本发明提供一种薄膜化学气相沉积反应室装置及沉积设备，涉及薄膜沉积技术领域

本发明关于一种激光雷达及其控制方法

本公开提供一种氮化镓基激光器及其制备方法，氮化镓基激光器包括：依次叠加的

本公开提供一种硅基

本发明提供一种编码器码盘基线检测系统，包括：高速图像传感器模块，用于获取编码器码盘基线的原始图像；形态学滤波模块，用于预处理原始图像；基线分割模块用于对预处理图像进行基线特征筛选，基线特征提取模块用于提取图像的基线特征；缓存模块，用于实...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种体声波器件结构及制作方法，该方法包括：在衬底上采用目标外延方式外延生长得到缓冲层；在缓冲层上采用目标外延方式外延生长得到布拉格反射层；布拉格反射层用于声波反射；在布拉格反射层上采用目标外延方式外延生长得...

本发明提供一种砷化铟晶体合成生长装置及方法，装置包括：旋转升级系统；石英合成生长管，设置于旋转升级系统上，用于提供真空环境，旋转升级系统用于控制石英合成生长管的旋转及升降；第一坩埚，设于石英合成生长管内部靠近旋转升级系统的一端，用于放置...

本发明的实施例涉及了一种超晶格量子点及其制备方法，属于量子点和低维异质结构技术领域

本发明公开了一种微型发光二极管及其制作方法，该微型发光二极管包括：衬底；缓冲层，形成在衬底上；n型层，形成在缓冲层上；有源层，有源层在n型层上形成第二台面；p型层，p型层在有源层上形成第一台面；n型电极和p型电极，n型电极形成在n型层上...

本公开提供一种基于片上光波导的超声波成像芯片，包括基底层，底部包层，波导光栅层，以及上包层。基底层用于芯片的物理支撑；底部包层设于基底层上，用于限制光场以及降低传输损耗；波导光栅层设于底部包层上，包括多条波导光栅；上包层设于波导光栅层上...

本发明提供一种混合陷光结构及其制备方法，用于增强量子点中间能带太阳能电池的吸收效率，包括：介质膜，设置于量子点中间能带太阳能电池的上表面；第一介质纳米金字塔阵列层，设置于介质膜的上表面；第二介质纳米金字塔阵列层，设置于量子点中间能带太阳...

本发明的实施例涉及了一种偏振光探测器及其制备方法，属于光电技术领域。该偏振光探测器包括：作为栅电极的N型衬底；生长在N型衬底上的绝缘层；具有各向异性的锗锑硒三元晶体形成的有源层，有源层将入射至偏振光探测器的偏振光转换为光电流；形成在有源...

本公开提供了一种薄膜铌酸锂电光调制器芯片及其调制方法，该芯片包括：衬底层、掩埋氧化层、铌酸锂波导层和电极层，从下至上依次叠加；铌酸锂波导层上表面包括相互平行的第一光波导和第二光波导；电极层包括复合行波电极和直流电极；复合行波电极为T型分...

本发明涉及射频通讯技术领域，提供一种射频器件和制备方法，该方法包括：在衬底上采用目标外延方式外延生长得到缓冲层；在缓冲层上采用目标外延方式外延生长得到第一功能结构；第一功能结构用于制作射频器件的体声波

本申请提出一种激光脉冲串时域形貌调制装置及方法，其中，该装置包括：激光源

本公开提供了一种用于量子级联激光器的有源区和量子级联激光器，该有源区包括多个级联的周期级联结构，周期级联结构包括：增益区，增益区包括：多个增益量子阱；多个增益量子垒，其中，相邻两个增益量子阱之间至少设置一个增益量子垒；注入区，与最下方的...

本公开提供了一种压缩感知重构温度场方法，包括：获取温度场先验信息，将温度场先验信息进行稀疏化处理，得到频域的稀疏矩阵；提取温度场先验信息的投影矩阵，基于模拟退火算法和投影矩阵计算温度场中传感器的最优放置位置，基于最优放置位置得到观测矩阵...

本发明公开了一种适用于光通信的集成芯片，包括：衬底；依次层叠设置在衬底上的第一氮化物层和第二氮化物层，第二氮化物层形成多个凸台；多个传输单元，形成在第二氮化物层上，每个传输单元包括：发光器件，包括：第一电极，在凸台的一侧设置在第二氮化物...

本发明公开了一种基于电子束曝光的T型栅制备方法，包括：通过在基底上覆盖敏感度不同的两层光刻胶，曝光并显影，得到栅足光刻掩模结构；在具有栅足光刻掩模结构的基底上沉积金属；剥离由两层光刻胶掩模形成的栅足金属结构，获得附着于基底上的栅足；在具...

本发明提供一种基于P型氮化镓的欧姆接触生成方法及半导体器件，涉及半导体技术领域，其中方法包括：在衬底上制备外延结构，外延结构包括以下至少一项：氮化镓缓冲层、非故意掺杂氮化镓层、第一掺镁P型氮化镓层及第二掺镁P型氮化镓层；对氮化镓缓冲层、...