本发明专利技术提供了一种半导体晶圆背部导热剂涂覆装置及方法，所述装置包括：支架；涂覆平台，涂覆平台可拆卸安装于支架上；升降台，升降台安装于支架上且位于涂覆平台下方；导热剂涂覆贴，导热剂涂覆贴粘贴于涂覆平台上；液态导热剂，液态导热剂滴加于导热剂涂覆贴表面；真空吸附台，真空吸附台设于升降台上，真空吸附台包括真空吸附柱；待涂覆晶圆，待涂覆晶圆的背部放置于真空吸附柱上，升降台升降带动待涂覆晶圆的背部与导热剂涂覆贴表面接触。本发明专利技术提供的半导体晶圆背部导热剂涂覆装置能够保证液态导热剂的涂覆均匀性，保证了待涂覆晶圆正加工面的洁净完整，避免导热剂涂覆过程对晶圆正加工面的意外损伤，有效保证晶圆较加工工艺过程中的稳定性和产品良率。艺过程中的稳定性和产品良率。艺过程中的稳定性和产品良率。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆背部导热剂涂覆装置及其方法
[0001]本专利技术涉及半导体
，具体地，涉及一种半导体晶圆背部导热剂涂覆装置及其方法。
技术介绍
[0002]半导体器件深刻的改变了人类的生活，在半导体晶圆上制备大规模集成电路中，干法刻蚀是重要的生产工艺之一。
[0003]如何保持芯片刻蚀制备过程中晶圆温度，进而保证干法刻蚀稳定性提升制备良率，是刻蚀生产的技术要点。目前的工作技术中，依靠在制备晶圆与载盘之间构建热导带，保持芯片干刻过程温度是一种常用技术手段。该技术中利用液态导热剂排除晶圆与载盘之间的空气，实现晶圆与载盘之间无缝连接进而提高热导率，通过控制晶圆温度，可有效避免刻蚀过程中温度变化对晶圆的不利影响。
[0004]因而，液态导热剂在晶圆背部的均匀涂覆及涂覆过程中对晶圆加光面的保护至关重要，而晶圆传统的翻面涂覆导热剂工艺过程中，涂覆均匀性差，且翻面置放对晶圆加工面的破坏，导致整个工艺稳定性和加工良率较低。
技术实现思路
[0005]针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种半导体晶圆背部导热剂涂覆装置及其方法，能够保证液态导热剂的涂覆均匀性，且只有待涂覆晶圆的背部与导热剂涂覆贴接触，保证了待涂覆晶圆正加工面的洁净完整，避免导热剂涂覆过程对晶圆正加工面的意外损伤，可有效保证晶圆较加工工艺过程中的稳定性和产品良率。
[0006]本专利技术第一方面提供了一种半导体晶圆背部导热剂涂覆装置，包括：
[0007]支架；
[0008]涂覆平台，所述涂覆平台可拆卸安装于所述支架上，所述涂覆平台上开设有第一通孔；
[0009]升降台，所述升降台安装于所述支架上且位于所述涂覆平台下方；
[0010]导热剂涂覆贴，所述导热剂涂覆贴粘贴于所述涂覆平台上，所述导热剂涂覆贴上开设有与所述第一通孔位置相对应的第二通孔；
[0011]液态导热剂，所述液态导热剂滴加于所述导热剂涂覆贴表面；
[0012]真空吸附台，所述真空吸附台设于所述升降台上，所述真空吸附台包括真空吸附柱，所述真空吸附柱的吸附端依次穿过所述第一通孔、所述第二通孔后吸附于所述待涂覆晶圆的背部；
[0013]待涂覆晶圆，所述待涂覆晶圆的背部放置于所述真空吸附柱上，所述升降台升降带动所述待涂覆晶圆的背部与所述导热剂涂覆贴表面接触。
[0014]在一实施方式中，所述第一通孔的内径与所述第二通孔的内径相同，所述第一通孔的中心轴线与所述第二通孔的中轴线相互重合。
[0015]在一实施方式中，所述第一通孔位于所述涂覆平台的中心位置。
[0016]在一实施方式中，所述真空吸附台还包括转动安装于所述升降台上的固定台、及驱动所述固定台延其中心轴线自转的电机，所述真空吸附柱通过真空软管与真空泵连接。
[0017]在一实施方式中，所述涂覆平台通过机械卡口安装于所述支架上。
[0018]在一实施方式中，所述涂覆平台为不锈钢涂覆平台。
[0019]本专利技术第二方面提供了一种半导体晶圆背部导热剂涂覆方法，基于上述的半导体晶圆背部导热剂涂覆装置实现，包括以下步骤：
[0020]所述导热剂涂覆贴粘贴于所述涂覆平台上；
[0021]粘贴有所述导热剂涂覆贴的涂覆平台安装于所述支架上；
[0022]向所述导热剂涂覆贴上滴加液态导热剂；
[0023]所述待涂覆晶圆的背部放置于所述真空吸附柱上，调节所述升降台高度，升降台升降带动所述待涂覆晶圆的背部与所述导热剂涂覆贴表面接触；
[0024]静置20min，利用毛细效应实现液态导热剂在导热剂涂覆贴上的自动匀覆；
[0025]启动真空吸附台抽真空吸附同时吸附柱绕其中心轴线转动，带动所述待涂覆晶圆转动，直至完成液态导热剂的均匀涂覆。
[0026]与现有技术相比，本专利技术具有如下的有益效果：
[0027]1、本专利技术实施例提供的半导体晶圆背部导热剂涂覆装置，操作简单，使用简便，通过真空吸附平台，实现晶圆与导热剂涂覆贴的自贴合，从而保证了晶圆背部导热剂涂覆平整、均匀、完整，进而确保晶圆与载盘之间良好的热导率，稳定刻蚀过程晶圆温度，有效提高了工艺过程的稳定性和可重复性。
[0028]2、本专利技术实施例提供的半导体晶圆背部导热剂涂覆装置在使用过程中，只有待涂覆晶圆的背部与导热剂涂覆贴接触，保证了待涂覆晶圆正加工面的洁净完整，避免导热剂涂覆过程对晶圆正加工面的意外损伤，可有效保证晶圆较加工工艺过程中的稳定性和产品良率。
[0029]3、本专利技术实施例提供的半导体晶圆背部导热剂涂覆装置使用时，待涂覆晶圆的背面与导热剂涂覆贴的贴合，先静置利用毛细效应实现液态导热剂自动匀覆，然后通过真空吸附台的自旋进一步实现待涂覆晶圆背面的导热剂均匀涂覆，保证了液态导热剂涂覆的均匀性。
[0030]4、本专利技术实施例提供的半导体晶圆背部导热剂涂覆装置，可用于可用于各尺寸晶圆(从2寸至8寸)背部导热剂或其他溶剂的涂覆、清洁工作，只需对应更换与晶圆尺寸相适配的涂覆平台即可。
附图说明
[0031]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0032]图1为本专利技术实施例提供的半导体晶圆背部导热剂涂覆装置的结构示意图；
[0033]图2为本专利技术实施例提供的真空吸附台的结构示意图。
[0034]图中：支架1、涂覆平台2、导热剂涂覆贴3、控制器4、真空吸附台5、升降台6、固定台7、电机8、真空软管9、真空泵10。
具体实施方式
[0035]下面结合具体实施例对本专利技术进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本专利技术，但不以任何形式限制本专利技术。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本专利技术的保护范围。
[0036]实施例
[0037]本实施例提供了一种半导体晶圆背部导热剂涂覆装置，包括：
[0038]支架1；
[0039]涂覆平台2，涂覆平台2可拆卸安装于支架1上，涂覆平台2上开设有第一通孔；
[0040]升降台6，升降台6安装于支架1上且位于涂覆平台2下方；
[0041]导热剂涂覆贴3，导热剂涂覆贴3粘贴于涂覆平台2上，导热剂涂覆贴3上开设有与第一通孔位置相对应的第二通孔；
[0042]液态导热剂，液态导热剂滴加于导热剂涂覆贴3表面；
[0043]真空吸附台5，真空吸附台5设于升降台6上，真空吸附台5包括真空吸附柱，真空吸附柱的吸附端依次穿过第一通孔、第二通孔后吸附于待涂覆晶圆的背部；
[0044]待涂覆晶圆，所述待涂覆晶圆的背部放置于所述真空吸附柱上，所述升降台升降带动所述待涂覆晶圆的背部与所述导热剂涂覆贴3表面接触。
[0045]其中，第一通孔的内径与第二通孔的内径相同，第一通孔的中心轴线与第二通孔的中轴线相互重合，第一通孔位于涂覆平台2的中心位置，能够保证真空吸附平本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆背部导热剂涂覆装置，其特征在于，包括：支架；涂覆平台，所述涂覆平台可拆卸安装于所述支架上，所述涂覆平台上开设有第一通孔；升降台，所述升降台安装于所述支架上且位于所述涂覆平台下方；导热剂涂覆贴，所述导热剂涂覆贴粘贴于所述涂覆平台上，所述导热剂涂覆贴上开设有与所述第一通孔位置相对应的第二通孔；液态导热剂，所述液态导热剂滴加于所述导热剂涂覆贴表面；真空吸附台，所述真空吸附台设于所述升降台上，所述真空吸附台包括真空吸附柱，所述真空吸附柱的吸附端依次穿过所述第一通孔、所述第二通孔；待涂覆晶圆，所述待涂覆晶圆的背部放置于所述真空吸附柱上，所述升降台升降带动所述待涂覆晶圆的背部与所述导热剂涂覆贴表面接触。2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆背部导热剂涂覆装置，其特征在于，所述第一通孔的内径与所述第二通孔的内径相同，所述第一通孔的中心轴线与所述第二通孔的中轴线相互重合。3.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆背部导热剂涂覆装置，其特征在于，所述第一通孔位于所述涂覆平台的中心位置。4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆背部导热剂涂覆装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：张智，张传杰，雷华伟，刘志方，
申请(专利权)人：浙江拓感科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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