【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构。
技术介绍
太赫兹(THz)波在电磁波谱中占有一个很特殊的位置，其频率范围大致为 0. l-10THz(THz=1012Hz)。在长波方向，它与毫米波有重叠；在短波方向，它与 红外线有重叠。由于其所处的特殊位置，THz波具一系列特殊的性质在频域上， 太赫兹处于宏观经典理论向微观量子理论的过渡区，处于电子学向光子学的过 渡；它覆盖了包括蛋白质在内的各种大分子的转动和振荡频率；它的量子能量 很低，不会对物质产生破坏作用；所以与X射线相比，有很大的优势，必将成 为研究各种物质——特别是生命物质——强有力的工具，因此，在基础科学上 有很重要的学术价值。此外，在科学技术上及工业上也有很多很诱人的应用。 由于太赫兹的波长比微波小1000倍以上，所以其空间分辨率很高。因此可用于 如信息科学方面的高空间、时间分辨率成像，信号处理以及大容量数据传输； 材料科学方面的分层成像、生物成像；等离子体聚变的诊断；天文学及环境科 学等。而且在国防上也有着极其重要的应用前景如毒品的检测、武器的搜查 和军事情报的收集等。在THz科学...
【技术保护点】
一种基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构，其由下往上依次包括绝缘衬底、有源层及绝缘保护层，有源层的两侧还分别设有侧面电极，其特征在于：该有源层由具有负微分迁移率的材料制成，它包括位于有源层左右两端的低电阻区域、位于有源层中间的电场强度分布不均匀的高电阻区域，且两低电阻区域通过高电阻区域相连通。
【技术特征摘要】
1、一种基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构，其由下往上依次包括绝缘衬底、有源层及绝缘保护层，有源层的两侧还分别设有侧面电极，其特征在于该有源层由具有负微分迁移率的材料制成，它包括位于有源层左右两端的低电阻区域、位于有源层中间的电场强度分布不均匀的高电阻区域，且两低电阻区域通过高电阻区域相连通。2、 根据权利要求1所述的基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构， 其特征在于该高电阻区域的上下两侧分别设有绝缘区域，且每一绝缘区域的 整体几何形状关于有源层的中心线不对称。3、 根据权利要求1所述的基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构， 其特征在于该高电阻区域的上下两侧分别设有绝缘区域，且绝缘区域中存在 关于绝缘区域中心线不对称的电荷分布。4、 根据权利要求2所述的基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构， 其特征在于该绝缘区域呈L型。5、 根据权利要求3所述的基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构， 其特征在于该绝缘区域内设有不与其它区i或联通的孤立区域。6、 根据权利要求3所述的基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构，其特征在于该绝缘区域上下两端设有改变绝缘区域中电荷分布...
【专利技术属性】
技术研发人员：王钢，宋爱民，许坤远，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]
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