一种存储器、环栅场效应晶体管以及制备方法技术

本申请提供一种存储器、环栅场效应晶体管以及制备方法。该存储器可以包括：存储矩阵、至少一根源极线、至少一根字线和至少一根位线；存储矩阵包括多个环栅场效应晶体管；至少一根字线连接多个环栅场效应晶体管的栅极，至少一根源极线连接多个环栅场效应晶体管的源极，至少一根位线连接多个环栅场效应晶体管的漏极；其中，环栅场效应晶体管的纳米线的材料为硅锗(SiGe)。在本申请中，对于下一代逻辑工艺(如GAA工艺)来说，通过在存储器中使用与逻辑工艺相同工艺制作的环栅场效应晶体管组成的存储阵列，使得存储器能够与逻辑工艺相兼容。使得存储器能够与逻辑工艺相兼容。使得存储器能够与逻辑工艺相兼容。使得存储器能够与逻辑工艺相兼容。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：范鲁明，刘燕翔，许俊豪，贝尼斯坦特，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：