一种含有有机半导体的夹心型场效应晶体管，包括衬底（１），在衬底（１）上形成栅电极（２），栅绝缘层（３）形成在衬底（１）和栅电极（２）上，其特征在于有源层（４）形成在栅绝缘层（３）上，并露出部分绝缘层（３），源／漏电级（５）形成在部分有源...

一种有机薄膜晶体管，包括衬底（１）、在衬底（１）上形成的栅极（２），在栅极上面形成栅绝缘层，在绝缘层上形成源电极（５）和漏电极（６），在源电极（５）及漏电极（６）上形成半导体有源层（７），绝缘层为不同介电常数的第一绝缘层（３）和第二绝缘...

一种具有耗尽型工作模式或反型工作模式的有机半导体场效应晶体管，包括衬底（１），在衬底（１）上形成栅电极（２），在衬底（１）和栅电极（２）上形成栅绝缘层（３），在栅绝缘层（３）上形成第一半导体层（４），在第一半导体层（４）上形成源／漏电级...

一种含有保护层的有机半导体场效应晶体管，包括衬底（１），栅电极（２）形成在衬底（１）上，栅绝缘层（３）形成在衬底（１）和栅电极（２）上，第一半导体层（４）形成在栅绝缘层（３）上，第二半导体层（６）形成在第一半导体层（４）上，保护层（５）...

一类反射式有源矩阵液晶显示装置，其特征是驱动像素的开关元件为有机薄膜晶体管。

一种透反式有源矩阵液晶显示装置，其特征在于，驱动像素的开关元件为有机薄膜晶体管。

一类采用二种或二种以上有机分子构成的高于单质材料载流子迁移率性能的有机半导体材料。

一种红光稀土有机配合物电致发光器件的制备方法，其特征在于将荧光染料与三价稀土铕的配合物分别按照０．２％－２％，１％－１０％的浓度同时掺杂到４，４－Ｎ，Ｎ′－二咔唑联苯中，制备成结构为铟锡氧化物／Ｎ，Ｎ′－双（３－甲基苯基）－Ｎ，Ｎ′－二...

一种源／漏电极与栅绝缘层间含有修饰层的有机薄膜晶体管器件，由（１）－衬底，（２）－栅极，（３）－栅绝缘层，（４）－修饰层，（５）－源极，（６）－漏极，（７）－有机半导体层组成。

一种高分子压电材料有序取向装置，由拉伸设备和有序取向仪两部分组成，拉伸设备两端牵引拉伸辊（１）和制动拉伸辊（４）为两对钢辊，压紧辊（２）为耐高温硅橡胶制成，在薄膜成形后装有展平辊（３），（１）、（２）、（３）、（４）四对辊插入圆孔轴套内...

一种红光有机电致发光器件，其特征在于器件由１）玻璃衬底、２）ＩＴＯ电极、３）空穴传输层、４）掺杂的发光层、５）电子传输层、６）缓冲层、７）金属阴极组成。

本发明属于提供一种表面等离子体共振图像分析金膜点阵列的制备方法。采用软件设计所需的点阵阵列图样，用透明胶片高精度打印的方法制备掩模（Ｍａｓｋ）。把正性光刻胶旋涂于ＳＰＲ金片表面，紫外光通过掩模曝光后，用碱液显影。然后采用选择性化学刻蚀暴...

本发明公开了一种图案化有源层有机薄膜晶体管的制作方法和有源矩阵液晶显示装置的制备方法。采用剥离技术图案化有源层，减少光刻过程中对有源层的损伤。本发明所构建的有机薄膜晶体管具有高的场效应迁移率，高的开关态电流比性质。图案化有源层有机薄膜晶...

本发明属于一种有机存储器及其制造方法，涉及一种单层有机存储器及其制造方法。采用夹层结构，把有机薄膜ＮＰＢ或染料掺杂的ＮＰＢ夹在两个交叉的电极之间，其中一个电极为金属Ａｇ电极。当在两个电极之间加电压，器件就会从一个状态开关到另一个状态，这...

本发明属于含有磷酸酯的醇溶性聚芴类高分子材料作为发光材料在电致发光和平板显示器件及荧光传感器中的应用技术领域。该类含有磷酸酯基团的醇溶性聚芴类高分子材料的电致发光器件，可以通过溶液加工的方法简单地制备来得到高亮度、高效率、低功耗的全色发...

本发明属于有机薄膜晶体管技术领域，具体涉及含有非反应活性缓冲层的有机薄膜晶体管及其制作方法。本发明通过在源／漏电极和有机半导体层之间增加一层非反应活性的缓冲层，缓冲层是有机半导体材料，电导率在１０↑［－６］～１０↑［－１］Ω↑［－１］ｃ...

本发明属于电化学工作电极的制备技术领域。具体涉及一种纳米材料增韧环氧树脂封装材料制备的电化学工作电极的方法，其步骤和条件如下；１）将电极基体材料及嵌入导电的铜质金属杆置于固化成型的模具中；２）将制成的纳米材料增韧环氧树脂封装材料浇铸到１...

本发明属于光电子材料技术领域，涉及菲／噻吩杂化高迁移率有机半导体及将其作为传输层用于有机薄膜晶体管。该菲／噻吩杂化高迁移率有机半导体结构通式如右式。本发明提供的菲／噻吩杂化高迁移率有机半导体具有高的热稳定性和环境稳定性，可通过真空升华的...

本发明属于光电子材料技术领域，涉及稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及其作为电荷传输层用于有机薄膜晶体管。该有机半导体材料的结构通式如（Ａ）其中（Ｂ）为包括以下结构通式的基团：［见式（Ⅰ）（Ⅱ）（Ⅲ）］，其中Ｘ＝Ｓ，Ｃ＝Ｃ，...

本发明属于聚偏氟乙烯压电薄膜传感器及其制备方法。传感器为长方形薄片状，厚度为３０～５０μｍ。将聚偏氟乙烯树脂挤出成膜，然后进行同步拉伸极化，利用模具进行真空镀膜，获得具有压电效应的适合用于电子白板的传感器。拉伸比为４．５∶１，极化温度为...