本发明的目的在于提供一种能够无需准备多种位于层叠方向的端部的内部导体、就能够调整线圈的匝数的电子元器件。层叠体（１１ａ）由多个磁性体层（１２）层叠而成。线圈（Ｌ）由内部导体（１３ａ～１３ｆ）及通孔导体（ｂ１～ｂ５）连接而成。内部导体（１...

本发明提供一种带平板状线圈的模块的制造方法及带平板状线圈的模块。其中，本发明的带平板状线圈的模块的制造方法具有：在内置有芯片型电子部件（１１）的第一树脂层（１２）上设置含有磁性填充剂的第二树脂层（１３）的工序；在第二树脂层（１３）上设置...

本发明构成一种开关电源装置，其能够不取得来自负载的反馈，而根据负载的轻重自动且连续地将ＰＦＣ转换器的输出电压控制为最佳值。在ＰＦＣ转换器的输入端输入交流输入电源，在输出端连接ＤＣ－ＤＣ转换器。在ＤＣ－ＤＣ转换器的输出连接负载。数字信号处...

本发明公开一种不仅具有高的自由度而且可以设定天线的共振频率的片式天线及具备其的天线装置。从电介质基体（１０）的下表面经由第四侧面到上表面形成有供电电极（１１）。从电介质基体（１０）的下表面经由第三侧面到上表面形成有无供电电极（１２）。供...

减小磁隙部的偏置，抑制局部的磁饱和，从而得到卓越的直流重叠特性。一种交替地层叠有磁性体层和线圈导体而成的叠层电感器，分别设有多层第１混合层（３）和第２混合层（４），在该第１混合层中在叠层方向上重合的导体图形（２）间、以及与该导体图形（２...

本发明提供一种低温烧结陶瓷材料，可形成烧成后的组成不均匀性较小且烧结体的弯曲强度高、表面电极的剥离强度高、可靠性优良的陶瓷基板。用于构成多层陶瓷基板（１）的陶瓷层（２）的低温烧结陶瓷材料含有主成分陶瓷材料和副成分陶瓷材料，实质上不含有Ｃ...

本发明提供用于使具有包含非水系溶剂和电解质的非水系电解液的非水电解液二次电池在高温下反复进行充放电循环后的容量维持率有所提高的非水系电解液中的添加物的组成。在具有包含非水系溶剂和电解质的非水系电解液的非水电解液二次电池的非水系电解液中至...

本发明提供可防止安装时的锡焊工序中因熔剂被吸入陶瓷主体的细孔而导致的自对准性和产品特性的劣化的陶瓷电子元器件的制造方法、以及可通过该方法制造的可靠性高的陶瓷电子元器件。使用包含多氟聚醚化合物作为主要成分且包含氢氟醚作为溶剂的拒油处理剂对...

本发明提供一种绕组型线圈，该绕组型线圈防止其的外凸缘部与安装基板接触，从而防止外凸缘部损坏、卷绕的导线偏移或松开。在凸缘（８ａ）的外侧面形成有凹槽（１２ａ），在凹槽（１２ａ）的两侧形成有内凸缘部（１３ａ）和外凸缘部（１４ａ）。而且，从凹...

本发明提供在内部含导电体的陶瓷体中，可更有效地防止水分对导电体与陶瓷体之间的空隙的浸入的陶瓷体的制造方法。使含氧化物溶胶前体的超临界流体浸入至内部电极层（１１）和陶瓷层叠体（１０）之间的空隙中。随后，通过使氧化物溶胶凝胶化、热处理，在内...

本发明提供一种小型的、能高效地在近距离内进行大容量数据通信、且能与非接触型ＩＣ卡并用的高频耦合器及通信装置。所述高频耦合器包括磁场形成图案（１Ａ、１Ｂ）、以及配置于其周围的环绕图案（２），能用于以使用了宽频带频率的通信方式等、在近距离内...

本发明提供一种机电耦合系数（ｋ２）大且插入损失低，并且具有高耐静电性的弹性表面波装置。在压电体（１０）上形成有多根槽（１０ａ）。ＩＤＴ电极（３７）的电极指（３１ａ、３１ｂ）具有：位于槽（１０ａ）的内部的第一电极层（２１）、形成在第一电极...

本发明提供一种非水系电解液中的添加物的组成，其用于提高具有包含非水系溶剂和电解质的非水系电解液的非水电解液二次电池在高温下反复进行充放电循环后的容量维持率。该非水电解液二次电池是具有包含非水系溶剂和电解质的非水系电解液的非水电解液二次电...

本发明提供一种附有识别记号的小型的电路模块及其管理方法。在模块基板（３０）上，在成为作为电路模块而完成时的安装面一侧的表面的周围，形成有信号输入输出端子（４２）、外侧接地端子（４１）。在被该信号输入输出端子（４２）和外侧接地端子（４１）...

振动陀螺仪元件（１）包括压电基板（３）、上主面电极（２）、下主面电极（４）、以及支承基板（５）。压电基板（３）设置有内侧开放孔（３１）和外侧开放孔（３３）。内侧开放孔（３１）使Ｘ－Ｙ面上的框状区域（３Ｂ）的侧端面露出至框内。外侧开放孔（...

本发明提供一种容易调整和稳定ＥＳＤ特性的ＥＳＤ保护器件。ＥＳＤ保护器件（１０）包括：（ａ）陶瓷多层基板（１２）；（ｂ）形成于陶瓷多层基板（１２）、设置有间隔而彼此相对的至少一对放电电极（１６、１８）；以及（ｃ）形成于陶瓷多层基板（１２）...

本发明的半导体陶瓷，以具有由通式ＡｍＢＯ３表示的钙钛矿型结构的ＢａｍＴｉＯ３类组合物作为主成分，构成Ａ位的Ｂａ的一部分被Ｎａ、Ｂｉ、Ｃａ以及离子半径比所述Ｎａ小的稀土元素取代，同时将所述构成Ａ位的元素的总摩尔数设为１摩尔时，所述稀土元素...

本发明提供一种具备具有一对平衡信号端子的平衡型分波器，且差动隔离和差动衰减量中的至少一方较大的高频模块。形成于布线基板（１０）的安装面（１１ａ）上的、天线端子（５４）与第２平衡信号端子（５７）之间的距离，比天线端子（５４）与第１平衡信号...

本发明的半导体陶瓷，以具有由通式ＡｍＢＯ３表示的钙钛矿型结构的ＢａｍＴｉＯ３类组合物作为主成分，构成Ａ位的Ｂａ的一部分至少被碱金属元素、Ｂｉ以及稀土元素取代，并且Ａ位与Ｂ位的摩尔比ｍ为０．９９０≤ｍ≤０．９９９（优选０．９９０≤ｍ≤０．...

本发明的半导体陶瓷以具有通式ＡｍＢＯ３所示的钙钛矿型结构的ＢａＴｉＯ３系组合物作为主要成分，构成Ａ位的Ｂａ中的一部分被碱金属元素用Ｂｉ、Ｃａ、Ｓｒ及稀土类元素取代，而且在构成所述Ａ位的元素的总摩尔数设为１摩尔的情况下，所述Ｃａ及Ｓｒ的含...