一种光照射装置包括光调制元件（１），调制入射光束的相位以便获得具有最小光强的底部的Ｖ形光强分布，以及成像光学系统（３），以在照射目标表面上提供Ｖ形光强分布的方式，将所调制的光束从光调制元件施加到照射目标表面（４）上。光调制元件具有一复振...

一种光施加装置，包括具有多个相位台阶的光学调制元件（１），由所述相位台阶对进入所述光学调制元件的光束进行相位调制，并从所述光学调制元件出射，来作为具有第一光强度分布的光束。光学系统（２、４）布置在所述光学调制元件与一个预定平面（５）之间...

利用一种等离子体膜成形装置（１ａ）形成一个绝缘膜（１０１），该等离子体膜成形装置（１ａ）包括具有电磁波入射面Ｆ的真空容器（２）、制作在该真空容器（２）中的第一注气孔（４２），以及在该真空容器（２）中制作的第二注气孔（５２），该第二注气孔...

第一光学调制元件用光束照射非单晶物质，由此熔化该物质，其中所述光束将具有通过调制入射的第一光束的强度而获得的在非单晶物质上的第一光强分布。第二光学调制元件用光束照射该物质，由此熔化该物质，其中所述光束将具有通过调制入射的第二光束的强度而...

本发明公开了一种激光结晶设备（１），其能够以几μｍ的高空间分辨率和几纳秒的高瞬时分辨率进行观察，该设备包括用于将激光照射到设置在衬底（２６）上的薄膜并熔化和结晶该薄膜的结晶光学系统（２），所述激光结晶设备（１）包括：照明光源（３１），设...

一种薄膜晶体管电路包括被二维地分割成晶粒限定区域（１０）的结晶半导体薄膜（５），每个晶粒限定区域（１０）容纳比预定尺寸大的晶粒（ＳＸ）；薄膜晶体管，每个薄膜晶体管具有位于相应一个晶粒限定区域（１０）的中心位置上的沟道区；以及与薄膜晶体管...

一种半导体装置（３），其中基本上整个沟道区（１８）为局部耗尽型，包括在基板（１０）的一个表面侧上设置的半导体层（１４），在半导体层（１４）中设置的具有第一导电类型的沟道区（１８），在半导体层中设置的具有第二导电类型的高浓度扩散区（２８、...

本发明涉及一种结晶方法，该方法使移相器（６）将从受基准分子激光器单元２射出的波长为２４８ｎｍ或３００ｎｍ或更长的激光束相位调制为具有在横截面内包含多个倒三角形峰值图形的光强度分布的激光束并且将脉冲激光束照射到用于结晶的要被结晶的衬底（８...

一种半导体器件的制造方法，包括：利用通过光学调制器调制以使其具有光强度分布的激光束照射非单晶半导体膜的待结晶区域，以使该区域结晶，所述光强度分布具有最小光强度线或者最小光强度点；以及通过将来自闪光灯的光照射到结晶区域来加热结晶区域。

一种光照设备，包括：光调制元件（１），该元件具有相位阶梯，该相位阶梯具有远远不同于１８０°的相差；光照光学系统（１０），该系统照射光调制元件；和成像光学系统（４），基于由光调制元件进行了相位调制的光束该系统在照射表面上形成光强度分布。光...

本发明的结晶设备用具有预定光强分布的光通量照射非单晶半导体膜（５），从而使该膜结晶，并且本发明的结晶设备包括含有多个以一定周期排列并且互相具有基本相同图案的单位区域的调相装置（１），以及布置在所述调相装置和所述非单晶半导体膜之间的光学成...

一种光照设备，包括具有相位调制区的光调制元件（１），其中相位调制区具有至少一个用于调制光束的基本图案；照射系统（２），其用光束照射光调制元件的相位调制区；以及图像形成光学系统（３），使在照射目标表面上具有光强分布的光束落到照射目标物体（...

本发明提供具有更为稳定的输入输出保护功能的液晶显示装置的输入输出保护电路。本发明的输入输出保护电路，具有设置于输入输出端子垫片（１１）和输入输出第一级ＴＦＴ（１２）之间的电阻（１３）、连接输入输出端子垫片（１１）和电阻（１３）的配线、在...

本发明的课题在于形成完全贯通抗蚀剂的接触孔。薄膜晶体管的制造方法都包含在经掩模将来自光源的光线照射到玻璃基板的抗蚀剂上后对该抗蚀剂进行显影而在上述抗蚀剂上形成接触孔的工序，使用ｉ线作为上述光线。

本发明的目标是提供一种用于激光退火的移相器，其能够有效地防止颗粒的附着。第一层（１）和第三层（３）由石英玻璃制成，并且在这些层（１、３）的表面中形成细沟槽（５、６）的两维图案。将第一层（１）和第三层（３）设置成使得在使设有沟槽（５、６）...

本发明提供呈现出较高电子（或空穴）迁移率的薄膜晶体管、用于制造薄膜晶体管的方法、以及使用该薄膜晶体管的显示器。本发明提供一种薄膜晶体管，其在晶体沿水平方向生长的半导体薄膜（４ａ）中具有源极区（Ｓ）、沟道区（Ｃ）和漏极区（Ｄ），该薄膜晶体...

本发明提供呈现出更高电子或空穴迁移率的薄膜晶体管（ＴＦＴ）、用于制造该薄膜晶体管的方法以及使用该薄膜晶体管的显示器。因此，本发明提供一种薄膜晶体管，其在半导体薄膜（４ａ）中具有源极区（Ｓ）、沟道区（Ｃ）和漏极区（Ｄ），该半导体薄膜（４ａ...

本发明的目的在于提供一种具有高迁移率并且迁移率或阈电压特性波动很小的薄膜晶体管。厚度小于５０ｎｍ并且设置在绝缘衬底（１）上的非单晶半导体薄膜（３）用具有反峰构图光强分布的激光照射以在横向单向地生长晶体。因此，在晶体生长方向具有比宽度长的...

一种形成布线结构的方法包括：在衬底（１）上形成金属层（６），并且通过用从至少一个闪光管发射的光（１０３ｂ）照射金属层来使金属层退火，由此生长金属层的晶粒。

一种制造薄膜半导体器件的方法包括：在基层上形成非单晶半导体薄膜的步骤；以及用能量射束照射该非单晶半导体薄膜的退火步骤，以便提高构成该非单晶半导体薄膜的非单晶半导体的结晶度。该退火步骤包括用多个能量射束同时照射非单晶半导体薄膜，以便形成多...