基于拍摄缺陷而得到的图像来分析缺陷的分类。缺陷分析装置包括：模型存储部，存储基于训练数据进行了训练的特征提取模型，该训练数据中对通过对物体的表面上产生的伤痕进行拍摄而得到的缺陷图像赋予了表示所述伤痕的分类的信息，该特征提取模型用于从输入...

成形用树脂组合物含有：环氧树脂，包含环氧当量为156g/eq～250g/eq的苯酚酚醛清漆型环氧树脂及环氧当量为156g/eq～250g/eq的甲酚酚醛清漆型环氧树脂中的至少一者；活性酯化合物；以及无机填充材。

本发明涉及一种树脂组合物，其含有在侧链具有N‑取代丁二酰亚胺基的改性苯乙烯类弹性体及热固性树脂。

一种接合体的制造方法，其是将柱状基材A、热塑性膜B和树脂C依次接合而制成的接合体的制造方法，所述制造方法依次具有下述工序：工序1，在上述柱状基材A的至少一部分的外周，沿着圆周方向卷绕上述热塑性膜B；以及，工序2，在上述柱状基材A中卷绕有...

一个实施方式涉及一种热固性树脂组合物，其含有(A)具有选自由酸酐基及羧基构成的组中的至少1种基团的树脂、(B)包含Zr、Mg及Al的离子捕获剂、(C)无机填料及(D)环氧树脂。

本发明提供一种金属材料的连结体，其是将平板状金属材料A的截面A与平板状金属材料B的截面B对接，利用包含以热塑性树脂为主成分的层的膜被覆相向部位的至少一部分，将上述金属材料A与上述金属材料B进行连结而形成的金属材料的连结体，所述相向部位是...

本发明提供一种自由基聚合性树脂组合物，其在50℃～80℃左右的温度区域内的固化性优异，并且20℃以下的低温区域内的储藏稳定性优异。本发明的自由基聚合性树脂组合物包含自由基聚合性树脂(A)、烯属不饱和化合物(B)、含游离基的化合物(C)和...

一个实施方式涉及一种热固性树脂组合物，其含有具有选自由酸酐基及羧基构成的组中的至少1种基团的树脂和3官能的胺型环氧树脂。

本发明提供一种感光性树脂组合物及感光性着色组合物，其具有优异的显影性和良好的低温固化性，并且能够形成具有充分的硬度及耐溶剂性的树脂固化膜。本发明的感光性树脂组合物包含树脂(A)、反应性稀释剂(B)、光聚合引发剂(C)和溶剂(D)。所述树...

一种热固性树脂组合物，其含有：(A)热固性树脂、(B)烯属不饱和单体、(C)含有烯属不饱和基团的磷酸酯化合物、(D)低收缩剂、(E)无机填充材料、以及(F)热聚合引发剂。

本发明提供一种半导体用黏合剂、半导体装置的制造方法及半导体装置，所述半导体用黏合剂含有重均分子量小于10000的树脂、固化剂、无机填料、硅酮橡胶填料、重均分子量为10000以上的高分子成分和助熔剂，以半导体用黏合剂的固体成分总量为基准，...

本申请涉及烧结铜柱形成用铜膏及接合体的制造方法。一种烧结铜柱形成用铜膏，其用于形成将部件彼此接合的烧结铜柱，所述铜膏含有金属粒子及有机分散介质，金属粒子包含铜粒子，以有机分散介质的总质量为基准，有机分散介质包含50～99质量％的沸点为2...

一种沥青乳液组合物及其制造方法，所述沥青乳液组合物包含硫共聚氯丁二烯、沥青及水；以及，一种沥青改性用胶乳组合物，其包含硫共聚氯丁二烯胶乳及水。

本发明公开了一种电路连接用黏合剂膜。该电路连接用黏合剂膜具备含有导电粒子及热塑性树脂的第1黏合剂层及设置于第1黏合剂层上的第2黏合剂层。热塑性树脂包含苯氧基树脂中的羟基的至少一部分被由下述式（1）或下述式（1A）表示的基团改性的树脂。式...

一种碳材用粘合剂沥青的制造方法，包含以下工序1～工序3。工序1：对石油系重质油进行热处理的工序，工序2：将由工序1得到的热处理物进行蒸馏，作为高沸点成分得到基础沥青的工序，所述基础沥青的软化温度为60℃以上且110℃以下、固定碳量为50...

一种信息处理装置，其对伊辛模型的创建进行辅助，且包括：输入接受部，其接受将与配方相应的复合材料的特性公式化而得到的目标函数、以及配方的约束条件的输入；以及数据创建部，其创建用于使退火型优化机求解配方的最优解的伊辛模型，配方的最优解满足约...

成形用树脂组合物含有：含硫原子型环氧树脂；硬化剂；脱模剂；无机填充材；以及碳数5～30的α‑烯烃与马来酸酐及马来酸酐衍生物中的至少一者的共聚物。

一种设计辅助装置，利用机器学习模型对配合多种原料的材料的设计进行辅助，该机器学习模型对配合多种原料的材料的设计条件信息与材料的特性信息之间的对应关系进行了学习，该设计辅助装置包括：原料信息存储部，被配置为对已登记的多种原料的名称和属性的...

一种制造半导体装置的方法，其包括：对具有第1电路部件、第2电路部件及热固性黏合剂层的层叠体，通过按压部件进行加热及加压，由此形成临时压接体的工序；及在加压氛围气下对临时压接体进行加热而形成连接体的工序。第1电路部件可以为半导体芯片。层叠...

本发明的目的在于提供大口径且微管缺陷少的SiC基板及SiC外延晶片。本实施方式涉及的SiC基板的直径为195mm以上，微管密度为0.01个/cm<supgt;2</supgt;以下。