中山大学南昌研究院专利技术

中山大学南昌研究院共有25项专利

  • 本发明公开了一种太阳光LED器件及其制备方法,涉及波长转换元件技术领域。本发明所提供的太阳光LED器件中包括紫光芯片与紫光芯片表面的两层荧光胶,其中第一层包括三种不同的红色荧光粉,第二层包括浅蓝白色粉末、浅蓝绿色粉末、黄绿色荧光粉、红外...
  • 本申请涉及一种转炉炼钢一次拉成率预测方法
  • 本申请涉及一种面向全自动化化学合成的机器人工作平台控制系统和方法
  • 本发明属于涉及半导体器件技术领域,更具体地,涉及一种热解双面胶在提高深硅刻蚀均一性中的应用。该应用中的热解双面胶由聚对苯二甲酸乙二醇酯基膜和涂覆于基膜两面的硅酮高分子聚合物弹性体组成。本发明将热解双面胶用于深硅刻蚀,替代常规粘接剂,不仅...
  • 本发明属于涉及半导体器件技术领域,涉及一种MEMS芯模的制备方法,包括以下步骤:先将硅片的氧化层侧与晶圆衬底通过热解膜粘合,同时采用深反应离子刻蚀在硅片表面形成所需图形,并在表面沉积金属膜;然后将硅片金属膜侧与晶圆衬底过热解膜粘合,进一...
  • 本发明公开了一种大自然健康LED光源器件及其制备方法。本发明的大自然健康LED光源器件,包括近紫外发光芯片、支架、用于粘接近紫外发光芯片与支架的固化荧光胶,以及涂覆于近紫外发光芯片上的光转化层;所述固化荧光胶由封装胶与荧光粉末组成,所述...
  • 本实用新型属于微纳加工制造技术领域,具体涉及一种黄光曝光用挡板装置,包括曝光挡板,所述曝光挡板为圆形、尺寸为4寸
  • 本实用新型属于微纳加工制造技术领域,具体涉及一种键合强度测试装置,包括底座(1),所述底座(1)上均匀设有密集的真空吸附孔洞(2),所述底座(1)上设有可滑动的刀片(3),所述刀片(3)由设置在控制单元(6)中的电机马达通过电路控制,所...
  • 本发明属于半导体微纳加工制造技术领域,具体涉及一种提高金属键合强度的方法,包括以下步骤:包括以下步骤:(1)在晶圆表面沉积的牺牲层上或晶圆的表面涂覆光刻胶;(2)曝光、显影;(3)湿法腐蚀去牺牲层或刻蚀晶圆;(4)湿法腐蚀去光刻胶;(5...
  • 本发明属于微纳加工制造技术领域,具体涉及一种检测键合偏移量的结构,包括:上盖晶圆片,所述上盖晶圆片的中央形成有上预留区域;下盖晶圆片,所述下盖晶圆片的中央形成有与所述上预留区域相对设置的下预留区域,所述下预留区域上形成有刻度尺;所述上盖...
  • 本发明公开了一种微孔热塑性聚氨酯抛光垫及其半连续制备方法,涉及集成电路材料技术领域。本发明所述微孔热塑性聚氨酯抛光垫的半连续制备方法包括如下步骤:(1)将高硬度热塑性聚氨酯和助剂熔融挤出、压延、收卷;(2)对卷材进行高压流体浸渍、低温锁...
  • 本发明公开了一种高硬度热塑性聚氨酯发泡卷材及其制备方法,涉及新型聚氨酯技术领域。本发明所述高硬度热塑性聚氨酯发泡卷材的半连续制备方法包括如下步骤:(1)将高硬度热塑性聚氨酯、低硬度热塑性聚氨酯(如有)和助剂混合均匀、熔融挤出、压延、收卷...
  • 本发明公开了一种微孔热塑性聚氨酯纳米复合发泡卷材及其制备方法与在抛光垫中的应用,涉及新型聚氨酯材料技术领域。所述卷材的厚度为2~5mm,密度为0.1~1g/cm3,硬度为20~80HD,泡孔直径为0.5~100μm。将所述卷材用于制备抛...
  • 本发明公开了一种病灶靶向分布的核磁共振成像功能探针及其制备方法和应用,所述纳米探针包括外壳、内核以及负载于内核内的超顺磁性四氧化三铁SPIO纳米粒子、调控胎盘滋养细胞功能的小分子药物、治疗基因或其组合。本发明的功能探针可有效避免母体胎盘...
  • 本发明公开了一种MMP酶敏感胎盘微环境和肿瘤微环境靶向载体及其制备方法和应用,所述靶向载体具有核
  • 本发明公开了一种微环境酶靶向联合抗体Fab细胞靶向载体及其制备方法和应用,所述靶向载体为核
  • 本发明公开了一种细胞表面标志物抗体Fab段修饰的小分子药物/治疗基因递送系统及其制备方法和应用,所述递送系统包括脂质双分子膜和药物载体,所述脂质双分子膜经在接触胎盘组织间液高表达的酶的作用下靶向崩解的酶底物多肽
  • 本发明公开了一种改性聚苯醚发泡珠粒成型体的制备方法,包括以下步骤:S1.将改性聚苯醚原料树脂通过挤出机造粒,得到改性聚苯醚微粒;S2.将所述改性聚苯醚微粒填充到成型模具中,锁紧模具;S3.将所述成型模具放置于高压釜中,进行气体饱和;S4...
  • 本发明属于半导体芯片微纳加工制造技术领域,具体涉及一种防止金属剥离残留的方法,包括以下步骤:(1)在晶圆表面采用PECVD沉积牺牲层;(2)采用匀胶机在所述牺牲层的表面涂覆光刻胶;(3)用光刻机进行曝光、然后显影;(4)采用蒸发镀膜机或...
  • 本发明属于半导体芯片微纳加工制造技术领域,具体涉及一种减少曝光累积误差的方法,包括如下步骤:(1)在晶圆片的正面刻蚀刻度;(2)在晶圆片的正面形成标记,首次曝光后记录标记的实际位置坐标(X1,Y1)与理论值坐标(X0,Y0)进行比对,并...