专利查询
首页
专利评估
登录
注册
中山大学专利技术
中山大学共有22159项专利
一种芯片焊点在线检测和缺陷辨识装置及芯片封装装置制造方法及图纸
本发明提供一种芯片焊点在线检测和缺陷辨识装置及芯片封装装置,包括检测平台、图像采集装置、图像处理系统、前端接口;所述检测平台作为处理芯片检测样品的平台,其通过前端接口与芯片封装设备连接,并可使检测样品发热;所述图像采集装置设于检测平台上...
小功率模块化太阳电池组件制造技术
一种小功率模块化太阳电池组件,其包括玻璃板和太阳电池片,太阳电池片具有正、负电极,所述的玻璃板包括顶面玻璃板和底面玻璃板,在顶面玻璃板和底面玻璃板之间环围设置有密封用的间隔条,该间隔条与顶面玻璃板和底面玻璃板之间均密闭相连,三者形成一个...
一种半导体发光器件及其制造方法技术
本发明公开了一种半导体发光器件,其包括衬底及层叠于衬底上的半导体外延叠层,该半导体外延叠层由下往上依次包含N型层、发光层和P型层。在衬底的下表面设置有一电极。在P型层的上表面设置有P型电极,其中,部分P型层被刻蚀到N型层,并设置有N型电...
一种GaN基发光二极管用的荧光粉及其制备方法技术
本发明公开了一种GaN基发光二极管用的荧光粉及其制备方法。该荧光粉的化学组成式为A(M↓[1-x-y]Ce↓[x]RE↓[y])Ga↓[3]S↓[6]O,其中A为Ca、Sr、Ba中至少一种元素;M为La、Y、Gd中至少一种元素;RE代表...
半导体光电探测器芯片结构制造技术
本发明公开了一种半导体光电探测器芯片结构,包括衬底、层叠于衬底上的吸收层及层叠于衬底下的N型电极,部分的吸收层上形成有P型重掺杂层,P型重掺杂层上设置有P型电极,且P型重掺杂层上还形成有一入射光窗口,其中,P型重掺杂层的四周填充有绝缘材...
一种有机电致发光器件制造技术
本发明涉及一种有机电致发光器件,该器件由基底(1)、底电极(2)、载流子传输层(3)、发光层(4)、载流子传输层(5)、上电极(6)构成,其特征是有机材料发光层(4)由发光材料8-羟基喹啉铝(Alq↓[3])掺杂的9,10-二萘基蒽(A...
一种利用光子晶体结构抑制侧向出光的发光二极管器件制造技术
本发明公开了一种利用光子晶体结构抑制侧向出光的发光二极管器件,其包括衬底及层叠于衬底之上的半导体外延层,该半导体外延叠层包含N型层、发光层和P型层,P型层上设置有P型电极,部分半导体外延叠层被刻蚀至N型层,露出的部分N型层上设置有N型电...
一种半导体发光器件及其制造方法技术
本发明公开了一种半导体发光器件,其包括替代衬底及通过金属层依次连接于替代衬底上的半导体外延叠层,该半导体外延叠层由上往下至少包含一个缓冲层、N型层、发光层和P型层,N型层内设有导电体,其一端向上延伸露出缓冲层,并设有N型电极,其另一端与...
具有光子晶体高反射层的半导体发光二极管器件制造技术
本发明涉及一种具有光子晶体高反射层的半导体发光二极管器件,包括衬底及沉积于衬底上的半导体外延叠层,该半导体外延叠层自下而上包括N型层、发光层及P型层,P型层的上表面设置有P型电极,部分半导体外延叠层被刻蚀并露出部分N型层,露出的部分N型...
一种以建筑瓷砖为基底的太阳电池组件制造技术
本发明公开了一种以建筑瓷砖为基底的太阳电池组件,由玻璃板、太阳电池片和建筑瓷砖片依次层压而成。本发明的电池太阳组件既能利用光伏发电,又能作为建筑件,实现光伏建筑一体化,降低建筑成本。本发明的电池太阳组件可以从不同方向引出电极,当有多个组...
禁带宽度梯度化Mg*Zn***O光电薄膜及其制备方法技术
本发明提供了一种禁带宽度梯度化Mg↓[x]Zn↓[1-x]O光电薄膜,是由Mg↓[x]Zn↓[1-x]O构成的具有若干层的薄膜,其中x=0~0.25。本发明还提供了上述薄膜的制备方法,包括以下步骤:制备前驱液;制备Mg↓[x]Zn↓[1...
一种用于LED的硅基氮化镓外延层转移方法技术
本发明公开了一种用于LED的硅基氮化镓外延层转移方法,包括以下步骤:将有氮化镓膜层的硅基与金属箔用粘合剂粘合或在其上溅射纳米粒子防护层;在金属箔或纳米粒子防护层的表面镀上防护性金属镀层;在防护性金属镀层表面涂敷耐腐蚀物质;然后浸入硅基的...
一种反向偏压诱导的双稳态非易失性存储器制造技术
本发明属于存储技术领域,尤其涉及一种反向偏压诱导的双稳态非易失性存储器,其包括SrTi↓[0.99]Nb↓[0.01]O↓[3]半导体(1)、设于SrTi↓[0.99]Nb↓[0.01]O↓[3]半导体(1)上的TiO↓[2]薄膜(2)...
一种氮化镓外延层转移方法技术
本发明公开了一种氮化镓外延层转移方法,包括以下步骤:在附有基体的氮化镓层表面镀覆金属层;将上述基体嵌入模具中并使金属层处于模具内侧;用树脂填充模具与基体之间的空隙;将上述模具浸入腐蚀液,至基体完全被腐蚀。与现有技术相比,本发明克服了转移...
一种镝激活的无汞荧光灯用稀土白光发光材料及其制备方法技术
本发明公开了一种镝激活的无汞荧光灯用稀土白光发光材料,具有如下的化学组成表示式:M↓[5-2x]Dy↓[x]R↓[x](PO↓[4])↓[3]F;其中,M为碱土金属离子,选自Ca↑[2+]、Ba↑[2+]、Sr↑[2+];R为碱金属离子...
一种快速响应的场发射冷阴极电子源结构制造技术
本发明涉及一种快速响应的场发射冷阴极电子源结构,其内容及特征是:将呈容性阻抗特性的器件或电路与场致电子发射结构以串联形式连接,或者将呈感性阻抗特性的器件或电路与场致电子发射结构以并联形式连接,组成冷阴极电子源结构;通过引入补偿阻抗,减少...
冷阴极电子发射表面层结构及其制造方法技术
本发明涉及一种场致电子发射表面层结构及其制造方法。在布满腐蚀坑的衬底硅(111)面上沉积上一层非连续的、呈分立岛形状的金刚石颗粒表面层,构成阈值电压低的冷阴极电子发射表面层结构。由于该表面层结构具有优良的场致特性,适用于各种面积(包括1...
一种冷阴极电子枪制造技术
本发明公开了一种冷阴极电子枪。其在底座上固定有一冷阴极材料做成的冷阴极,在冷阴极的正上方有一网状栅极,在网状栅极的正上方有一圆孔状的聚焦极,上述电极均通过支架相互绝缘地固定在底座上。聚焦极的正上方还可以设置一网状屏蔽极,屏蔽极通过屏蔽极...
一种多层结构场发射显示器制造技术
本发明提供一种工艺简单,性能优良,具有多层结构的场发射显示器,其结构包括阴极基板,栅极基板和阳极基板,各基板之间使用固体绝缘材料保持相互绝缘并分别加有工作电压,此三层基板以预定间隔固定彼此相对位置并真空封装,所述阴极基板上设置有作为电子...
可印制的纳米材料冷阴极浆料及其场发射冷阴极的制备方法和应用技术
本发明公开了一种可印制的纳米材料冷阴极浆料,及采用该种浆料制备场发射冷阴极的方法和应用。该浆料以导电的纳米材料、无机粘结剂、有机溶剂和助剂作为主要成分。其中,导电的纳米材料可以是碳纳米管、碳纳米棒、碳60,碳纳米颗粒、也可以是其他导电的...
首页
<<
1044
1045
1046
1047
1048
1049
1050
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
133943
珠海格力电器股份有限公司
99092
中国石油化工股份有限公司
87105
浙江大学
81097
三星电子株式会社
68153
中兴通讯股份有限公司
67281
国家电网公司
59735
清华大学
56382
腾讯科技深圳有限公司
54182
华南理工大学
51641
最新更新发明人
南网数字运营软件科技广东有限公司
110
W·L·戈尔及同仁股份有限公司
231
株式会社电装
10184
SC庄臣父子公司
19
合肥瑞曼达电子科技有限公司
5
常州康辰新材料科技有限公司
2
合肥埃科光电科技股份有限公司
343
中通服节能技术服务有限公司
85
南京高精齿轮集团有限公司
556
东莞市顺兴源包装制品有限公司
19