本实用新型是一种同一发光层含有双掺杂染料共发射的有机发光二极管，属于有机发光二极管（ＯＬＥＤ）器件领域，该有机发光二极管的特征是：在空穴传输层（４）和电子传输层（６）之间有双掺杂染料发光层（５）；或在空穴注入层（３）与电子传输层（６）之...

一种单芯片涂焊锡膏压平及定位调节机构，是由固定轴、调节轴、紧固螺钉组成的，其特征在于本实用新型包括调节垂直轴（９）、径向调节环（１０）、调节紧固螺钉（１１）、沿环球面径向调节环（１２）、凹球面环（１３）、径向调节紧固螺钉（１４）、沿环弧...

本实用新型提出一种车载用ＬＥＤ固体照明灯，由安放发光二极管的铝基线路板、铝合金框架、嵌装在铝合金框架前侧上的亚克力灯罩和安置在铝合金框架后侧上的后盖板组成，所述的铝基线路板上制有按设定间距的数个凹坑，每个凹坑中均设置一发光二极管，通过导...

本实用新型涉及ＬＥＤ发光管显示屏技术领域中的一种异形ＬＥＤ发光管构成的像素模块，其采用的技术方案是：像素模块由外侧面为圆柱形凸面、内侧为１～１０个平面或曲面的红、绿、蓝三种基色柱形ＬＥＤ发光管构成；红、绿、蓝三种基色的ＬＥＤ发光管组合在...

本实用新型属于半导体光电子设备技术领域，涉及一种对多片立式半导体液相外延石墨舟的改进。多片衬底托架在不同的液相外延阶段任意启动，匀速、变速和停止转动，溶液槽制成斜面形。本实用新型主要用于ＤＨ－ＧａＡｌＡｓ ＬＥＤ液相外延材料生长，可使...

本实用新型属于半导体光电子材料制备领域，涉及一种对ＤＨ－Ｇａ↓［１－ｘ］Ａｌ↓［Ｘ］ＡｓＬＥＤ液相外延材料片的改进。它包括衬底４、限定层３、发光层２、窗口层１，统一考虑发光效率和制管工艺成品率，发光效率高、液相外延工艺又能实现、还为后道...

本实用新型属于紫外光敏感的光学传感器技术领域，涉及一种基于磷光材料光伏二极管的有机紫外光光学传感器，采用已经存在的具有低离化能（ＩＰ）和高空穴传输特性的化合物作为给体，具有高电子亲合势（ＥＡ）和大的电子传输特性的磷光化合物作为受体，使材...

本发明属于半导体技术领域，涉及一种对蒸发薄膜半导体器件性能的工艺方法的改进。首先在一次抽真空条件下先制备薄膜半导体器件的介质膜绝缘层，然后，在二次抽真空条件下采用溅射方法于蒸发半导体材料之前，首先在介质膜绝缘层上淀积一层“新鲜”的介质膜...

利用光刻技术和气相沉积技术制作新型热电偶，其特征是用光刻技术和气相沉积技术制作的两种不同材质的微小薄膜有一个结合点，替代焊接在一起的两种不同材质的细长金属电偶丝。该薄膜电偶体积小、重量轻，并且有响应时间短、使用寿命长等优点，将在微电子技...

本发明属于光电子器件领域，涉及对光伏器件的改进。光伏器件在太阳光或紫外光照射下可以发生光→电转换，在施加直流电压时可以发射光。包括金属阴极、有机化合物薄膜层、透明阳极。采用有机化合物薄膜层制成的光电转换和电光转换器件，是不需要外加电源的...

本发明属于硅基半导体微电子材料技术领域，利用金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）在低压状态下，由高频感应在生长室内产生强的等离子体放电轰击Ｓｉ衬底表面，等离子体轰击Ｓｉ表面温度低，使Ｓｉ表面氧化物在低温度下即可分解，实现去除Ｓｉ表面氧化层...

本发明涉及一种对半导体激光器光－电特性测试装置及方法的改进。为了解决上述技术结构相对复杂，测量时间长等问题，本发明使取样电阻与待测半导体激光器并联，待测半导体激光器的激光准直平行后经过分光，分别进入到光二极管和探测器其光强信号及光谱信号...

本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种对薄膜电致发光器件中发光薄膜制备方法的改进。用金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）和低压下由高频感应产生等离子体使气体有机源分解，从而实现低温硫（硒）化锌－锰Ｚｎ（Ｓｅ）Ｓ：Ｍｎ薄膜生长。本发明的薄膜...

本发明涉及用热氧化氮化锌制备受主型氧化锌薄膜材料的方法。在不同衬底上通过高温热氧化氮化锌单晶薄膜获得ｐ－型氧化锌材料，通过控制氧化温度与热氧化时间来控制ｐ－型氧化锌材料的受主杂质浓度。利用高温条件下氧易于替代立方反铁锰矿结构氮化锌中的氮...

本发明属于光电子技术领域，涉及对阵列光电探测器的改进。本发明利用透光狭缝和拼接独立的光电二极管管芯的方法得到一种阵列光电探测器的制备方法。提供了一种低成本光电阵列探测器的实现方法，它可根据需要。实现任意面元间距、面元高度、面元宽度和面元...

本发明属于本发明属于半导体材料领域，涉及在半导体材料Ｓｉ衬底上生长Ⅱ－Ⅵ族薄膜的方法，是对Ⅱ－Ⅵ族半导体薄膜生长方法的改进，本发明先在Ｓｉ衬底上蒸镀一层ＺｎＯ薄膜，然后在氧气气氛下退火以得到取向较好的ＺｎＯ缓冲层，最后用金属有机物化学气...

本发明涉及一种能够在硅衬底上实现线条阵列线间隔离的冷阴极结构。根据矩阵显示分辨率的需要，在导电硅衬底上刻蚀出一定宽度和数量的线条沟道和沟台阵列，在沟道内扩散反型杂质获得ｐ－ｎ结线条沟道并在其一端蒸镀金属，从而实现阵列线条沟道间的隔离，完...

本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种利用分子束外延制备氧化物薄膜的方法，将传统的分子束外延设备改造成等离子体协助分子束外延，发挥分子束外延技术在制备材料方面的优势，获得研究和制备氧化锌薄膜器件的最佳方法。利用射频等离子体源将氧气活化，...

本发明属于光电子材料技术领域，是一种用溶胶－凝胶法制氮化镓纳米薄膜。本发明利用第三主族元素的两性现象，用强碱，像ＮａＯＨ，或ＫＯＨ等，把ＧａＯ溶解。再利用酸，像ＨＮＯ↓［３］，ＨＦ等，重新沉积出Ｇａ（ＯＨ）↓［３］凝胶，然后加入ＮＨ↓［...

一种制备多晶硅的方法，其特征是在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍，薄层厚度为０．５～２．５ｎｍｎｍ，在４００～５００℃温度，氮气气氛下退火２～４小时，形成镍硅化合物ＮｉＳｉ↓［２］；用能量密度为２６０～３６０ｍＪ／ｃｍ↑［２］的准分子...