一种多晶硅薄膜晶体管离子注入机包含有真空室（１５）、抽气装置（５）、气路部分、电控制器，其特征是气路部分通过配气截止阀（１３）同真空室（１５）连接，向真空室运送气态离子；抽气装置（５）通过角阀（１７）和闸板阀（１８）同真空室（１５）连接...

本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种利用等离子体辅助的分子束外延制备氧化物纳米管的方法。先用射频等离子辅助的分子束外延设备，在蓝宝石或硅衬底上生长ＺｎＯ薄层，薄层厚度为１～８ｎｍ。通过射频等离子辅助的分子束外延设备的流量计和漏阀，对气...

本发明属于半导体材料技术领域，是籽晶诱导、低温液相外延自组装生长氧化锌薄膜的方法。将等质量的乙酸锌与碳酸氢钠在室温下充分研磨，在１６０℃下反应２～４小时，将产物用去离子水清洗并在１００℃烘干。利用旋涂技术将１～３％的非晶ＺｎＯ乙醇溶液均...

本发明涉及有机白色发光二极管结构及制备。解决白光色纯度、颜色稳定性和发光效率不高等问题。本发明包括：衬底１、布拉格反射镜２、阳极３、空穴传输层４、发光层５、空穴阻挡层６、电子传输层７、阴极８。本发明通过微腔结构改变有机材料宽谱带发光特征...

本发明属于光学技术领域，是一种利用液晶显示器生产线制作高精度纯位相液晶波前校正器的方法。是将显示器上基板的三基色彩膜被完整腐蚀掉，取向膜摩擦方向改为互相平行，液晶更换为纯向列相液晶，基板外侧粘贴的两片偏振片更换为１片能独立支撑、不易变形...

本发明属于光学技术领域，是一种纯位相调制的透射式ＴＦＴ液晶波前校正器的制备方法。在上基板镀制ＩＴＯ透明导电薄膜，制作ＴＦＴ薄膜晶体管阵列层。在上基板制备黑矩阵，镀制ＩＴＯ透明导电薄膜。分别在上下基板印刷聚酰亚胺取向膜，并进行反平行摩擦处...

本发明属于半导体材料领域，是一种制备多晶硅的方法。本发明将直接沉积在玻璃基板上的非晶硅薄膜，用金属诱导－双次激光退火的方法晶化为多晶硅。首先在普通玻璃基板上制备一层高品质的非晶硅薄膜，然后在非晶硅薄膜上制备一薄层金属镍，并将金属镍光刻成...

本发明属于半导体材料领域，是一种制备微晶硅的方法。本发明将直接沉积在玻璃基板上的非晶硅薄膜，用紫外光辅助热退火的方法使非晶硅薄膜转化成微晶硅。所用的紫外光辅助热退火的方法是将非晶硅薄膜置于真空退火炉中，进行真空热退火的同时辅以紫外光照射...

一种自控液晶光阀组光刻快门，属于光学精密刻划技术领域中涉及的一种光刻快门，本发明要解决的技术问题是：提供一种自控液晶光阀组光刻快门，解决的技术方案是：包括灯盒、托板、液晶光阀组、曝光镜头、微型计算机、待刻码盘；在灯盒的光的传播方向上，从...

本发明涉及将紫光二极管的紫光转换成白光的稀土三基色发光材料，采用化学式（１）：Ｒ↓［２－ｘ－ｙ］Ｏ↓［２］Ｓ：Ｅｕ↓［ｘ］Ｎ↓［ｙ］、化学式（２）：Ｍ↓［３－ｘ－ｙ］（ＰＯ↓［４］）↓［２］.（ＳｒＣｌ↓［２］.６Ｈ↓［２］Ｏ）↓［ｘ］...

一种属于电子元器件检测领域的线阵电荷耦合器件功能性检测装置，包括电源、时序信号发生器、连接插座、驱动电路、测试插座、射极跟随器和示波器。时序信号发生器信号输出端通过连接插座与驱动电路信号输入端相连，驱动电路信号输出端与测试插座相连，测试...

本发明属于半导体材料技术领域，是一种制备Ｐ型ＺｎＯ欧姆电极的方法。利用真空蒸发设备先在ｐ型ＺｎＯ上蒸镀金属Ｎｉ，形成第一层Ｎｉ电极材料，然后蒸镀金属Ａｕ，形成第二层Ａｕ电极材料作为电极，接下来将制备的电极在氮气中低温下进行快速热退火。由...

本发明涉及到一种用紫光二极管转换成发白光的稀土发光材料：用结构式ＭｇＭ↓［２－ｘ］ＳｉＯ↓［２－ｙ］∶Ｅｕ↓［ｘ］↑［２＋］.Ｎ↓［ｙ］组分的物料经混匀研磨装入Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］坩埚；在氢氮或碳气氛中高温烧结合成的发光材料，冷却并分...

本发明涉及用低压金属有机化学气相沉积设备制备铁掺杂的硫化锌单晶薄膜。首先将清洗好的半导体衬底放入生长室内的石墨基座上，控制生长室压力为低压，将高纯氢气通入生长室，调节高频感应电源对石墨基座加热，在６００℃下高温处理衬底１０分钟－２０分钟...

本发明涉及采用低压－金属有机化学气相沉积设备外延生长稀磁半导体合金薄膜的方法。首先选择晶格匹配较好的半导体衬底并进行清洗和６００－６５０℃热处理。采用的反应源为：二甲基镉（ＤＭＣｄ），五羰基铁Ｆｅ（ＣＯ）↓［５］及硫化氢（Ｈ↓［２］Ｓ）...

本发明涉及ＬＥＤ发光管显示屏技术领域中的一种新型三基色ＬＥＤ像素模块，其采用的技术方案是：像素模块由外侧面为圆柱形凸面、内侧为１～１０个平面或曲面的红、绿、蓝三种基色的柱形ＬＥＤ发光管构成；红、绿、蓝三种基色的ＬＥＤ发光管组合在一起，构...

本发明涉及用蓝紫光二极管转换白光的稀土三基色发光材料。用（１）Ｍ↓［３－ｘ－ｙ］（ＰＯ４）↓［２］.（ＳｒＣｌ↓［２］.６Ｈ↓［２］Ｏ）↓［ｘ］∶Ｅｕ↓［ｙ］↑［２＋］，（２）Ｍ↓［１－ｘ］Ａｌ↓［２－ｎ］Ｏ↓［４］.ｎＢ↓［２］Ｏ↓［...

本发明涉及采用电化学沉积生长方法在导电衬底上生长有锰掺杂的氧化锌稀磁半导体薄膜和纳米柱。沉积前，首先对导电衬底进行清洗后作为工作电极；然后采用溶质为ＺｎＣｌ↓［２］、Ｍｎ（ＣＨ↓［３］ＣＯＯＨ）↓［２］和Ｚｎ（ＣＨ↓［３］ＣＯＯ）↓［２...

本发明属于有机磷光电致发光（ＰＯＥＬ）器件技术领域，涉及一种基于一价铜配合物材料的有机磷光电致发光器件，其为层状结构，由衬底到阴极依次为衬底、透明导电膜、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡－电子传输层、电子注入层、阴极；其中发光层...

本发明属于紫外光敏感的光学传感器技术领域，涉及一种基于磷光材料光伏二极管的有机紫外光光学传感器，采用已经存在的具有低离化能（ＩＰ）和高空穴传输特性的化合物作为给体，具有高电子亲合势（ＥＡ）和大的电子传输特性的磷光化合物作为受体，使材料选...