一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构及带有该附加屏蔽结构的滤波器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构，属于电子元器件抗辐射加固技术领域，包括上下对称的上屏蔽筒体和下屏蔽筒体，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的底部相同位置均设置有底部通孔，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体相接的侧壁设置有侧壁槽口，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的侧壁还设置有侧壁通孔；本实用新型专利技术还公开了带有有该附加屏蔽结构的滤波器；本实用新型专利技术提供了一种YIG滤波器抗辐射的附加屏蔽结构，有益于增强YIG滤波器抗空间辐射能力，使YIG滤波器能经受更严酷的空间辐射而保持稳定的工作性能，延长其在空间辐射环境下的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构及带有该附加屏蔽结构的滤波器
本技术涉及电子元器件抗辐射加固
，尤其涉及一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构及带有该附加屏蔽结构的滤波器。
技术介绍
YIG滤波器是以微波旋磁材料（如钇铁石榴石，YIG）为核心的器件，具有宽带调谐、抑制度高等特点，其工作频率可在宽频带（可达数个倍频程）范围内连续可调，主要用于微波测试、通信、雷达、电子对抗等系统。现有的常规YIG滤波器未专门考虑抗辐射加固设计，其典型结构如图1所示，包括上磁路1、上磁路的上极柱2、安装于上磁路内的上驱动线圈3、下磁路4，下磁路的下极柱5、安装于下磁路内的下驱动线圈6、YIG谐振电路7、连接器8、连接器8与YIG谐振电路7之间互联的同轴电缆9；YIG滤波器的磁路材料为铁镍合金，上述的常规YIG滤波器主要依靠自身的铁镍合金“自屏蔽”磁路结构起到电磁屏蔽作用，具备一定的抗辐射能力，例如质子、α粒子和重离子的穿透性差，一般不能直接穿透铁镍合金层而进入滤波器内部；但是，γ射线、X射线等光子的穿透能力强，YIG滤波器的铁镍合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构，其特征在于：包括上下对称的上屏蔽筒体和下屏蔽筒体，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的底部相同位置均设置有底部通孔，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体相接的侧壁设置有侧壁槽口，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的侧壁还设置有侧壁通孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构，其特征在于：包括上下对称的上屏蔽筒体和下屏蔽筒体，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的底部相同位置均设置有底部通孔，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体相接的侧壁设置有侧壁槽口，所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的侧壁还设置有侧壁通孔。


2.根据权利要求1所述的YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构，其特征在于：所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体均为非磁性材料。


3.根据权利要求1所述的YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构，其特征在于：所述上屏蔽筒体和/或下屏蔽筒体为单层或者多层结构。


4.根据权利要求3所述的YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：张卫，王津丰，荣建海，王源，尹春燕，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第九研究所，
类型：新型
国别省市：四川;51