常温一氧化碳气体敏感元件的制备方法技术

本发明专利技术属于在常温下测量一氧化碳气体的敏感元件的制备技术。本发明专利技术选择ＳｎＯ↓［ｘ］为主体材料其中ｘ值在１．０－１．６之间是非化学剂量比，这一配比，通过硫酸亚锡热分法获得。制备的敏感元件可以实现一氧化碳气体的室温检测，并且对甲烷丁烷、庚烷等干扰气体在规定浓度下灵敏度低，选择性好，长期工作稳定。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于在常温下测定一氧化碳气体的敏感元件的制备技术。为了避免一氧化碳气体对人体的毒害作用，进行燃烧过程控制和火灾预警的需要，利用金属氧化物半导体材料在一氧化碳气氛中的电导变化，实现一氧化碳气体的低浓度检测，一直是气体传感器研究中的热门课题。目前可用于一氧化碳气体检测的半导体气敏元件为加热元件。日本费加罗公司生产的TGS203型气敏元件是采用高低温循环加热方式，低温80℃检测，高温300℃脱附。其元件主材料为SnO2，添加剂有0.4Wt%Pd和50Wt%x-AL2O3N·Murakami，K·Takahata and T·SeiYama.Proc.4th Int·conf·Solid-state sewsors and Actuators，Tokyo.Japan，June 2-5，1989，618-621)。本专利技术的目的是提供一种利用SnOX多晶粉末为主体材料并通过适当掺杂制备常温CO气体敏感元件的方法。本专利技术的以SnOX为主体材料，SnOX中的x值在1.0-1.6之间呈非化学剂量比，SnOX通过硫酸亚锡热分解法获得。本专利技术的添加剂为Al2O3，MgO、Pt粉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种常温一氧化碳气体敏感元件的制备方法是以ＳｎＯ↓［ｘ］为主体材料，以Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］，ＭｇＯ，Ｐｔ，Ｐｄ，ＴｈＯ↓［２］为添加剂，将原料制成糊状浆料，涂敷在金属电极上，制成微珠式元件，再经烧结，老化制成敏感元件，本专利技术的特征在于选择ＳｎＯ↓［ｘ］为主体材料，其中ｘ值在１．０～１．６之间。是非化学剂量比，这一配比通过硫酸亚锡热分解法获得。

【技术特征摘要】
1.一种常温一氧化碳气体敏感元件的制备方法是以SnOx为主体材料，以Al2O3，MgO，Pt，Pd，ThO2为添加剂，将原料制成糊状浆料，涂敷在金属电极上，制成...

【专利技术属性】
技术研发人员：何敬文，丁金英，刘斌，于黎，
申请(专利权)人：中国科学院长春应用化学研究所，
类型：发明
国别省市：22[中国|吉林]