本发明涉及精细线路电镀领域，具体涉及一种复合型金

本发明涉及精细线路电镀领域，具体涉及一种复合型金

本发明提供了一种提高磁性粉体材料有效变形的方法，步骤包括先将合金块通过熔体快淬制成合金条带，再研磨成具有形状各向异性的磁粉，将该磁粉置于平行磁场内进行层状排列后压块，最后进行束缚变形即可得到变形量可调的磁块。本发明利用形状各向异性磁粉在...

本发明涉及电镀领域，尤其涉及一种金金互连电镀领域，公开了一种软金电镀液的组成、制备与应用方式，本发明采用低分子聚合肽如鱼皮低聚肽、谷胱甘肽，取代了传统电镀中氰化物的在电镀液体系中的使用，本发明相对于传统电镀液具有缓冲能力强、对氯离子不敏...

本发明公开了一种SmFe

本发明公开了一种小型化宽带高频隔离器，属于微波铁氧体器件技术领域，包括从左往右依次排列的第一旋转矩形波导（11）、圆波导结构件（2）和第二旋转矩形波导（12），还设置有匹配陶瓷（4）、铁氧体（6）、吸波体（7）和支架（8），所述匹配陶瓷...

本发明公开了一种高性能软磁非晶涂层及其制备方法，属于涂层制备技术领域，所述软磁非晶涂层由Fe、Co、N i、Ho、Si、B、C、Cr等8种元素组成，制备步骤包括：配料，按照涂层的各组分重量百分比配制原料；甩带，利用真空甩带机将上述原料制...

本发明公开了一种磁性高熵合金复合材料的制备方法，属于磁性材料制备技术领域，所述磁性高熵合金复合材料的饱和磁化强度能达到153～172emu/g，硬度值能达到200～233HV，抗拉强度能达到600～712MPa，矫顽力＜200Oe，其制...

本发明公开了一种PCB板集总参数非互易磁性器件用高导热电路基板结构，包括粘合在一起的双面覆铜板、单面覆铜板，双面覆铜板包括从上到下依次设置的上覆铜层、中间介质层、下覆铜层，上覆铜层设有上表面电路，上表面电路用于形成安装中心导体模组的主安...

本发明公开了一种MEMS硅基腔体环行器/隔离器电路膜层结构，属于微波集成器件领域，所述电路膜层结构从上至下依次包括金膜层、铜膜层、氮化钽负载膜层、打底膜层、隔离膜层和高阻硅层，优选在所述金膜层与铜膜层之间，还设置有阻挡膜层；本发明还公开...

本实用新型公开了一种倒置结构环行器/隔离器，属于微波元器件技术领域，包括电路板（2）、电路板（2）上的电路（1）、永磁体（5）、金属腔体（6）和铁氧体基片（4），其中，所述铁氧体基片（4）的上电路的端口处设置有电连接件，所述铁氧体基片（...

本实用新型公开了一种永磁偏置YIG磁路，属于磁性器件集成技术领域，包括磁路(1)、永磁体(2)和线圈(3)，还包括均磁片(4)和至少一个旁路螺钉(5)；其中，所述磁路(1)和均磁片(4)均设置有凹槽，所述永磁体(2)的两个磁极面分部安装...

本实用新型公开了一种环行器/隔离器盖板与腔体预铆工装，属于磁性器件装配技术领域，包括气缸卡爪组件（1）、器件固定底座（2）和至少两个预铆冲头（3），所述器件固定底座（2）和预铆冲头（3）从下至上分别与所述气缸卡爪组件（1）固定；所述器件...

本发明公开了一种宇航舱外功分器，属于微波器件技术领域，包括腔体和连接于所述腔体相对两侧的联接器，所述腔体内设置电路板，所述腔体上下两侧均设置有抗辐照加固层，所述抗辐照加固层由外层和至少一层内层组成，所述上下两侧的抗辐照加固层通过数个螺钉...

本发明公开了硅‑旋磁铁氧体嵌套结构，属于微波集成器件微加工领域，包括硅腔体和嵌入至所述硅腔体内的旋磁铁氧体，其特征在于：在所述旋磁铁氧体的侧面和下表面设置有金属薄膜粘附层，并在所述金属薄膜粘附层上设置有氮化硅薄膜层；本发明还公开了上述嵌...

本发明公开了一种提高硅晶圆上金属薄膜电路附着力的方法，属于微波集成电路微加工技术领域，所述方法为：采用常温直流磁控溅射在硅晶圆上进行金属薄膜生长，完成金属薄膜电路图形化后，将硅晶圆放入高温高压气氛炉中进行一定时长的保温保压处理，然后进行...

本实用新型公开了一种通信用集总参数环行器中心导带模块，属于微波元器件技术领域，包括中心导体（1）、铁氧体（2）和三条电感线（4），三条所述电感线（4）从下至上通过绝缘膜隔离，其中，最下层和第二层的电感线（4）采用双面胶层绝缘膜，最上层的...

本发明公开了一种法拉第旋转开关，主要由两个正交模耦合器和一个由电路控制的法拉第旋转器构成，其中，法拉第旋转器由四脊方波导、位于四脊方波导中的匹配陶瓷、铁氧体、缠绕在铁氧体上的线圈构成，所述线圈通电时，能形成沿铁氧体长度方向的均匀磁场，而...

本实用新型公开了一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构，属于电子元器件抗辐射加固技术领域，包括上下对称的上屏蔽筒体和下屏蔽筒体，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的底部相同位置均设置有底部通孔，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体相接的侧壁设置有侧壁槽口，所...

本实用新型公开了一种防浪涌电流影响调谐磁场的对消加热结构，属于磁性器件技术领域，包括加热套（1）、PTC陶瓷加热片（2）和连接线（3），所述PTC陶瓷加热片（2）固定于加热套（1）上，数个PTC陶瓷加热片（2）和加热套（1）通过所述连接...