中国科学院福建物质结构研究所专利技术

中国科学院福建物质结构研究所共有3252项专利

  • 一种新型的1.54μm波段稀土离子激活的钆镓石榴石激光晶体,涉及激光晶体材料领域。该激光晶体材料的化学式为Yb:Er:Ce:Gd↓[3]Ga↓[5]O↓[12]。采用Ga↓[2]O↓[3]和Gd↓[2]O↓[3]、Er↓[2]O↓[3]...
  • 一种新型的1.54μm波段稀土离子激活氧化钇激光晶体,涉及激光晶体材料领域。该晶体材料的化学式为Yb:Er:Ce:Y↓[2]O↓[3]。采用Y↓[2]O↓[3]、Er↓[2]O↓[3]、CeO↓[2]、Yb↓[2]O↓[3]作为原料,在...
  • γ天花粉蛋白的快速纯化及其结晶技术,公开了从栝楼(Trichosanthes kirilowii)块根中提取的一种新的核糖体失活蛋白-γ天花粉蛋白(γ-trichosanthin),ESI-MS测定其分子量为27262Da。γ天花粉蛋白...
  • 一种用于快速生长大截面磷酸二氢钾(简称KDP)晶体的载晶架,由左侧板(1)、右侧板(4)、上横板(3)、下横板(6)、籽晶杆(2)所组成,其特征在于:它制作成截面为口字形。
  • 一种籽晶杆接头器,其特征在于:该接头器由圆筒状接口(1)、圆柱体(2)和圆柱体(4)组成,三个圆的轴心相同;该接头器由铂金或铱金材料制成;使用时,将陶瓷杆插入圆筒状接口(1)中,用铂金丝通过两个槽(5)将接头器和陶瓷杆固定在一起;通过将...
  • 一种双控温晶体生长炉,其特征在于:该生长炉由晶体转动装置(1)、加热器(2)、隔热层(3)、加热器(4)、底座(5)、下加热器热电偶(6)和上加热器热电偶(7)组成,通过控制加热器(2)和(4)的不同升降温速率,来获得不同的生长温度区间...
  • 本实用新型用于磷酸二氘钾(化学式KD↓[2]PO↓[4]简称DKDP)单晶生长。它是由用塑料板焊接而成带有前后两个观察窗的圆形槽、内套一个玻璃培养缸组成的。外槽注入水作介质,配有一个带液封的电动搅拌,槽与培养缸交界处垫以充气的橡皮密封圈...
  • 一种新型的KDP类晶体的生长装置,涉及人工晶体生长领域。它是由主槽体6和育晶缸8两个部分组成。本实用新型的生长装置可用于磷酸二氢钾、磷酸二氯钾、磷酸二氢铵和磷酸二氘铵及同系列的KDP类晶体的生长。使用这种生长装置,能很好地克服在晶体生长...
  • 一种籽晶杆居中调节器,是由上法兰盘(2)、螺丝调节器(3)和下法兰盘(4)组成,其特征在于:通过下法兰盘(4)上的三个螺丝固定籽晶杆;通过螺丝调节器(3)调整下法兰盘的水平角度。
  • 一种大型溶液法晶体培养缸,由晶体生长缸(1)、恒温水浴缸(8)和工程塑料外套(12)三部分组成。而晶体生长缸(1)又由缸体(1-1)和缸盖(2)组成;缸盖(2)上有载晶架安装孔(3)和操作孔(4);缸体(1-1)上有缸体法兰(2-1)、...
  • 带盖石墨坩埚,主要用于生长技术,主要是采用坩埚下降法生长晶体时。该坩埚是用无碳化石墨作为原材料加工成的,由坩埚(3)和坩埚盖(1)两部分组成,坩埚以石墨棒为材料,加工成圆桶锥型;坩埚底部是锥型,坩埚上部有一个小洞(2)。该坩埚以无碳化石...
  • 一种大尺寸磷酸二氢钾晶体翻转装置,该装置由箱体(1)、泡沫塑料垫层(2)、可拆卸转动轴(3)、三角支架(4)和螺栓(8)组成,其特征在于:箱体(1)是由五块不锈钢板用螺栓(8)连接成长方体,开口尺寸通过旋转螺栓(8)来调节箱体(1)的尺...
  • 一种溶液法晶体生长的磁力搅拌装置,其特征在于:该装置由可逆电动机(1)、永久磁铁(2)、磁转子(3)、电位器(4)和密封盒(5)组成;将永久磁铁(2)安置在电动机(1)转轴上并固定在密封盒(5)底部,电动机(1)的电源线经密封套管与含电...
  • 一种适合于X射线光谱分析用的晶体材料及其生长方法,该晶体用水溶液降温法生长,所用溶剂为水,籽晶的形状为长条状,生长温度区间为60℃--室温.该晶体可用沾水的纱线切割,用刀片解理出所需尺寸的晶片,制成平晶或弯晶X射线单色器.该晶体的(02...
  • 关于熔盐籽晶法生长晶体的方法。用这种方法生长的低温相偏硼酸钡单晶,经全面性能测试工作,证实该晶体是一种优良的非线性光学、热电等多功能材料,其培养方法包括配料、下籽晶、生长三个步骤,采用Na-[2]O或NaF作助熔剂;籽晶的位置位于熔液表...
  • 本发明是一种尿素长棒籽晶的生长方法。采用溶液降温法,在尿素的甲醇饱和溶液中添加乙醇胺来提高尿素单晶在(001)方向的生长速度,抑制(110)柱面的扩大生长,从而得到在(001)方向的生长速度约为每天4mm。长度大于185mm的长棒籽晶。。
  • 关于改进的熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶的方法,属晶体生长工艺。其生长方法包括配料,下籽晶、生长和出炉四个步骤。本法所用籽晶中心钻孔,并将籽晶杆旋入或插入孔中以固定籽晶,籽晶取向为C轴成0-60度的夹角,降温速率为0.01℃-0.1℃...
  • 本发明涉及一种新型非线性光学晶体硼铍酸锶(分子式为:Sr↓[2]Be↓[2]B↓[2]O↓[7],简称SBBO)。通过固相合成方法在高温下烧结获得SBBO化合物,其化学反应方程式为: 2SrCO↓[3]+2BeO+2H↓[3]BO...
  • 本发明属于一种大截面磷酸二氢钾(简称KDP)单晶体快速生长法。采用降温法或恒温流动法、恒温蒸发补液法,在KDP的饱和溶液中添加乙醇胺来提高KDP提高(X.Y.Z)三个方向的生长速度,使KDP晶体在这种稳定的溶液条件下实现全方位的快速生长...
  • 气冷晶体法生长低温相偏硼酸钡(β-BBO)大单晶的要点是在用熔盐提拉法或熔盐籽晶法生长BBO晶体时,用压缩气体通过导管连续的吹向正在生长的晶体的上表面。由于晶体表面不断受到冷却,加快了生长界面处结晶时结晶热的散发和晶体生长界面处的排杂过...