本发明公开了一种基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构，其由下往上依次包括绝缘衬底、具负微分迁移率的有源层及绝缘保护层，有源层的两侧还分别设有侧面电极，该有源层包括位于有源层左右两端的低电阻区域、位于有源层中间的电场强度分布不均匀的高...

本发明公开了一种非挥发性存储元件，由Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ薄膜及其上下表面的Ｐｔ电极构成三明治结构的Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ薄膜非挥发性存储元件，其中ｘ＝０．６或０．８或１。本发明还公开了上述非挥发性存储元件的制备方法，包...

无铅电致伸缩材料．本发明涉及一种无铅电致伸缩材料．本发明材料的组分为：（Ｂａ－［１］－ｘＬａｘ）（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）＋ａｗｔ％Ｆｅ－［２］Ｏ－［３］，其中０＜ｘ＜０．１０，０．０５＜ｙ＜０．２５，０≤＝ａ＜０．３，优先推荐范围是ｘ＝０．...

本发明属半导体非晶硅光位置敏感器件。它是利用非晶硅材料的单质结或异质结的横向光生伏特效应制成的可测量光点位置信息的新型器件。由于本光位置敏感器件制造工艺简单，输出光敏信号较大，对位置控制、目标跟踪及计算机方面的应用具有广阔的前景。

一种太阳能光伏热泵空调系统，由独立的太阳能光伏供电装置及热泵空调装置构成，热泵空调装置通过太阳能光伏供电装置提供的电源进行工作。本发明利用太阳能光伏发电，直接将绿色的电能供给节能的热泵装置，与电加热、燃气、燃煤等供热供暖装置相比，本发明...

一种制作硅纳米线二极管结构场发射器件的方法，其特征在于工艺步骤如下：　　　　（Ａ）、在硅片上采用镀膜工艺依次沉积绝缘薄膜层和金属薄膜层，在硅片、绝缘薄膜层和金属薄膜层上均匀涂敷一层光刻胶，并采用光刻技术在光刻胶上开出微圆孔，使用刻蚀工艺...

本发明涉及ＬＥＤ领域，具体涉及一种白光ＬＥＤ器件及其荧光转换用单组份双波长稀土荧光粉与其制备方法。本发明的白光ＬＥＤ器件，包括ＧａＮ基无机半导体ＬＥＤ晶粒和单组份双波长稀土荧光粉。其中，ＧａＮ基无机半导体ＬＥＤ晶粒在电压驱动下，发射蓝色...

本发明公开了一种ＹＡＧ晶片式白光发光二极管及其封装方法。其利用ＹＡＧ单晶片将ＧａＮ基无机半导体ＬＥＤ晶粒发出的部分蓝光转换为另外一种或多种理想波段的光，然后ＬＥＤ晶粒发出的剩余未被转换的蓝光与单晶片转换后的理想波段的光混合产生白光。该技...

本发明涉及ＬＥＤ领域，具体公开了一种白光ＬＥＤ及其封装方法。本发明的白光ＬＥＤ，包括芯片、支架、硅胶、荧光粉膜层及外围部件（如透镜）。该封装结构的不同之处在于采取荧光粉层与芯片之间用硅胶等材料隔开，使得荧光粉层和芯片两部分热量热热分离；...

本发明涉及ＬＥＤ发光材料领域，具体涉及一种白光ＬＥＤ用橙黄色荧光粉及其制备方法。该荧光粉的通式为：ｘＣａＯ.ｚＣａＸ↓［２］.２ＳｉＯ↓［２］.ｙＥｕ↓［２］Ｏ↓［３］。其中，Ｘ为一价阴离子，选自Ｆ，Ｃｌ中一种离子；３＝ｘ＝５，０．００...

本发明涉及ＬＥＤ领域，具体涉及一种含有碱土硼磷酸盐荧光粉的ＬＥＤ器件。本发明的ＬＥＤ器件，包括紫光ＬＥＤ晶粒和稀土荧光粉，所述稀土荧光粉为碱土硼磷酸盐，其化学组成表示式为（Ｓｒ↓［１－ｘ］Ｅｕ↓［ｘ］↑［２＋］）↓［６］Ｂ↓［ｍ］Ｐ↓［...

本发明公开了一种具有二阶阵列的三维半导体纳米结构阵列及其制备方法。该三维半导体纳米结构阵列为在规则排列的一维纳米棒组成的一阶阵列基础上，再在每一根纳米棒表面生长有许多更细小的二阶纳米线阵列，其材料为半导体晶体。制备方法采用两步法，首先制...

本发明涉及白光二极管领域，公开了一种发４００ｎｍ左右蓝紫光ＩｎＧａＮ芯片用稀土红色发光材料及其制备方法。本发明的稀土红色发光荧光粉的化学组成为：Ｍ↓［５］↑［Ⅰ］Ｍ↓［１－ｘ－ｙ］↑［Ⅲ］［Ｍ↑［Ⅳ］Ｏ↓［４］］↓［４］：ｘＥｕ↑［３＋...

本发明涉及半导体二极管的发光材料领域，具体公开了一种用于３９０～４２０ｎｍ发光半导体芯片的稀土有机配合物红色发光材料及其制备方法。所述发光材料的化学组成为：Ｅｕβ↓［３］Ｌ↓［ｘ］，其中，Ｅｕ为稀土离子Ｅｕ↑［３＋］；β为第一有机配体β...

本发明涉及ＬＥＤ激发荧光粉领域，公开了一种用于ＬＥＤ激发的荧光粉涂敷方法。本发明创造性地提出将荧光粉填充到ＬＥＤ激发屏内部，制作荧光粉屏装置，通过调节荧光粉填充洞的形状、大小和排列，以及荧光粉的选择和填充，从而实现对光色的控制。本发明的...

本发明公开了一种在液相环境中利用脉冲激光烧蚀沉积技术制备单质微－纳半导体方块及其制备方法。该方法如下：将靶材置于液相物质中，使脉冲激光光束透过聚焦透镜后聚焦在靶材的上表面，在靶材的上表面产生等离子体羽；待脉冲激光烧蚀沉积反应进行１０～３...

本发明公开了一种白光ＬＥＤ用荧光粉及其制备方法。其化学组成表示式为ｍ（Ｍ↓［１－ｘ－ｙ］ＲＥ↓［ｘ］Ａ↓［ｙ］Ｓ）.ｎ（Ａｌ↓［２］Ｓ↓［３］）；Ｍ为Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ中至少一种元素；ＲＥ为Ｃｅ、Ｅｕ中至少一种元素；Ａ选...

本发明公开了一种碱土卤硅酸盐荧光粉及其制备方法。该荧光粉的通式为：２（Ｃａ↓［１－ｘ－０．５ｚ－０．５ｎ］Ｓｒ↓［ｘ］）Ｏ.ｍＣａ（Ｆ↓［ｙ］Ｃｌ↓［１－ｙ］）↓［２］.ＳｉＯ↓［２］：ｚＥｕ.ｎＭｎ，其中：ｎ＝０时，０≤ｘ≤０．４５，...

本发明涉及一种垂直在硅／绝缘层结构（简称ＳＯＩ，Ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）衬底上的ＺｎＯ（氧化锌）纳米结构及其制备方法。本发明垂直在硅／绝缘层结构衬底上的ＺｎＯ纳米结构是在硅／绝缘层结构衬底表面垂直生长有呈六边形结构的Ｚ...

本发明公开了一种气敏传感元件的电极部件，包括基片和在该基片上形成的加热电极和气敏信号电极，加热电极和气敏信号电极位于基片的同一端面，加热电极和气敏信号电极之间不接触。该部件可应用于气敏传感元件上，制作成本低且制造效率高，且部件表面温度均...