本实用新型公开了一种车皮矿粉清扫装置，包括两个龙门架和穿过龙门架的清理车，所述龙门架之间固定设有固定架，所述固定架底端设有第一电动滑轨和第二电动滑轨，所述第一电动滑轨上具有滑动块，所述第二电动滑轨上具有副滑动块，所述滑动块底端设有第一电...

本发明具体是一种锆氢合金弹塑性变形析出及性能的EASYPHASE设计方法，能够描述更加符合真实状态下的锆合金中氢化物的析出过程。一种锆氢合金弹塑性变形析出及性能的EASYPHASE设计方法，所述方法包括如下步骤：步骤S1：收集热力学参数...

本发明涉及一种基于深度强化学习的地下浅层目标快速定位方法，属于地下浅层震源定位技术领域。本发明结合了深度神经网络算法和强化学习算法，通过对地声传感器采集到的一维信号进行跨域升维，以多谱三维能量场作为深度强化学习的状态空间，利用马尔科夫决...

本发明属于仿生机械学技术领域，具体涉及一种仿生螃蟹探测机器人，由螃蟹机体、八足行走机构、轮行走机构、螯爪机构和控制系统五部分组成，所述螃蟹机体包括底板、机身盖板；所述的八足行走机构包括两套前后对称的四足结构；所述轮行走机构包括顶板、升降...

本发明公开了一种基于能量累积的冲击等效试验方法，涉及惯性载荷动态冲击试验领域。该方法首先建立过载冲击下的物理分析模型，并确定外部惯性载荷形式；利用该物理模型，建立结构的控制方程、几何方程及本构方程；利用离散差分技术计算弹塑性响应过程，并...

本发明公开了一种超声电磁锡

本发明公开一种大型异向异型箱体毛坯多约束分步挤压成形模具，包括第一套模具和第二套模具，第一套模具包括上模具组件和下模具组件，上模具组件包括上模板、凸模、大砧板、小砧板和手柄，下模具组件包括第一凹模、内应力圈、外应力圈、下模板、顶杆，所述...

本申请属于医学图像融合技术领域，公开了一种基于知识蒸馏与可解释的多模态医学图像融合模型及方法。基于知识蒸馏与可解释的多模态医学图像融合模型，包括一个生成器G和两个鉴别器Dc和Dm，生成器负责生成融合图像，鉴别器用来判别真实图像和融合图像...

本实用新型涉及水解制氢反应装置技术领域，具体来说是一种基于水解制氢单元的燃料电池电源设备，包括外壳，外壳内设置有反应机构和分离净化机构：反应机构包括原料进液箱和燃料罐，二者通过第一管体贯通连接，第一管体上设置有蠕动泵；分离净化机构通过第...

本实用新型公开了一种可调式节能隧道照明系统，属于隧道照明技术领域，走线横梁上固定安装有多个均匀分布的调节导轨，调节导轨包括弧形基板、弧形滑轨以及弧形齿板，弧形基板固定安装于走线横梁下端，弧形滑轨固定安装于弧形基板外端，弧形齿板固定安装于...

本发明属于椭偏测量装置技术领域，具体涉及一种基于弹光调制干涉具的高速傅里叶光谱椭偏测量装置，所述宽波段复色红外光源的光路方向上设置有第一偏振片，所述第一偏振片的光路方向上设置有样品，所述样品设置在载物台上，所述样品的反射光路上设置有第一...

本发明涉及分布式网络系统时钟同步领域，具体为一种提高分布式时钟同步系统时钟同步精度与稳定性的方法，分布式时钟同步系统包括主控机和各从节点，主控机包括时钟同步对时与触发装置和交换机；从节点包括交换机和时钟同步对时与触发装置，各从节点通过交...

本公开描述一种全石英光纤法珀振动传感器，包括敏感单元和光纤，敏感单元包括依次层叠的第一石英片、石英敏感膜片、以及第二石英片，在第一石英片与第二石英片之间形成有微腔，石英敏感膜片包括悬置于微腔且具有面向第二石英片的光反射面的质量块、以及由...

本发明涉及石墨烯技术领域，特别涉及石墨烯微结构技术领域，具体为一种石墨烯微结构的制备方法。其为了解决传统的石墨烯微结构的制备方法过程复杂且耗时长的问题，故提供了一种新的石墨烯微结构的制备方法，该制备方法依次包括如下步骤：使用匀胶机在硅片...

本发明属于机械制造微孔加工领域，公开了一种用于电火花内冲液微孔钻床的超声辅助装置，包括：超声振动组件、变幅杆和多级定位夹头；超声振动组件中，中心通孔螺栓的远端设置外螺纹和内螺纹，外螺纹与前端盖中心设置的内螺纹配合，内螺纹与变幅杆一端的螺...

本发明公开了一种用于镜面模具钢电渣重熔工艺的电渣重熔渣系，所述电渣重熔渣系包含的电渣重熔渣料为CaF2、BaF2、MgF2、CaO、MgO、Al2O3、SiO2、Li2O，各电渣重熔渣料的成分含量按质量百分比为：CaF2：60％～66％...

本发明公开了一种截面硬度均匀的镜面塑料模具钢及其制造方法，所述镜面模具钢的的化学成分按质量分数为：C：0.35～0.45％、Si：0.40～0.60％、Mn：0.40～0.70％、Cr：6.50～8.00％、Ni：0.10～0.30％、...

本发明具体涉及一种高力学性能的自愈合聚氨酯薄膜及其制备方法与应用；由聚己内酯二醇中的羟基与过量的异佛尔酮二异氰酸酯中的异氰酸酯键发生反应，生成带有

本发明公开一种基于InAsQD

本发明公开一种InAsQD嵌入式HEMT的力敏传感结构，在半绝缘GaAs衬底上依次生长高纯度的GaAs缓冲层、高浓度的GaAs/AlGaAs超晶格层、高纯度的GaAs沟道层、InAs量子点层、高纯度的AlGaAs隔离层、Si平面掺杂隔离...