株式会社力森诺科专利技术

株式会社力森诺科共有1155项专利

  • 一种数据管理程序,其使计算机执行如下步骤:获取用于收集1个以上的化合物的关注事项信息;访问规定的信息源,并从该信息源收集表示与关注事项信息对应的1个以上的化合物的化合物信息;生成作为用于唯一地确定关注事项信息的标识符的关注事项ID;针对...
  • 一种填充剂用基材,其在多孔质有机高分子载体的表面具有来源于通过接枝聚合而固定化了的亲水性单体的羟基,上述多孔质有机高分子载体中,相对于构成上述多孔质有机高分子载体的全部单体成分,包含来源于多官能性单体的结构单元40mol%以上,上述亲水...
  • 一种树脂膜,其由包含固化性树脂和无机填充材料的树脂组合物形成,所述无机填充材料的含有率超过50体积%,所述树脂膜的最低熔融粘度小于或等于2000Pa·s。
  • 一种导热片,其具备:导热层,其含有选自由鳞片状粒子、椭圆体状粒子和棒状粒子组成的组中的至少1种石墨粒子(A),在所述鳞片状粒子的情况下,所述鳞片状粒子的面方向沿导热层的厚度方向取向,在所述椭圆体状粒子的情况下,所述椭圆体状粒子的长轴方向...
  • 一种压粉成形体的制造方法,其包括:第1粉末供给工序,向第1空间供给第1粉末;第1粉末压制工序,对供给到第1空间的第1粉末进行压制而成形第1压粉体;第2粉末供给工序,在第1粉末压制工序之后,向与第1空间相邻的第2空间供给第2粉末;轴配置工...
  • 一种复合材料的制造方法,所述制造方法包括:涂膜形成工序,将含有气凝胶粒子、粘合剂树脂、玻璃纤维及液态介质的涂液朝向对象物吐出而获得涂膜;及去除工序,从所述涂膜去除所述液态介质的至少一部分而获得复合材料。
  • 一种乙烯基酯树脂组合物,其包含乙烯基酯树脂(A)、含有具有脂环式结构的(甲基)丙烯酸酯和苯乙烯中的至少一者的反应性稀释剂(B)、不饱和聚酯树脂(C)和金属皂(D),并且与通过与所述金属皂(D)的组合而引发氧化还原反应的固化剂(E)组合使用。
  • 在本发明的半导体装置的制造方法中,准备在半导体晶片(11)上具有作为微凸块的微小的铜柱(12)及焊接凸块(13)的半导体部件(10)。然后,以覆盖铜柱(12)及焊接凸块(13)的方式将底部填充材料涂布于半导体部件(10)上并使其扩展并固...
  • 提供从含有氟气和含氟化合物气体的含氟气体中除去氟气的方法。从含有氟气和含氟化合物气体的含氟气体中除去氟气的方法包含除去工序,所述除去工序使含氟气体与选自金属的氯化物、金属的溴化物和金属的碘化物中的至少一种金属盐接触。
  • 在本发明的半导体装置的制造方法中,准备在半导体晶片(11)上具有作为微凸块的微小的铜柱(12)及焊接凸块(13)的半导体部件(10)。然后,以覆盖铜柱(12)及焊接凸块(13)的方式将非导电膜NCF(20)层压于半导体部件(10)。在进...
  • 本发明公开一种热固性黏合剂组合物。该热固性黏合剂组合物含有环氧树脂、弹性体及固化促进剂。固化促进剂为通过加热而产生杂环式胺化合物的化合物。
  • 本发明的铁芯片为由绝缘材料包覆的软磁性粉末被压制而成的轴向间隙马达的定子铁芯的铁芯片。该铁芯片具备:齿部,具有卷绕有绕组的周面;第1凸缘部,与齿部的一侧的端部连接;及第2凸缘部,和齿部的与第1凸缘部相反侧的端部连接。齿部的周面具有内周部...
  • 一种研磨用浆液,其含有磨粒、液状介质和下述式(1)所示的化合物的盐,磨粒含有第1粒子和与该第1粒子接触的第2粒子,第1粒子含有铈氧化物,第2粒子含有4价金属元素的氢氧化物。[式(1)中,R表示羟基或1价的有机基团。]
  • 一种树脂膜,其由包含固化性树脂、弹性体和无机填充材料的树脂组合物形成,所述弹性体包含反应性基团。
  • 一种非水系二次电池电极用粘合剂,含有共聚物(P),所述共聚物(P)具有来自式(I)(R1表示氢原子或甲基,R2表示氢原子或羟基,m和n为0或1。)表示的单体(A)的结构单元(a)4.0~75.0摩尔%和来自式(II)(R3表示氢原子、甲...
  • 本发明提供一种半导体芯片的清洗方法,其包括如下工序:(a)用药液对配置于胶黏剂膜的表面上的区域且贴附于该表面上的切割环内的区域的多个半导体芯片进行清洗;及(b)从表面上拾取清洗后的半导体芯片,药液为选自由溶剂系、酸系及碱系组成的组中的一...
  • 本发明的一方式所涉及的固化性树脂组合物含有(A)橡胶成分、(B)具有环氧基的化合物、(C)固化剂、(D)固化促进剂及(E)填料,上述(A)橡胶成分包含马来酸酐的改性率为1.8~10.0质量%的改性苯乙烯类弹性体。
  • 本发明公开一种在硅晶圆的薄化加工中抑制破裂的产生的方法。在该方法中,首先,在硅晶圆(20)中设有凸块(40)的面(20a)侧,通过压缩模塑将密封材料(50)成型至凸块(40)的上端部分(40a)露出的程度。作为密封材料(50),例如优选...
  • 配线基板的制造方法包括:在支撑基板上形成第1绝缘层的工序;在第1绝缘层上形成抗蚀剂层的工序;在抗蚀剂层上形成包括配线电极用的第1开口部及第2开口部和虚设电极用的第3开口部的多个开口部的工序;在第1开口部及第2开口部分别形成第1配线电极及...
  • 一种半导体装置制造用临时保护膜,其具备:支撑膜;及设置于支撑膜上的黏合层,黏合层含有聚合物且不含有交联剂,所述聚合物包含(甲基)丙烯酸烷基酯及(甲基)丙烯酰吗啉作为单体单元。