中国科学院长春应用化学研究所专利技术

中国科学院长春应用化学研究所共有5862项专利

  • 本发明涉及一种改善有机半导体与金属电极之间接触的含有有机异质结的电接触材料。本发明的特征是所采用的含有有机异质结的电接触材料是由电子型和空穴型有机半导体及其构成的异质结组成。本发明还涉及到采用这种含有有机异质结的电接触材料作为缓冲层的有...
  • 本发明属于一种提高聚合物薄膜太阳能电池能量转换效率的方法。该聚合物太阳能电池器件采用透明铟锡氧化物(ITO)作为阳极,金属铝为阴极。阳极采用聚噻吩衍生物掺杂聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)修饰,活性层为P3HT:PCBM的混合物。在活...
  • 本发明属于双磷光染料共掺杂白光有机电致发光器件及其制备方法。采用夹层结构,把两种高效磷光染料共同掺杂在宽带隙主体中作为发光层,并利用发光层与其两侧功能层的能级差形成一种能量阱式的结构,将激子完全限制其中从而复合发光。器件结构为铟锡氧化物...
  • 本发明涉及一种用高电导率空穴传输材料作为空穴传输层的有机电致发光器件。所述的高电导率空穴传输材料的空穴传输层是由有机主体材料和高导电率的金属氧化物掺杂组成。本发明的金属氧化物掺杂有机主体的空穴注入传输层具有非常高的电导率,电导率在10↑...
  • 本发明涉及一种含二噻吩并吡咯的给体-受体型共轭聚合物及其制法和应用。采用给体-受体共聚的构造方式来制备共轭聚合物,使其吸收光谱红移,覆盖紫外可见及近红外区以充分利用太阳光。给体选用了二噻吩并吡咯这种平面性好、电子云密度高且容易制备的构造...
  • 本发明提供一种并联结构叠层聚合物太阳能电池。该太阳能电池采用高功函数金属金、银作为半透明阳极提取空穴。阳极两侧采用用p型金属氧化物三氧化钼或氧化钨作为空穴传输层连接上下子电池光敏层构建内建电场,提高载流子收集效率。叠层电池中的上下两个子...
  • 本发明提供了基于有机半导体异质结电荷产生层作为连接层的叠层有机电致发光器件及制法。该器件两端的阳极和阴极至少有一个是透明的,在阳极和阴极之间有多个有机发光单元,这些有机发光单元从阳极到阴极逐一堆叠,在任意的两个发光单元之间是基于有机半导...
  • 本实用新型属于薄膜太阳电池热处理装置的设计。该装置包括自动控温,通过电机及精密丝杠、压敏元件等,实现了压力指示和控制,它可以任意选取合适的热处理的温度、压力。实现温度、压力双向选择,为薄膜太阳电池研究和批量生产提供了一套体积小,使用方便...
  • 一种高分子压电薄膜晶型转换仪,包括控制箱,水箱,加热板,固定架,支架及带滚珠轴承的圆辊,通过链轮将辊平行用链条联接,通过减速器用可调电机带动,其特征在于水箱(2)为一长方形带有四条腿,用金属制成,水箱带有外檐,水箱内层底部有一层加热板(...
  • 一种太阳能充电仪的栅极,其特征在于总栅极(1)为长方形框式结构,框的中间垂直于长度有若干个条形栅极(2),栅极下面为硫化亚铜层(3),硫化亚铜层下面为硫化镉层(4)。
  • CdS太阳电池的蒸发装置包括在一个容器内装上套有高温绝缘管的加热丝绕成4—8层结构的加热器,形成多层加热系统,在层与层之间放入待蒸发的原料。这种蒸发源重现性好,寿命长,节省原料并降低成本。制成面积为50cm+[2]的太阳电池其转换效率为...
  • 硅器件化学镀镍与化学腐蚀工艺,本发明属硅器件生产中在硅片表面实现无黑胶掩蔽选择性化学镀镍与化学腐蚀技术。采用本发明的工艺,可一步实现太阳电池正面栅电池和背电池的制造,用在硅器件的选择性镀镍与腐蚀工艺也可取代繁复而又有害的黑胶掩蔽工艺。
  • 本发明采用一种新的复合氧化物材料体系制备的可燃性气体敏感元件,其抗水气、乙醇及烟雾等干扰能力较强,且具有对H-[2]、CH-[4]、C2H-[8]、C4H-[10]、C-[6]H-[12]等可燃性气体检测灵敏度高,响应恢复快,长期工作稳...
  • 本发明属于常温半导体气体敏感元件的制备。该元件在常温下使用,检测烟雾和可燃性气体,其结构和工艺简单,成本低,灵敏度高,响应和恢复时间快。其配方组成为:以SnO-[2]量为基准,SnCl-[4]量为SnO-[2]的0.5-1.5倍,贵金属...
  • 本发明属于一种新体系的高温超导材料。本发明以SrVO↓[3-y]为基体,以银作为第四组分,并控制银的含量在0.05~0.30mol时,经过加温灼烧,在氢气下还原,加压成片后再次加温还原烧结,随炉冷却到室温可得到最高Tc=125K的高温超...
  • 本发明属于在常温下测量一氧化碳气体的敏感元件的制备技术。本发明选择SnO↓[x]为主体材料其中x值在1.0-1.6之间是非化学剂量比,这一配比,通过硫酸亚锡热分法获得。制备的敏感元件可以实现一氧化碳气体的室温检测,并且对甲烷丁烷、庚烷等...
  • 本发明属于聚偏氟乙烯压电薄膜的制备方法。本发明采用聚偏氟乙烯树脂为原料,挤出成膜,在拉伸机上拉伸,之后热处理,在真空室中镀铝电极,极化直接在保温室中进行,最后制得压电参数d↓[33]值达10~34的聚偏氟乙烯压电薄膜。本发明制备工艺中采...
  • 本发明属于单层薄膜电致发光器件的制备。本发明是提供一种单层电致发光器件的制备方法,首先选择高效荧光物质氯化甲基三脂肪胺、二苯甲酰甲烷与铕组成的三元配合物作为发射物质,选择聚乙烯基咔唑作为基质和空穴输运物质,选择2-(4-联苯)-5-(4...
  • 本发明属于直径和长度可控金属纳米导线的化学制备方法。在不同的基体上操作,包括云母、玻璃、陶瓷、塑料等。将扫描探针显微镜基底云母或玻璃片浸泡在乙氰的十八烷基硫醇饱和溶液中,取出风干后备用;将扫描探针针尖置于空气等离子体中放电进行亲水处理,...
  • 本发明属于一种有机薄膜晶体管开关器件及制作方法,含有遮光层的顶电极构型器件其源漏电极置于有机半导体层之上,其中,栅极在基板上,绝缘层在栅极和基板上,有机半导体层在绝缘层上,低介电有机光刻胶岛在有机层上,源极和漏极在绝缘层和有机半导体层上...