所述照射目标平面上形成对应于所述光调制模式的所述光的所述预定光强度分布，其中，所述照明系统的所述出瞳的形状相对于利用下面公式从所述原始变换矢量(a1，a2)得到的原始倒易点阵矢量(b1，b2)的方向而言不是凸起的b1＝2π(a2×a3)/(a1·(a2×a3))以及b2＝2π(a3×a1)/(a1·(a2×a3))其中a3是所述光调制元件的光调制模式平面的垂直方向上具有任意大小的矢量，“·”是该矢量的内积，“...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷口幸夫，
申请(专利权)人：株式会社液晶先端技术开发中心，
类型：发明
国别省市：JP[日本]