该二极管具有无掺杂GaN层(11)、无掺杂GaN层上的Al

该常关型极化超结GaN基场效应晶体管具有：未掺杂GaN层11、Al

提供抑制电流崩塌并且实现薄层载流子浓度的提高的半导体元件以及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第一中间层(150)、第二中间层(160)、源极电...

该常关型极化超结GaN系FET具有依次层叠的未掺杂GaN层11、Al

本技术的目的在于提供耐压性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1...

本技术的目的在于提供至少一个以上的电气特性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上...

本技术的目的在于提供至少一个以上的电气特性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上...

本技术的目的在于提供耐压性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1...

二极管由双栅PSJ

一种半导体封装体，具备：半导体芯片(C)，在绝缘基板(10)的第1主面上设置有构成三端子半导体元件的半导体层(20)，在半导体层(20)上以三角形配置有源极(30)、漏极(40)及栅极；电极焊盘(60、70)等，分别与源极(30)、漏极...