本发明提供一种用于微流控芯片进样的恒压泵，包括：支架；通过支架固定的活塞装置，其包括套筒，可沿竖直方向做往复运动的活塞杆，以及活塞装置出口；与活塞杆的尾端固定连接的转接架；与转接架两端连接的连接绳；悬挂于所述连接绳中部的配重块；以及与活...

本发明提供一种高通量薄膜压电性能综合表征装置及方法，装置包括：同步辐射光源光束发射器、光接收器、可移动样品台、电源及电极选择器、加热测温装置。本发明通过对同一衬底的压电薄膜移动定位实现薄膜压电性能的高通量表征；同时利用同步辐射光源照射下...

本发明提供一种基于逐层沉积介孔二氧化硅为固定相的微色谱柱制备方法，通过制备微色谱柱主体结构及于微色谱柱主体结构中逐层沉积介孔二氧化硅为固定相，以制备微色谱柱；其中，采用溶胶

本发明提供一种用于单细胞组学分析的细胞

本发明提供一种基于非闭合式磁芯的感应取电电源，包括磁能采集模块和电能管理电路模块，磁能采集模块包括非闭合式磁芯线圈组件和谐振电容，电能管理电路模块包括依次连接的过流过压保护电路、电荷泵倍压电路、稳压电路、超级电容充电电路、超级电容和超级...

本发明提供一种非闭合式磁芯的感应取电装置，包括非闭合式的可抽动磁芯线圈组件和与之相连的电能管理模块，所述可抽动磁芯线圈组件包括多个细柱型磁芯以及套设在所有的细柱型磁芯的外侧的一磁芯线圈，细柱型磁芯的至少一部分相对于磁芯线圈可抽动。本发明...

本申请提供一种碳化硅衬底的制备方法，包括：获取第一碳化硅晶圆和第二碳化硅晶圆；对所述第一碳化硅晶圆和所述第二碳化硅晶圆分别进行离子注入，得到第一离子注入后的第一碳化硅晶圆和离子注入后的第二碳化硅晶圆；对所述第一离子注入后的第一碳化硅晶圆...

本发明涉及传感器技术领域，本发明公开了一种电阻式压力传感器的制备方法及电阻式压力传感器。该电阻式压力传感器的制备方法包括：通过在表面具有互为平行的多个凹槽通道的柔性基底中的每个凹槽通道中倒入导电纳米粒子，从而使得每个凹槽通道形成导电通道...

本发明涉及传感器技术领域，本发明公开了一种压力传感器及其制备方法。该压力传感器包括基底层、纳米单元阵列和保护层；其中该基底层和该保护层为柔性材料，该纳米单元阵列位于该基底层和该保护层之间，该纳米单元阵列为等离激元结构，能够使该纳米单元阵...

本发明涉及传感器技术领域，本发明公开了一种拉力传感器的制备方法及拉力传感器。该拉力传感器的制备方法通过先制备表面具有互为平行的多个第一条状结构的柔性基底；该多个第一条状结构中相邻的第一条状结构之间存在预设距离；该柔性基底处于沿第一方向拉...

本发明涉及一种基于中继无人机节点的移动自组网多源传输路由方法，包括：基于地面普通节点的初始分布位置及移动信息，采用象群优化算法对无人机节点进行部署；其中，无人机节点分为覆盖无人机节点和连通无人机节点；基于多级模糊逻辑系统选择最佳中继节点...

一种生长单晶硅的方法，该方法包括：在长晶炉的坩埚中放置硅料；对所述坩埚进行加热，以使所述硅料熔融为硅熔体；确定所述硅熔体的液面位置；通过磁场发生器向所述硅熔体施加超导磁场，并调整所述磁场发生器的位置，使所述超导磁场的最强点位于所述液面位...

本发明公开了一种晶体生长方法，包括：当晶体生长进入等径阶段，坩埚以第一坩埚转速旋转，晶体以第一晶体转速旋转；当晶体生长至第一长度，坩埚以第二坩埚转速旋转，和/或晶体以第二晶体转速旋转；其中，所述第二坩埚转速小于所述第一坩埚转速，所述第二...

本发明提供一种金属氧化物催化剂活性测试装置及测试方法，金属氧化物催化剂活性测试装置包括密封仓、集成式谐振悬臂梁、气氛控制系统、驱动控制系统及表征分析结果显示系统；本发明通过执行集成式谐振悬臂梁自清洁、获取测量基线、样品制备、预处理、获取...

本发明提供一种宽频光学器件的逆设计方法，包括：利用电磁仿真软件批量计算数万组结构基元的向量相位分布的样本库；搭建改进版的生成对抗网络，所述生成对抗网络的由生成器和判别器组成；利用样本库来训练生成对抗网络；由智能算法确定目标光学器件的各个...

本发明提供一种太赫兹阵列成像装置及其成像方法，包括：太赫兹激光源及依次设置在光路支架上的离轴抛物面反射镜、样品板、平移台、太赫兹阵列探测器；平移台上设置有透镜，透镜在光路支架上沿竖直方向移动；太赫兹激光源输出发散的太赫兹激光；离轴抛物面...

本发明提供一种二维封闭式表面波光子晶体结构，包括第一金属板、第二金属板、金属柱及缺陷金属柱，第一金属板与第二金属板对应设置，金属柱呈二维周期性排列于第一金属板及第二金属板之间，且金属柱的相对两端分别与第一金属板及第二金属板相接触，以构成...

本发明提供一种光子晶体双带通滤波器，包括第一金属板、第二金属板、金属柱及缺陷金属柱，第一金属板与第二金属板对应设置，金属柱呈二维周期性排列于第一金属板及第二金属板之间，且金属柱的相对两端分别与第一金属板及第二金属板相接触，以构成金属柱阵...

本发明提供一种单晶生长方法及晶圆，所述单晶生长方法包括：提供熔体和经过掺杂的籽晶；获取所述经过掺杂的籽晶的初始长度l0；将所述经过掺杂的籽晶浸入所述熔体中，获取所述经过掺杂的籽晶露出所述熔体表面的长度l1，其中l0＞l1；利用所述熔体和...

本发明提供一种基于VN的SNS约瑟夫森结及其制备方法，该基于VN的SNS约瑟夫森结的制备方法包括以下步骤，提供一衬底，采用直流反应磁控溅射于衬底上形成包括NbN底层膜、VN势垒层及NbN顶层膜的功能材料层，刻蚀功能材料层以形成包括底电极...