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本申请提出了一种高压MOSFET装置、制造方法及器件。所述装置包括：具有第一电导率的基底，形成在基底上的具有第二电导率的漂移层，形成在漂移层中的具有第一电导率的体区；形成在体区中的具有第二电导率的源区，形成在漂移层中的具有第二电导率的漏区，...
该专利属于伏达半导体（合肥）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过伏达半导体（合肥）股份有限公司授权不得商用。

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