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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
多模分束器制造技术
本公开提供一种多模分束器,涉及分束器领域,其包括:输入波导,用于接收多个正交的模式光信号;
基于压电光电子学的紫外微尺寸发光二极管及制备方法技术
一种基于压电光电子学的紫外微发光二极管及制备方法,该紫外微发光二极管包括:衬底层状结构,包括:
一种垂直结构白光制造技术
本公开提供了一种垂直结构白光
海洋涡流探测方法及系统技术方案
本发明提供海洋涡流探测方法,包括:发射参考光和探测光;其中,探测光途径涡流区向目标靶处传播;接收由目标靶返回的第一光束;叠加第一光束和参考光,形成干涉光束;将干涉光束转换为电信号;基于电信号确定涡流区折射率;根据涡流区折射率以及海洋背景...
一种利用聚合物形变对激光改质后脆硬材料剥离的方法技术
本发明公开了一种利用聚合物形变对激光改质后脆硬材料剥离的方法
垂直腔面发射激光器制造技术
本公开提供一种垂直腔面发射激光器,包括:依次外延的负极电极
一种具有制造技术
本申请公开了一种具有
单模掩埋半导体激光器及其制备方法技术
本公开提供了一种单模掩埋半导体激光器及其制备方法,可以用于光电子器件领域
甚长波超晶格势垒红外探测器制造技术
本发明提供一种甚长波超晶格势垒红外探测器,包括由下至上依次叠置的衬底
六方氮化硼上生长氮化铝薄膜及其制备方法和应用技术
本公开提供了一种六方氮化硼上生长氮化铝薄膜及其制备方法和应用,其中,六方氮化硼上生长氮化铝薄膜的方法包括:采用化学气相沉积法,在铜箔上生长六方氮化硼;将铜箔上生长的六方氮化硼转移到其它衬底上,作为外延生长氮化铝薄膜的缓冲层;对得到的六方...
双脉冲控制的自旋轨道矩概率比特及控制方法技术
本公开提供了一种双脉冲控制的自旋轨道矩概率比特及控制方法,该自旋轨道矩概率比特包括自旋轨道耦合层;磁性自由层,设置在自旋轨道耦合层的上表面;间隔层,设置在磁性自由层的上表面;磁性参考层,设置在间隔层的上表面;顶电极层,设置在磁性参考层的...
用于制备制造技术
本公开了一种用于制备
液滴式多重制造技术
本公开提供一种液滴式多重
多普勒频移及到达角测量系统及测量方法技术方案
本发明提供一种多普勒频移及到达角测量系统,包括:光源模块,用于提供光载波;第一微波功合模块,用于将发送信号以及第一回波信号合成第一电信号;第二微波功合模块,用于将参考信号以及第二回波信号合成第二电信号;第一调制模块,用于将第一电信号调制...
一种自锁模制造技术
本发明提供了一种自锁模
全电控自旋轨道矩概率比特及控制方法技术
本公开提供了一种全电控自旋轨道矩概率比特及控制方法,该自旋轨道矩概率比特包括自旋轨道耦合层;磁性自由层,设置在自旋轨道耦合层的上表面;间隔层,设置在磁性自由层的上表面;磁性参考层,设置在间隔层的上表面;顶电极层,设置在磁性参考层的上表面...
化学气相薄膜沉积设备的反应室及化学气相薄膜沉积设备制造技术
本发明提供一种化学气相薄膜沉积设备的反应室及化学气相薄膜沉积设备,涉及薄膜沉积技术领域,包括壳体组件
金属有机物制造技术
本发明提供一种
一种交错光栅的混合等离激元波导布拉格光栅偏振器制造技术
本申请公开了一种交错光栅的混合等离激元波导布拉格光栅偏振器,包括硅基混合等离激元波导结构
体声波器件和制备方法技术
本发明涉及半导体技术领域,提供一种体声波器件和制备方法,该方法包括:在衬底上采用目标外延方式外延生长得到缓冲层;在缓冲层上采用目标外延方式外延生长得到第一电极层;在第一电极层上采用目标外延方式外延生长得到压电层;在压电层上采用目标外延方...
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