一种可变容量电容器(C1)，用于控制装置(70)的动作的控制电路(73)，包括：第一控制电极层(21)；与第一控制电极层相对的第二控制电极层(22)；至少配置在第一控制电极层与第二控制电极层之间的介电层(32)；夹着介电层相对的第一取出...

本发明提供一种油门装置。油门装置(1～7)具备踏板杆(20)、至少一个驱动源(40、41、201)、动力传递机构(50、60、70、80、90、100、120、124、126、130、140、145、150、200)以及锁定机构(501...

实施方式涉及的通信设备(100)是进行与主小区组以及辅小区组的通信的通信设备(100)，前述主小区组与主节点(MN 200M)相关联，前述辅小区组与辅节点(SN 200S)相关联。前述通信设备包括：接收部(121)，从前述主节点接收配置...

旋转电机(10)具备：决定对电流相位差(β)进行修正并由三相坐标系进行坐标转换的第一dq坐标系中的电流指令值(Id*、Iq*)的电流指令部(101)；以及根据对电压相位差(δv)进行修正并由三相坐标系进行坐标转换的第二dq坐标系中的q轴...

送风机具备：壳体(10B)，其具有进气孔(12a)，在将轴线(S)所延伸的方向设为轴线方向时，该进气孔向轴线方向的一侧开口；离心风扇(40)，其收容于所述壳体，且具有在以所述轴线为中心的圆周方向上排列的多个叶片(41)，在所述多个叶片中...

光学传感器包括：投光部，通过光源元件产生投光光束；受光部，通过接收反射光束而输出检测信号；以及控制部，控制投光部及受光部。控制部构成为执行以下控制：监视在投光部中向光源元件的周围传递的传热温度(Tt)；以及控制光源元件中的发光输出(Pl...

实施方式涉及的通信设备(100)是进行与主小区组以及辅小区组的通信的通信设备(100)，前述主小区组与主节点(MN 200M)相关联，前述辅小区组与辅节点(SN 200S)相关联。前述通信设备包括：接收部(112)，从前述主节点接收无线...

本发明提供一种车辆行动生成装置、车辆行动生成方法以及车辆行动生成程序。设定本车辆可以采取的多个行动(S240)。并且，针对本车辆的各个行动，设定其他车辆可以采取的多个行动(S260)。对所设定的本车辆的行动和其他车辆的行动的各个组合，输...

一种可变容量电容器(1)，包括：第一控制电极(21)；与第一控制电极相对的第二控制电极(22)；至少配置在第一控制电极与第二控制电极之间的介电层(32)；以及夹着介电层并相对的第一取出电极(11)和第二取出电极(12)，第一取出电极和第...

Y电容器具有P侧Y电容器元件(31)、N侧Y电容器元件(32)及GND母线(50)。P侧Y电容器元件(31)具有与逆变器电连接的第一端子(31A)和与壳体电连接的第二端子(31B)。N侧Y电容器元件(32)具有与逆变器电连接的第三端子(...

一种可变容量电容器(1)，包括：第一电极层(11)；绝缘层(31)，上述绝缘层配置在第一电极层上；第二电极层(21)，上述第二电极层配置在绝缘层上的第一区域(RG1)中；第三电极层(22)，上述第三电极层配置在绝缘层上，并且配置在远离上...

SiC半导体的外延生长装置，具备：腔室(1)，具有内部空间；基座(2)，配置于腔室(1)内，构成SiC半导体基板(9)的载置面；反应容器(3)，包围基座(2)的周围并且构成使SiC半导体层(10)在SiC半导体基板(9)之上外延生长的生...

一种电力指令转换装置，包括：转换部，上述转换部基于从逆变器向与作为向第一电力供给对象供给电力用的逆变器及作为上述逆变器的控制用的逆变器控制装置连接的与上述第一电力供给对象不同的第二电力供给对象输出的电压的电压值和上述第二电力供给对象所要...

本发明提供光相位调制器，其具备芯部(20)和隔着芯部配置且厚度方向上的长度比芯部短的板部(31、32)。芯部具有设为第一导电型的第一凸部(21)和设为第二导电型的第二凸部(22)，第一凸部及第二凸部以构成PN结的状态配置。板部由离子注入...

一种光学传感器，具备：投光光源模块(22)，具有投光定位面(222)，从发光面(226)投射投光射束(Bp)；投光透镜模块(26)，具有与投光光源模块(22)粘接的投光粘接面(264)，将来自投光光源模块(22)的投光射束(Bp)沿着投...

在本发明的物体追踪装置中，基于预先决定的物体的形状模型和过去计算出的推断值来计算预测轮廓，与由传感器部获取到的多个观测值独立地，计算位于上述预测轮廓上和/或上述预测轮廓的内侧的规定范围的多个预测值，将上述多个预测值中的各个预测值与上述多...

电池系统搭载于电动移动体。电池系统具有二次电池(2)和电池控制部。电池控制部控制二次电池(2)使得在电动移动体起动时进行高倍率放电。二次电池(2)的正极(4)具有第一活性物质(41)和第二活性物质(42)。在起动时进行高倍率放电的二次电...

一种MOS晶体管的制造方法，其具备：在将SiC基板加热至1200℃以上的温度的状态下通过氢气对所述SiC基板的表面进行蚀刻的工序；在实施了采用氢气的所述蚀刻后在所述SiC基板的所述表面上形成无定形硅层的工序；通过化学气相沉积法在所述无定...

一种电源系统(10)，包括旋转电机(20)、逆变器(30)、驱动控制部(52)、向上述驱动控制部供给电力的第一电源(54)、在实施短路控制时向上述驱动控制部供给电力的第二电源(56)。上述第一电源在通常状态下以比第一阈值高的电压来供给电...

一种场效应晶体管的制造方法。适当地调整p型沟槽下层的p型杂质浓度。所述场效应晶体管的制造方法具有：体层形成工序，通过离子注入p型杂质而形成p型的体层；沟槽形成工序，在半导体基板的上表面形成沟槽；p型沟槽下层形成工序，在用离子注入掩模覆盖...