高压MOSFET装置、制造方法及器件制造方法及图纸

本申请提出了一种高压MOSFET装置、制造方法及器件。所述装置包括：具有第一电导率的基底，形成在基底上的具有第二电导率的漂移层，形成在漂移层中的具有第一电导率的体区；形成在体区中的具有第二电导率的源区，形成在漂移层中的具有第二电导率的漏区，形成在体区和漂移层上的栅极电介质层，形成在栅极电介质层上的栅极，从漂移层的顶面延伸到栅极的顶面的第一电介质层，和形成在第一电介质层上的场板缝隙结构，其中场板缝隙结构包括多个缝隙。其中场板缝隙结构包括多个缝隙。其中场板缝隙结构包括多个缝隙。

【技术实现步骤摘要】
高压MOSFET装置、制造方法及器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2022年1月31日提交的名称为“高压MOSFET装置”的63/267,310号美国申请的权益，以及2023年1月10日提交的名称为“高压MOSFET装置”的18/152,251号美国申请的权益，且通过引用将该些申请合并于此。


[0003]本专利技术涉及一种MOSFET器件，以及在特定的实施例中，涉及包括具有多个场板缝隙的结构的高压MOSFET器件。

技术介绍

[0004]随着半导体技术的发展，金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)已广泛用于集成电路。MOSFET是一种电压控制器件。当在MOSFET的栅极上施加控制电压并且控制电压大于MOSFET的阈值时，MOSFET的漏极和源极之间建立导电沟道。在建立导电沟道后，电流会在MOSFET的漏极和源极之间流动。另一方面，当施加到栅极的控制电压小于MOSFET的阈值时，MOSFET相应地关闭本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压MOSFET装置，包括：具有第一电导率的基底；形成在所述基底上的具有第二电导率的漂移层；形成在所述漂移层中的具有第一电导率的体区；形成在所述体区中的具有第二电导率的源区；形成在所述漂移层中的具有第二电导率的漏区；形成在所述体区和所述漂移层上的栅极电介质层；形成在所述栅极电介质层上的栅极；从所述漂移层的顶面延伸到所述栅极的顶面的第一电介质层；和形成在所述第一电介质层上的场板缝隙结构，其中所述场板缝隙结构包括多个缝隙。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个缝隙通过形成在所述多个缝隙上的金属线连接到所述源区。3.根据权利要求1所述的装置，还包括：在基底和漂移层之间的具有第二电导率的掩埋层；形成在所述栅极上的第二电介质层；以及形成在第二电介质层中的源极接触插塞、所述多个缝隙和漏极接触插塞，其中所述源极接触插塞、所述多个缝隙和所述漏极接触插塞是由同一导电材料形成。4.根据权利要求1所述的装置，还包括：形成在所述体区中的具有第一电导率的体接触区，其中所述体接触区和所述源区相互电性连接。5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电导率类型是P型，且所述第二电导率类型是N型。6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电介质层是硅化物阻隔层。7.根据权利要求1所述的装置，还包括：第一连接条，配置为连接所述多个缝隙的左端；以及第二连接条，配置为连接所述多个缝隙的右端。8.根据权利要求1所述的装置，还包括：多个连接条，以交替的方式连接到所述多个缝隙的左端和右端。9.根据权利要求1所述的装置，还包括：在所述多个缝隙的中点上的连接条，其中所述多个缝隙通过所述连接条相互电性连接。10.一种高压MOSFET装置的制造方法，包括：在基底上形成栅极；形成从漂移层的顶面延伸到所述栅极的顶面的电介质层；在所述电介质层上形成层间电介质层；蚀刻所述层间电介质层以在所述层间电介质层中形成多个开口；用导电材料填充所述多个开口以形成场板缝隙结构和多个接触插塞，其中所述场板缝隙结构包括多个缝隙；以及
对所述层间电介质层的顶面进行平面化处理，以便去除多余的材料。11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括在基底上生...

【专利技术属性】
技术研发人员：林中，乐薇，吴永杰，
申请(专利权)人：伏达半导体合肥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：