本发明公开了一种高深宽比铟凸点的制备方法及其应用，包括以下步骤：（1）在基底上制备第一光刻胶掩膜层，其中第一光刻胶掩膜层的厚度大于所需制备的铟凸点的高度；（2）在第一光刻胶掩膜层上制备第二光刻胶掩膜层；（3）在基底上进行第一次铟沉积，去...

本发明涉及一种高细铟凸点的制备方法、铟凸点阵列和红外探测器，其中制备方法包括以下步骤：S1、基底的第一区域和第二区域覆盖第一光刻胶；S2、去除第一区域中对应待制备高细铟凸点的位置的第一光刻胶和第二区域的第一光刻胶，使对应待制备高细铟凸点...

本发明涉及一种红外探测器快速启动集成制冷机组件，包括斯特林制冷机、节流制冷器和杜瓦瓶；斯特林制冷机包括冷指气缸和斯特林制冷主机，冷指气缸通过软管与斯特林制冷主机相连；节流制冷器包括热交换器，高压混合气体接入热交换器，高压混合气体为35M...

本发明公开了一种用于制备红外探测器芯片的卡齿辅助结构，加工于读出电路和光敏芯片，读出电路与光敏芯片倒焊连接，包括板件、若干凸起单元和若干凹坑单元。若干凸起单元与若干凹坑单元均设于板件的同一平面上。若干凸起单元按序依次排列，相邻两个凸起单...

本发明提供了一种半导体晶圆背部导热剂涂覆装置及方法，所述装置包括：支架；涂覆平台，涂覆平台可拆卸安装于支架上；升降台，升降台安装于支架上且位于涂覆平台下方；导热剂涂覆贴，导热剂涂覆贴粘贴于涂覆平台上；液态导热剂，液态导热剂滴加于导热剂涂...

本发明提供一种多维的系统预防型制造业质量管理方法及系统，其中，该方法包括：获取待管理制造型企业的目标产品的全生命周期过程质量策划相关信息、全生命周期过程质量保证相关信息和全生命周期过程质量改进相关信息，建立三维质量管理模型；建立量化评价...

本实用新型公开了一种倒焊红外探测器芯片，包括红外敏感阵列和读出电路；红外敏感阵列依次包括衬底层、外延层、钝化层和电连接层，外延层刻蚀形成矩形阵列排布的若干像元，相邻像元之间形成隔离沟壑，且相邻四个像元之间的隔离沟壑形成十字沟壑；钝化层沉...

本实用新型公开了一种高可靠性红外探测芯片，包括光敏芯片，所述光敏芯片底部设置有多个凸点；基板，所述基板上方设置有多个凸点，与所述光敏芯片底部的凸点一一对应，所述光敏芯片与基板通过对应凸点的压合形成互连结构；填充于所述光敏芯片与所述基板之...

一种集成芯片倒装焊调平方法，系统及芯片，其方法包括如下步骤:步骤100：在芯片上的多个芯片照射点以及基板上的多个基板照射点设置曲面镜；步骤200：分别向芯片和基板输出检测光束，基于检测光束在各曲面镜上的反射率调整基板位置，使各基板照射点...

本实用新型提供了一种简易的半导体表面电化学钝化装置，包括：壶体、壶嘴、托盘盖、底盘和电源部；壶体用于盛放电化学钝化溶液；底盘水平固设于壶体的内腔内上；托盘盖包括托盘、竖向延伸环和水平延伸环，竖向延伸环的一端固设于水平延伸环的内环边上，竖...

本实用新型针对现有技术采用点胶头作红外探测器底填胶时在胶水固化之后出现未填充的空隙与胶内气泡，导致芯片与读出电路之间的连接性差的不足，提供一种充填胶水的装置，该充填胶水的装置包括磁力发生装置，所述磁力发生装置能产生磁场，所述磁场用于作用...

本实用新型的目的是针对现有技术中连接冷指与芯片的冷盘易变形，使得芯片易变形脱落造成设备开关可靠性降低的不足，提供一种可减少变形量的制冷机用冷盘及降低冷盘变形的方法，本实用新型降低冷盘变形的方法为，在冷盘上设置比冷盘导热系数高的环状件，当...

本实用新型针对现有技术在对铟柱倒装互联效果进行检测时需要破坏样品查看铟柱的连接效果造成检测效率低且浪费的不足，提供一种超晶格倒焊样品铟柱互连情况检测装置及检测固定装置，本检测固定装置，包括样品高度调整装置和样品水平位置调整装置，所述样品...

本发明的目的是针对现有技术采用点胶头作红外探测器底填胶时由于填胶过程中水平层与垂直方向上的扩散存在差异，在胶水固化之后出现未填充的空隙与胶内气泡，导致芯片与读出电路之间的连接性差的不足，提供一种磁性胶、减少填胶气泡和孔隙的方法及填胶用的...

本实用新型的目的是针对现有技术剥离光刻胶的工艺由于受光刻胶外金属层的阻挡，去胶液很难与光刻胶接触，使得去胶时间长、效率低的不足，提供一种光刻胶去除用预处理装置及去除光刻胶所用的设备，光刻胶去除用预处理装置包括低温介质供应装置和晶圆固定装...

本发明的目的是针对现有技术中连接冷指与芯片的冷盘易变形，使得芯片易变形脱落造成设备开关可靠性降低的不足，提供一种制冷机用冷盘结构及降低冷盘变形的方法，本发明降低冷盘变形的方法为，在冷盘上设置比冷盘导热系数高的环状件，当冷盘受到低温冲击时...

本实用新型的目的是针对现有技术台面型红外探测器公共电极在爬坡过程中易断裂、UBM膜层组分确定性差，膜层薄可靠性差的不足，提供一种台面型红外探测器、焦平面阵列芯片和读出电路芯片，这种用于台面型红外探测器的焦平面阵列芯片或读出电路芯片，包括...

本发明的目的是针对现有技术剥离光刻胶的工艺去胶时间长效率低，去胶过程中易产生有害挥发物的不足，提供一种光刻胶外金属层的处理方法、去除光刻胶的方法及所用的设备，设备包括由低温介质供应管路和低温介质源组成的低温介质供应装置，低温介质源内的低...

本实用新型是针对现有技术在超晶格红外焦平面阵列制备过程中，在通过一次光刻后采用干法刻蚀易造成像元间小间距和芯片间大间距的刻蚀深度不一致的问题，或采用湿法腐蚀易使刻蚀区域侧向腐蚀比较严重，使得台面单元的有效区域减小影响产品最终性能的技术问...

本实用新型是针对现有技术电化学处理装置无法满足晶圆处理时阴极和阳极需保持稳定的电场、阳极不能浸没在电解液中的需要的技术问题，提供一种晶圆表面电化学处理装置，包括晶圆往复移动装置和晶圆固定装置，晶圆固定装置包括真空装置及导电材质的吸附盘，...