一种悬架臂（100），其为锻造品，所述锻造品由铝合金构成，所述铝合金具有以下的合金组成：含有0.25质量%以上且0.37质量%以下的范围内的Cu、0.95质量%以上且1.25质量%以下的Mg、0.6质量%以上且0.75质量%以下的Si、...

本公开涉及一种天线用基板材料，其是含有嵌段共聚物的天线用基板材料，所述嵌段共聚物包含聚酰亚胺嵌段（BI）和聚酰胺酸嵌段（BA）。

在本发明的半导体装置的制造方法中，首先，准备具有支撑基板（11）、设置于支撑基板（11）上的导电部（12）、以及设置于支撑基板（11）上及导电部（12）上的聚酰亚胺膜（13）的基板（10）。在所准备的基板（10）中，聚酰亚胺膜（13）具...

一种导热片，其具备：导热层，其含有选自由鳞片状粒子、椭圆体状粒子及棒状粒子组成的组中的至少一种石墨粒子（A），在所述鳞片状粒子的情况下面方向沿厚度方向取向，在所述椭圆体状粒子的情况下长轴方向沿厚度方向取向，在所述棒状粒子的情况下长轴方向...

本发明为树脂组合物、使用了该树脂组合物的预浸料、层叠板、树脂膜、印刷线路板及半导体封装体，所述树脂组合物含有热固性树脂，且在规定条件下测定的、由加热加压处理时间所致的玻璃化转变温度的变化率为－20％～＋20％。

一种铝合金铸块的制造方法，所述铝合金铸块包含添加元素Cu：0.30质量%~1.0质量%、Mg：0.80质量%~1.8质量%、Si：0.90质量%~1.9质量%、Mn：0.30质量%~1.2质量%、Fe：0.20质量%~0.65质量%、Z...

一种铝合金铸块的制造方法，所述铝合金铸块包含添加元素Cu：0.30质量%~1.0质量%、Mg：0.80质量%~1.8质量%、Si：0.90质量%~1.9质量%、Mn：0.30质量%~1.2质量%、Fe：0.20质量%~0.65质量%、Z...

提供一种能够相比于非蚀刻对象物而选择性地对蚀刻对象物进行蚀刻的蚀刻方法。蚀刻方法包括蚀刻工序，在蚀刻工序中，使含有酰氟化物和饱和氟碳化合物的蚀刻气体在等离子体的存在下与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻部件接触而进行蚀刻，相比于非蚀刻...

树脂齿轮具有由树脂成型体形成的齿部，树脂成型体包含纤维基材和树脂成分，纤维基材包含对位芳纶纤维的含量为80～100质量％的芳纶纤维。

本发明提供一种胶黏剂膜的制造方法，该胶黏剂膜的制造方法包括：送出步骤S01，以规定的输送速度送出在一面侧设置有黏合层(3)的长形的基材膜(2)；切断步骤S02，用规定图案的切断线(S)预切黏合层(3)；及剥离步骤S03，从基材膜(2)的...

树脂组合物含有：环氧树脂、作为固化剂的活性酯化合物、包含二氧化硅的无机填充材以及环状碳二亚胺化合物。

提供难以产生雾的氟气的制造方法。采用具备电解工序的方法来制造氟气，在电解工序中，在电解槽内使用阳极和阴极将电解液电解来生成氟气。电解液含有氟化氢、金属氟化物和六氟镍（IV）酸金属盐。阳极是镍电极或碳质电极，阴极是金属电极。

作为半导体装置的制造方法的一例，例如，准备四个半导体晶片（40、50、60、70）。在该制造方法中，通过混合键合将半导体晶片（40）和半导体晶片（50）接合，从而制作层叠晶片（100）。同样地，通过混合键合将半导体晶片（60）和半导体晶...

本发明提供一种新型的配线结构体的制造方法，其包括如下步骤：在基板上通过两阶段的电解镀敷形成导体层的步骤，所述基板具有形成有第1凹部及第2凹部的主面，并且第1底面的最小宽度比第2底面的最小宽度大。该方法包括如下步骤：形成具有包含使第1底面...

本发明提供一种半导体芯片的清洗方法，其包括：（a）用药液对配置于接着膜的表面上的区域且贴附在该表面上的切割环内的区域的多个半导体芯片进行清洗的工序；及（b）从表面上拾取清洗后的半导体芯片的工序。接着膜包含基材膜及形成于基材膜的表面上的接...

设定部（32）对表示包含多种材料的半导体封装体的模拟模型（40）设定各材料间的界面的粘接状态，模拟部（34）使用设定了各材料间的界面的粘接状态的模拟模型（40），来模拟对半导体封装体作用力或热时的材料间的剥离的有无。

作为封装基板的制造方法的一例，准备具有固化的绝缘层的第1基板（30）、具有固化的绝缘层的第2基板（40）、具有固化的绝缘层的第3基板（50）及具有固化的绝缘层的第4基板（60）。在第1基板（30）与第2基板（40）之间夹入半固化的接合体...

本发明提供一种涂液的制造方法、绝热材料的制造方法以及涂液。本发明的涂液的制造方法，其包括：准备工序，准备含有高分子类乳化剂、粘合剂树脂及液态介质的乳液、以及气凝胶粒子；及混合工序，将在准备工序中所准备的乳液及气凝胶粒子进行混合，使凝聚气...

一种黏合剂组合物，其含有在表面具有多个突起部的导电粒子，导电粒子的压缩20%时的压缩硬度为350kgf/mm2～1500kgf/mm2，多个突起部的面积相对于导电粒子的表面面积的比例为30%以上。

提供能够从溴气中选择性地除去氯分子的溴气的精制方法。溴气的精制方法具有精制工序，在精制工序中，使除氯剂和溴气接触，来将溴气中含有的氯分子从溴气中除去，除氯剂是使吸附剂担载了金属溴化物的除氯剂。