专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
株式会社POWDEC
>
半导体元件以及装置制造方法及图纸
>技术资料下载
下载半导体元件以及装置的技术资料
文档序号:38551811
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
提供抑制电流崩塌并且实现薄层载流子浓度的提高的半导体元件以及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第一中间层(150)、第二中间层(160)、源极电极(...
该专利属于株式会社POWDEC所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社POWDEC授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。