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本实用新型公开了一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构,属于电子元器件抗辐射加固技术领域,包括上下对称的上屏蔽筒体和下屏蔽筒体,所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的底部相同位置均设置有底部通孔,所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体相接的侧壁设置有侧壁槽口,所述上...该专利属于中国电子科技集团公司第九研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第九研究所授权不得商用。
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本实用新型公开了一种YIG滤波器抗辐射附加屏蔽结构,属于电子元器件抗辐射加固技术领域,包括上下对称的上屏蔽筒体和下屏蔽筒体,所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体的底部相同位置均设置有底部通孔,所述上屏蔽筒体和下屏蔽筒体相接的侧壁设置有侧壁槽口,所述上...