一种浆料，其含有磨粒及水，所述磨粒包含铈氧化物粒子，所述铈氧化物粒子的微晶直径为17.0nm以上，所述铈氧化物粒子的晶格应变为0.10％以上。

本实施方式涉及的SiC外延晶片，具备SiC基板和在所述SiC基板上成膜的SiC外延层，所述SiC基板的基底面位错的密度为1个/cm2以上且3000个/cm2以下，所述SiC外延层中，双肖克利(2SSF)型的堆垛层错的密度为4个/cm2以...

提供一种信息检索装置、方法及程序，其取得指向与结构化数据相关联的非结构化数据的链接。信息检索装置具有：图表绘制部，将结构化数据绘制为图表；图表提取范围取得部，在绘制的图表中提取一个或多个数据点；以及图表提取范围内数据取得部，取得包括包含...

本发明提供一种被保护的糖苷衍生物的制造方法，所述被保护的糖苷衍生物是酚化合物键合于糖的异头位，糖的其他羟基被保护的糖苷衍生物，该方法包含使所有羟基都被保护基保护且1位羟基和2位羟基的保护基是酰基的糖、和酚化合物在选自三氟甲磺酸和三氟甲磺...

一种复合粒子，其含有共聚物和增粘剂，所述共聚物具有源自单体(a1)的第1结构单元和源自单体(a2)的第2结构单元，所述单体(a1)为仅具有1个烯属不饱和键的非离子性化合物，所述单体(a2)为具有羧基且仅具有1个烯属不饱和键的化合物。

一种浆料，其含有磨粒及水，所述磨粒包含铈氧化物粒子，在所述铈氧化物粒子的X射线衍射图谱中的衍射角2θ＝27.000～29.980deg的范围内存在的最大强度的峰值P中，所述最大强度的10％强度下的峰值线宽度Wa及所述最大强度的50％强度...

从包含非均匀轮廓的球体作为被摄物的图像中高精度获取球体区域。本发明的图像处理方法具备：获取包含作为被摄物的球体的图像的图像获取步骤；对获得的图像进行二值化以获取二值化图像的二值化步骤；对二值化图像进行区域分割以获取球体候选区域的区域分割...

一种脱模膜，其包含脱模层和基材层，所述脱模层的断裂伸长率大于或等于120％，且所述脱模层的平均厚度大于或等于5μm。

一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：在半导体晶圆的设置有电极的一侧，从黏合剂层侧贴附包括背面研磨带及黏合剂层的层叠体，所述背面研磨带包括基材及形成于该基材上的压敏胶黏剂层，所述黏合剂层形成在压敏胶黏剂层上；对半导体晶圆进行研削来使...

一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：在主面的一方具有多个电极的半导体晶圆的设置有电极的一侧，从黏合剂层侧贴附包括背面研磨带及黏合剂层的层叠体，所述背面研磨带包括基材及形成于该基材上的压敏胶黏剂层，所述黏合剂层形成在压敏胶黏剂层上；...

本发明提供一种聚合性组合物，其是含有聚合性化合物的聚合性组合物，所述聚合性组合物含有(A)硼酸根阴离子、及(B)选自由具有2个以上的羟基的芳香族羧酸、该芳香族羧酸的盐及所述芳香族羧酸的水合物组成的组中的至少一种。

一种共聚物，含有：具有酸基的结构单元(a)、与具有下述式(1‑1)表示的基团的结构单元(b)(式(1‑1)中，R1为氢原子或碳原子数1～20的烃基，R2和R3分别独立地为氢原子或碳原子数1～20的烃基，＊表示与从结构单元(b)中去掉式(...

一种黏合剂膜，其用于将半导体芯片接合至基体，并且密封半导体芯片与基体的间隙，其中，所述黏合剂膜为由具有光固性及热固性的黏合剂组合物形成的单层膜。

本发明涉及密封用树脂组合物、固化物、电子部件装置及电子部件装置的制造方法。一种密封用树脂组合物，其包含（A）环氧树脂、（B）具有至少1个氨基的固化剂、（C）具有苯氧基结构的树脂及（D）无机填充材料。根据本发明的密封用树脂组合物，能够抑制...

提供能够以低成本实施的金属除去方法。金属除去方法具备反应工序和挥发工序，反应工序使含有含氟的卤间化合物的处理气体与含有金属元素的含金属材料接触，生成含氟的卤间化合物与金属元素的反应生成物即金属氟化物，挥发工序在惰性气体气氛下或真空环境下...

本公开为氧化钛粒子及其制造方法。提供锐钛矿含有率高、粗大粒子少、均一性和分散性优异的氧化钛粒子及其制造方法。氧化钛粒子的制造方法包含：向反应管导入原料气体G1和氧化性气体G2来使反应气体生成的反应工序，原料气体G1含有四氯化钛和不活性气...

本公开为氧化钛粒子及其制造方法。提供锐钛矿含有率高、粗大粒子少、均一性和分散性优异的氧化钛粒子及其制造方法。氧化钛粒子的制造方法包含：向反应管导入原料气体G1和氧化性气体G2来使反应气体生成的反应工序，原料气体G1含有四氯化钛和不活性气...

一种碳材的制造方法，其中，作为粘合剂沥青，使用软化点为70℃～120℃、固定碳量为50.0质量％以上、喹啉不溶成分为18.0质量％以下、初馏点为320℃以上、软化点+100℃下的卡森屈服值为0.18Pa以上的沥青。

一种CMP用研磨液，其含有研磨粒、具有芳香环的含氮化合物及水，所述研磨粒包含铈系粒子，所述研磨粒的Zeta电位为负。一种研磨方法，其包括使用该CMP用研磨液来研磨被研磨面的工序。

一种电路连接用黏合剂膜，其具备：第1黏合剂层，具有热固性；导电粒子，部分埋入于第1黏合剂层的一面侧；及第2黏合剂层，具有热固性且与第1黏合剂层的一面接触，导电粒子在第1黏合剂层中的埋入率为30～90％，第2黏合剂层的流动率与第1黏合剂层...