半导体元件以及装置制造方法及图纸

提供抑制电流崩塌并且实现薄层载流子浓度的提高的半导体元件以及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第一中间层(150)、第二中间层(160)、源极电极(S1)、漏极电极(D1)及栅极电极(G1)。第二半导体层(120)的带隙大于第一半导体层(110)及第三半导体层(130)的带隙。夹着第二半导体层(120)的第一中间层(150)及第二中间层(160)的带隙大于第二半导体层(120)的带隙。(160)的带隙大于第二半导体层(120)的带隙。(160)的带隙大于第二半导体层(120)的带隙。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体元件以及装置


[0001]本说明书的
涉及半导体元件以及装置。

技术介绍

[0002]以GaN为代表的III族氮化物半导体具备高的击穿电场和高熔点。因此，III族氮化物半导体有望作为代替GaAs系半导体的高输出、高频、高温用的半导体器件的材料。因此，正在研究开发使用III族氮化物半导体的HEMT元件等。
[0003]例如，在专利文献1中，公开了一种通过极化结使电子及空穴同时产生的技术(参照专利文献1的图4等)。另外，在专利文献2中，公开了一种依次形成GaN层、AlGaN层、GaN层、p型GaN层的技术(专利文献2的第[0034]段)。由此，公开了一种将p型GaN层的价带的上端的能量Ev提高至费米能级Ef，产生2维空穴气的技术。
[0004]专利文献1：日本特开2007
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134607号公报
[0005]专利文献2：WO2011/162243
[0006]半导体元件一般要求优异的电气特性。作为这样的电气特性，例如，可举出高的耐压性、低的导通电阻、短的响应时间、对大电流的应对性、漏电流的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体元件，其特征在于，具有：第一半导体层；比所述第一半导体层靠上层的第二半导体层；比所述第二半导体层靠上层的第三半导体层；比所述第三半导体层靠上层的第四半导体层；所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第一中间层；所述第二半导体层与所述第三半导体层之间的第二中间层；所述第二半导体层或所述第三半导体层之上的源极电极及漏极电极；所述第四半导体层之上的栅极电极；所述栅极电极与所述第四半导体层接触的栅极电极接触区域；所述源极电极与所述第二半导体层或所述第三半导体层接触的源极电极接触区域；以及所述漏极电极与所述第二半导体层或所述第三半导体层接触的漏极电极接触区域，所述第一半导体层、所述第二半导体层、所述第三半导体层及所述第四半导体层为III族氮化物半导体层，所述第一中间层和所述第二中间层为III族氮化物层，所述第二半导体层的带隙大于所述第一半导体层及所述第三半导体层的带隙，所述第一中间层及所述第二中间层的带隙大于所述第二半导体层的带隙，所述第一半导体层、所述第二半导体层及所述第三半导体层为未掺杂的半导体层，所述第四半导体层为p型半导体层，将所述栅极电极接触区域投影到所述第二半导体层而得的区域包围将所述源极电极接触区域或所述漏极电极接触区域投影到所述第二半导体层而得的区域的周围。2.一种半导体元件，其特征在于，具有：第一半导体层；比所述第一半导体层靠上层的第二半导体层；比所述第二半导体层靠上层的第三半导体层；比所述第三半导体层靠上层的第四半导体层；所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第一中间层；所述第二半导体层与所述第三半导体层之间的第二中间层；所述第二半导体层之上的阴极电极；所述第四半导体层之上的阳极电极；所述阴极电极与所述第二半导体层接触的阴极电极接触区域；以及所述阳极电极与所述第四半导体层接触的阳极电极接触区域，所述第一半导体层、所述第二半导体层、所述第三半导体层及所述第四半导体层为III族氮化物半导体层，所述第一中间层和所述第二中间层为III族氮化物层，所述第二半导体层的带隙大于所述第一半导体层及所述第三半导体层的带隙，所述第一中间层及所述第二中间层的带隙大于所述第二半导体层的带隙，所述第一半导体层、所述第二半导体层及所述第三半导体层为未...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤寿朗，奥野浩司，篠田大辅，上村俊也，成井启修，河合弘治，八木修一，
申请(专利权)人：株式会社POWDEC，
类型：发明
国别省市：