一种在绝缘基底（１３）上设置的互连，其特征在于，该互连具有由金属扩散阻挡膜（１４）、在金属扩散阻挡膜（１４）上设置的金属晶种层（１８）和在金属晶种层（１８）上设置的金属导电层（２０）构成的三层结构，所述金属扩散阻挡膜（１４）设置在绝缘基...

一种结晶装置，其特征在于，具备：照明系统（２），其照射使非单晶半导体膜结晶的照明光；以及相位转换构件（１），该相位转换构件（１）包括以形成直线边界（１０ａ）的方式邻接、且以第１相位差透过从上述照明系统（２）来的照明光的第１和第２区域（１...

一种结晶装置，包括一个图象形成光学系统（３），该系统具有一个图像侧数值孔径，该孔径被设定为一个生成一个具有一反峰值图形的光强分布所需的值，并将一个非晶形半导体薄膜与一个相移掩模设置成一种光学上的共轭关系。相移掩模具有一个沿第一轴线延伸的...

一种半导体装置，其特征在于：在同一基片上的半导体元件电路内具有包括２种以上的平均晶粒直径的半导体层。

一种等离子处理装置，其特征在于，包含：　　　　至少具有一个开口并生成等离子体的容器；　　　　以将所述开口予以气密覆盖的方式设置的电介质构件；　　　　　以一端侧与所述电介质构件相对向的方式设置在所述容器外部的至少一个波导管；　　　　设置在...

一种结晶装置，它包括：一掩膜（１）；以及一照明系统（２），该照明系统（２）利用一光束照射该掩膜，该照明系统发出的光透过该掩膜时变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束，并照射一多晶半导体膜或一非晶态半导体膜，由此产生一晶化半导体膜，　　...

一种电介体膜，其特征在于，在玻璃基板或塑料基板上的至少其中一部份，直接或间接形成的电介体膜，此电介体膜至少在膜厚方向的其中一部份，含有硅与氧组成比为（１∶１．９４）至（１∶２）的氧化硅。

一种制造薄膜半导体器件的方法包括：在基层上形成非单晶半导体薄膜的步骤；以及用能量射束照射该非单晶半导体薄膜的退火步骤，以便提高构成该非单晶半导体薄膜的非单晶半导体的结晶度。该退火步骤包括用多个能量射束同时照射非单晶半导体薄膜，以便形成多...

在激光装置（１）的前面经由光束扩展器（２）、均化器（３）和反射镜（４）来布置移相掩模（５），其间插入成像光学系统（６），在移相掩模（５）的对面设置被处理基片（７）。被处理基片（７）被真空吸盘和静电吸盘等基片吸盘（８）等保持在规定的位置上。

公开了一种膜形成方法、半导体器件和显示器件及其制造方法，包括向等离子体处理室（１１）内输送包括硅化合物气体、氧化气体和稀有气体的至少三种气体，以总压力为基础的稀有气体的分压百分比（Ｐｒ）不小于８５％，即８５％≤Ｐｒ＜１００％；和在等离子...

一种形成结晶半导体层（１５）的方法，包括制备其中至少形成一个种晶（１３）的非单晶半导体层（１４），用能量射线照射该具有种晶（１３）在其中形成的非单晶半导体层（１４），使得晶体在非单晶半导体层（１４）中从种晶（１３）横向增长，通过将具有最...

在以高空间分辨率和高时间分辨率实时监视的同时，使一个半导体薄膜结晶的一种激光结晶装置（１）和方法。在一个包括用一束具有光强分布的脉冲激光照射一个半导体薄从而使该薄膜融化和以横向生长晶粒的方式结晶的结晶光学系统（２０）的激光结晶装置（１）...

一种薄膜半导体衬底，包括绝缘衬底（１０）、形成在绝缘衬底（１０）上的非晶半导体薄膜（１４）、以及位于半导体薄膜（１４）上并指示晶化参考位置的多个对准标记（ＭＫ）。

本发明提供结晶装置、结晶方法。本发明的结晶装置具备照明光学系统（２）、以及将来自上述照明光学系统的光束调制成预定光强度分布的移相器（１），将被光调制的光束照射至多晶半导体膜或非晶质半导体膜（４）来生成晶体半导体膜。上述照明光学系统（２）...

本发明提供一种晶化方法、一种晶化设备、一种薄膜晶体管和一种显示设备，该晶化方法可以设计出在衬底的入射表面上优化的光强度和分布（ＢＰ）的激光束、形成所需的结晶结构同时抑制产生任何其它不需要的结构区域并满足低温处理的需要。当通过将激光束辐照...

本发明包括：具有第一元件（１）和第二元件（２）的光调制光学系统，所述第一元件对入射光束形成所希望的光强梯度分布，所述第二元件对其形成所希望的具有反向峰值形状的光强最小分布；以及一个图像形成光学系统（４），该图像形成光学系统设置在光调制光...

本发明提供布线金属层的形成方法、选择性形成金属的方法、选择性形成金属的装置以及用以在积层板上的选择区域形成布线金属层的基板装置，包括有：在配置有积层板（１０３）的反应室（１０１）内导入有机金属分子气体，而在所述积层板上形成由所述有机金属...

本发明提供一种薄膜晶体管、电路装置及液晶显示器，该薄膜晶体管包含有：导电型半导体层（１１）；在该半导体层内设置有相互隔离的源极区域（１２）与汲极区域（１３）；在该半导体层上或者该半导体层下隔着绝缘膜设置有闸极（１４），该薄膜晶体管中，上...

一种电子器件的制造方法，包括相对于结晶设备的衬底台（５）对经过处理的衬底（４）进行定位和用预先设置在经过处理的衬底上的用作参考物的至少一个定位标记（４ａ、４ｂ）支撑它，向由衬底台支撑的经过处理的衬底的预定区域施加被调制光束并使该区域结晶...

一种结晶装置包括照射一块移相掩模版（１）的照明系统（２）和布置在所述移相掩模版和一层半导体膜（４）之间的光学路径中的图像形成光学系统（３）。用具有反向峰值图形部分的光强分布的光束照射所述半导体膜，所述光强分布的光强在对应于移相区的部分中...