本实用新型公开了一种晶体生长装置，包括：晶体生长炉，晶体生长炉的内部设有加热腔，且晶体生长炉的顶部设有通孔；升降机构，升降机构设置于晶体生长炉上；籽晶杆，籽晶杆与升降机构驱动连接并可活动地穿设于通孔，籽晶杆的底端位于加热腔内，籽晶杆的顶...

本实用新型公开了一种晶体生长炉及具有其的碳化硅晶体生长装置，晶体生长炉包括：炉底组件，包括炉底板及与炉底板连接的炉底套，炉底套与炉底板之间形成有第一夹层；以及炉身组件，包括炉内筒、炉身套以及回流件，炉内筒设置于炉底板上，炉身套设置于炉底...

本实用新型公开了一种电源接头及具有其的碳化硅晶体生长炉，电源接头用于设置在具有冷却液夹层的炉身上，电源接头包括：连接组件，连接组件包括第一连接件、内筒及第一护套，第一连接件设有贯穿口，内筒具有内部通道，内筒与第一连接件连接，并使内部通道...

本发明公开了一种碳化硅单晶的制备方法，属于半导体材料制备技术领域。一种碳化硅单晶的制备方法，包括以下步骤：S1.对具有复合坩埚盖的坩埚进行清洗、空烧处理；S2.在冷却后的坩埚底部放置高纯碳化硅微粉，并在保护气体正压下，以复合加热体加热所...

本发明公开了一种物理气相传输法用坩埚盖及其制备方法，属于半导体材料制备技术领域。一种物理气相传输法用坩埚盖，包括依次设置的石墨层、硅层和籽晶层；上述物理气相传输法用坩埚盖的制备方法，包括以下步骤：S1.以硅层为基底，外延生长过渡硅层；S...

本发明公开了一种碳化硅单晶抛光液及其使用方法。本发明的碳化硅单晶抛光液包括以下原料：过氧化氢、磨料和助剂；其中，所述磨料由二氧化硅、氧化铝和金刚石微粉构成；所述二氧化硅的粒径为10nm～30nm；所述氧化铝的粒径为50nm～100nm；...

本实用新型公开了用于检测透光材料缺陷的探伤机，其包括：机座；工件夹具，连接于机座；激光检测装置，包括至少一组激光探头组件，激光探头组件连接于机座，激光探头组件包括激光发射器以及摄像头，激光发射器用于往工件发射激光，摄像头用于拍摄工件图像...

本实用新型公开了一种用于单晶炉的旋转式温度探测装置，包括有炉体，炉体的上方开设有通孔，所述的通孔处连接有壳体，壳体内转动设置有一端能从通孔处伸入至炉体内部的导杆，壳体上还设置有能驱动导杆转动进而对炉体内的溶液进行搅拌的驱动机构，所述的导...

本实用新型公开了一种宝石高度和平整度测量装置，包括底座，底座上设有抛光面，底座上通过左右支柱固定连接有安装板，安装板和底座之间设有丝杆，丝杆的上下端分别通过轴承与安装板和底座转动连接，丝杆的上端固定有手轮，丝杆上螺纹连接有螺母，螺母的外...

本实用新型公开了一种双工位宝石高度和平整度测量装置，包括底座和设在底座中部上方的支柱和安装板，安装板和底座之间设有丝杆，并通过轴承与丝杆转动连接，丝杆的上端设有手轮，丝杆上螺纹连接有螺母，螺母的外侧设有上下两个安装套，安装套和螺母之间设...

本实用新型公开了一种可保护减震波纹管的连接结构，其包括波纹管、连接于波纹管首端的第一管件以及连接于波纹管末端的第二管件，第一管件的一端设置有第一法兰片，波纹管的首端设置有与第一法兰片相适配的第二法兰片，第一法兰片与第二法兰片通过紧固件连...

本实用新型公开了一种真空管道进气泄压装置，其包括设置于真空管道上的连接座，连接座上设置有中空的阀体，阀体内设置有隔板，隔板在阀体内分隔出上腔和下腔，下腔的底部开口，连接座上设置有位于下腔的底部开口处的泄压口，阀体内设置有可上下移动的阀芯...

本实用新型公开了一种单晶炉炉盖的密封结构，单晶炉包括一炉体，炉体的上端设置有开口，密封结构包括在炉体的上端面设置的围绕开口一周的环形凸台，环形凸台上安装有炉盖，环形凸台的上端面和外侧壁之间处设置有过渡的密封面，炉盖的底部设置有安装结构并...

本实用新型公开了一种两级抽真空系统，其包括一级泵以及二级泵，一级泵的吸气端连接有一级抽气通道，一级抽气通道包括沿着气流方向依次设置的主管、主阀、一级支管、预抽阀以及汇流管，主阀为三通阀，二级泵的吸气端与主阀的另一出气端接通，二级泵的出气...

本实用新型公开了一种单晶炉的抽真空系统，其包括炉体、一级泵以及二级泵，炉体上设置有出气口，一级泵的吸气端和出气口之间连接有一级抽气通道，一级抽气通道包括沿着气流方向依次设置的主管、主阀、一级支管、预抽阀以及汇流管，主阀为三通阀，二级泵的...

本实用新型公开了一种单晶炉的冷却系统，包括有炉体，炉体的侧壁设置有第一冷却层和保温层，第一冷却层包括有左冷却层和右冷却层，炉体的左半侧壁包括有左起始部和左端部，左起始部上间隔设置有第一导流板，第一导流板包括第一导流板连接端和第一导流板自...

本实用新型公开了一种单晶炉结构，包括有炉体，所述炉体的上端活动连接有上盖，上盖上设置有两个用于观测炉体内部的观测口，上盖上还开设有可供晶体生长杆伸入至炉体内部的开口，观测口上设置有玻璃镜片，所述的观测口倾斜设置在上盖上；所述上盖的下方活...

本发明公开了一种单晶炉的两级抽真空系统，其包括炉体、一级泵以及二级泵，炉体上设置有出气口，一级泵的吸气端和出气口之间连接有一级抽气通道，一级抽气通道包括沿着气流方向依次设置的主管、主阀、一级支管、预抽阀以及汇流管，主阀为三通阀，二级泵的...

本发明公开了一种真空炉炉盖的密封结构，真空炉包括一炉体，炉体的上端设置有开口，密封结构包括在炉体的上端面设置的围绕开口一周的环形凸台，环形凸台上安装有炉盖，环形凸台的上端面和外侧壁之间处设置有过渡的密封面，炉盖的底部设置有安装结构并通过...